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標(biāo)簽 > mosfet
簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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功耗相關(guān)設(shè)計可以節(jié)省雙MOSFET的空間
您的功耗相關(guān)設(shè)計可以節(jié)省雙MOSFET的空間,因為您經(jīng)常成對使用這些功能。飛兆半導(dǎo)體(圖片)的P溝道FDZ2552P和類似的N溝道FDZ2551N MO...
2019-08-12 標(biāo)簽:MOSFETPCB打樣華強(qiáng)PCB 3275 0
說明:功率 MOSFET 正向?qū)〞r可用一電阻等效,該電阻與溫度有關(guān),溫度升高,該電阻變大;它還與門極驅(qū)動電壓的大小有關(guān),驅(qū)動電壓升高,該電阻變小。詳細(xì)...
在工業(yè)和汽車應(yīng)用中,大多數(shù)前端接口要求反向極性保護(hù),而這一保護(hù)功能通常由二極管或MOSFET提供。由于它不需要電荷泵,p通道MOSFET一直用于高電流應(yīng)...
安森美半導(dǎo)體門極驅(qū)動器方案的快速評估和測試解決方案
這些板設(shè)計為直接插入基板或易于替換為現(xiàn)有的應(yīng)用板。圖3顯示了幾種架構(gòu),其中迷你驅(qū)動器板已連接以驅(qū)動采用TO-247封裝的開關(guān)。
由閾值電壓的公式可看出,閾值電壓與制造工藝和所加體偏電壓VSB有關(guān),所以在設(shè)計中把它當(dāng)成一個常數(shù)。 當(dāng)器件尺寸不斷縮小時,此模型不再精確,閾值電壓與L、...
JFET工作電流很小,適合于模擬信號放大,分為N溝道和P溝道兩種。與雙極型晶體管中的NPN和PNP類似,N溝道和P溝道僅是工作電流的方向相反。 而...
2023-11-04 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管NMOS 3223 0
技術(shù)路線圖始終是雙向的,一半來自技術(shù)方面的進(jìn)步,另一半來自市場的需求。
許多工程師第一次使用模擬開關(guān),往往會把模擬開關(guān)完全等同于機(jī)械開關(guān)。其實(shí)模擬開關(guān)雖然具備開關(guān)性,但和機(jī)械開關(guān)有所不同,它本身還具有半導(dǎo)體特性:
2023-02-06 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體模擬開關(guān) 3205 0
根據(jù)MOSFET傳輸特性,新的MOSFET (IRF和INFINEON)的熱穩(wěn)定性不如NXP MOSFET,因為NXP的熱穩(wěn)定性(曲線相交)在37,5A...
2018-09-25 標(biāo)簽:MOSFET 3203 0
基于p型V-WSe2和n型MoS2的可編程FET的異質(zhì)集成
CMOS技術(shù)是無數(shù)現(xiàn)代電子產(chǎn)品、儀器和計算工具的大腦。60多年來,CMOS技術(shù)在性能、能效和單位功能成本方面持續(xù)增長,這得益于遵循摩爾定律的硅基MOSF...
為什么說IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件?它們有何區(qū)別和聯(lián)系?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極性三極管)和MOSFET(絕緣柵型場...
為什么要學(xué)數(shù)電?毫不夸張地說,數(shù)電帶來了信息化時代。大家身邊所有的電器,里面都會有一塊或多塊電路板,上面基本都會有若干個芯片,芯片內(nèi)部里面跑的全是數(shù)字信...
2024-01-26 標(biāo)簽:MOSFET場效應(yīng)管電路板 3183 0
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