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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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簡(jiǎn)化同步降壓-升壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)
針對(duì)工業(yè)和汽車(chē)應(yīng)用的降壓-升壓轉(zhuǎn)換器具有獨(dú)特的電源解決方案要求。在證明其易用性、高效率、小巧尺寸和較低的總體物料清單成本后,4開(kāi)關(guān)同步降壓-升壓轉(zhuǎn)換器...
2015-11-24 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器輸出電壓 3024 0
電焊機(jī)是指為焊接提供一定特性的電源的電器,使用電能源,將電能瞬間轉(zhuǎn)換為熱能。電焊機(jī)適合在干燥的環(huán)境下工作,不需要太多要求,因體積小巧、操作簡(jiǎn)單、使用方便...
2024-08-07 標(biāo)簽:電源MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 3023 0
耗盡型MOSFET實(shí)現(xiàn)雙向過(guò)流、過(guò)壓保護(hù)的應(yīng)用電路
該電路實(shí)現(xiàn)過(guò)流、過(guò)壓保護(hù)的主要原理與 圖2 電路基本一致。不過(guò)當(dāng)電路觸發(fā)過(guò)流、過(guò)壓保護(hù)功能時(shí),僅是電流方向?yàn)镈→S的MOSFET實(shí)現(xiàn)保護(hù)作用。對(duì)于另外一...
2023-11-07 標(biāo)簽:MOSFET應(yīng)用電路過(guò)壓保護(hù) 3000 0
采用智能型集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器增加數(shù)字電源控制器的性能可靠性
在電源系統(tǒng)中,MOSFET驅(qū)動(dòng)器一般僅用于將PWM控制IC的輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換為高速的大電流信號(hào),以便以最快的速度打開(kāi)和關(guān)閉MOSFET。由于驅(qū)動(dòng)器IC與MO...
2021-03-07 標(biāo)簽:電源mosfet驅(qū)動(dòng)器 2997 0
2021-04-15 標(biāo)簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換器 2996 0
就拿最常見(jiàn)的電腦主板的CPU來(lái)舉例,Intel QX6850 CPU 設(shè)計(jì)可承受的最大工作電流為125安倍
2023-09-05 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管散熱器 2996 0
高度集成的開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器單片式解決方案解析
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器可以采用單片結(jié)構(gòu),也可以通過(guò)控制器構(gòu)建。在單片式開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器中,各功率開(kāi)關(guān)(一般是MOSFET)會(huì)集成在單個(gè)硅芯片中。使用控制器構(gòu)建時(shí),除了控制...
2021-03-05 標(biāo)簽:MOSFET開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 2995 0
mosfet漏極外接二極管的作用 mosfet源極和漏極的區(qū)別
漏極外接二極管(Drain-Source Diode,簡(jiǎn)稱D-S二極管)在MOSFET電路中起到了重要的作用,本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區(qū)別...
2024-01-31 標(biāo)簽:二極管MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2994 0
消除Buck電源轉(zhuǎn)換器中的EMI問(wèn)題
輻射這東西,看不見(jiàn)摸不著,整改還按小時(shí)算,一不小心幾萬(wàn)塊就沒(méi)了。不得不說(shuō),EMC整改,真難。本文主要分享理論+實(shí)際案例,文章篇幅較長(zhǎng),建議先收藏再閱讀。
2023-05-29 標(biāo)簽:pcb轉(zhuǎn)換器MOSFET 2985 0
降壓轉(zhuǎn)換器是一個(gè)簡(jiǎn)單的電路。圖 1 是降壓轉(zhuǎn)換器的簡(jiǎn)化原理圖。MOSFET 高壓側(cè) MOSFET 導(dǎo)通和關(guān)斷??刂?IC(未圖示)使用閉合反饋環(huán)路來(lái)控制...
說(shuō)說(shuō)MOSFET中的米勒效應(yīng)
本文主要介紹了米勒效應(yīng)的由來(lái),并詳細(xì)分析了MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程米勒效應(yīng)的影響,幫助定性理解米勒平臺(tái)的形成機(jī)制。最后給出了場(chǎng)效應(yīng)管柵極電荷的作用。
2023-05-16 標(biāo)簽:放大器MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 2979 0
MOSFET 安全工作區(qū)對(duì)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在
即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí),任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過(guò)軟啟動(dòng)電源,支持從正在工作的...
功率MOSFET及其雪崩擊穿額定值背后的理論和設(shè)計(jì)過(guò)程中的局限性
一些功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)為在有限時(shí)間內(nèi)承受一定量的雪崩電流,因此可以達(dá)到雪崩額定值。其他人會(huì)在雪崩開(kāi)始后很快失敗。性能差異源于特定的設(shè)備物理、設(shè)計(jì)和制造。
2021-06-23 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件寄生元件 2977 0
SiC設(shè)計(jì)分享(三):onsemi同等功率的SiC與SiMOST進(jìn)行比較
本文作為系列文章的第三篇,會(huì)從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較,給出分析和計(jì)算過(guò)程,供設(shè)計(jì)工程師在選擇功率開(kāi)關(guān)器件時(shí)參考!
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器是一種電子電源電路,用于將不穩(wěn)定的輸入電壓轉(zhuǎn)換為穩(wěn)定的輸出電壓。它通過(guò)周期性地開(kāi)關(guān)和關(guān)閉電路中的開(kāi)關(guān)元件(通常是晶體管或功率MOSFET),以...
2024-01-15 標(biāo)簽:電路圖MOSFET開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 2971 0
三相1200V/450A SiC MOSFET電動(dòng)汽車(chē)智能功率模塊
該智能功率模塊是為高熱環(huán)境的穩(wěn)定性應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,額定的 最高結(jié)溫為 175℃。柵極驅(qū)動(dòng)器本身具備在最高環(huán)境工作溫度為 125℃的情況下、長(zhǎng)時(shí)間工作的增強(qiáng)...
2020-06-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2971 0
基于內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動(dòng)性能
功率MOSFET具有開(kāi)關(guān)速度快,導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn),因此在開(kāi)關(guān)電源,馬達(dá)控制等電子系統(tǒng)中的應(yīng)用越來(lái)越廣。通常在實(shí)際的設(shè)計(jì)過(guò)程中,電子工程師對(duì)其的驅(qū)動(dòng)電路以...
2021-03-07 標(biāo)簽:mosfet開(kāi)關(guān)電源驅(qū)動(dòng)電路 2971 0
JWH5141杰華特DCDC完全兼容芯洲SCT2A23ASTER方案
JWH5141杰華特DCDC完全兼容芯洲SCT2A23ASTERPin4引腳定義不同:SCT:modeJW:RT產(chǎn)品描述JWH5141F是基于恒定導(dǎo)通時(shí)...
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