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標簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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在電動機控制等部分應(yīng)用中,放緩開關(guān)期間的dV/dt非常重要。速度過快會導(dǎo)致電動機上出現(xiàn)電壓峰值,從而損壞繞組絕緣層,進而縮短電動機壽命。
SMPD先進絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢
SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device),是先進的頂部散熱絕緣封裝,由IXYS(現(xiàn)在是Littelfuse公...
三相1200V/450A SiC MOSFET電動汽車智能功率模塊
該智能功率模塊是為高熱環(huán)境的穩(wěn)定性應(yīng)用而設(shè)計的,額定的 最高結(jié)溫為 175℃。柵極驅(qū)動器本身具備在最高環(huán)境工作溫度為 125℃的情況下、長時間工作的增強...
隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進步,系統(tǒng)設(shè)計人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐,才能為其設(shè)計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件,工程師需要深入了解它...
隨著新能源汽車的快速發(fā)展,市場的普及,越來越多的用戶在使用過程中,對新能源汽車的充電仍是一個頭疼的事情。
IGBT由柵極(G)、發(fā)射(E)和集電極(C)三個極控制。 如圖1,IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,給PNP晶體管提供基極電流,使IGB...
大電流IGBT驅(qū)動器在現(xiàn)代工業(yè)電機應(yīng)用中的作用
為了保障高頻開關(guān)所需的快速上升和下降時間,載流導(dǎo)體應(yīng)保持長度最小。每厘米長度增加約 8 nH 的電感,因此 95 A/μs 的 di/dt 會產(chǎn)生每厘米...
在器件設(shè)計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進行先期計算(所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下,利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路...
2021-02-12 標簽:二極管MOSFET開關(guān)電源 2948 0
近年來,半導(dǎo)體行業(yè)最為火熱的話題非寬禁帶半導(dǎo)體莫屬,如碳化硅(SiC)。由于其優(yōu)越的物理和電氣特性,如高能量帶隙(eV),高臨界擊穿場強(MV/cm)和...
半導(dǎo)體是電子電路中使用最廣泛的元件之一,它們保證了可靠性、高電阻和低成本。半導(dǎo)體器件的制造過程通常用于創(chuàng)建集成電路,包括一系列多個照相和化學(xué)處理步驟,在...
柵極驅(qū)動設(shè)計中的關(guān)鍵控制及400W CCM PFC中的效率比較
基于電荷平衡技術(shù)的超級結(jié)MOSFET在降低導(dǎo)通電阻和寄生電容方面提供了出色的性能,這通常需要權(quán)衡取舍。
單通道DC-DC轉(zhuǎn)換器LV5980MC的主要特性及應(yīng)用電路
該OnSemi公司的LV5980MC是單個內(nèi)嵌P MOSFET的單通道DC-DC轉(zhuǎn)換器,工作電壓范圍為4.5V至23V,最大輸出電流為3A。可實現(xiàn)低功率...
2021-03-15 標簽:開關(guān)轉(zhuǎn)換器mosfet 2925 0
功率MOSFET的雪崩強度限值是衡量器件針對于感性負載在開關(guān)動作應(yīng)用中的重要參數(shù)。 清楚地理解雪崩強度的定義,失效的現(xiàn)象及評估的方法是功率MOSFET電...
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