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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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前言:不對(duì)稱諧振半橋反激變換器(AHB)應(yīng)用在隔離型的直流轉(zhuǎn)直流領(lǐng)域,通過占空比調(diào)整半橋開關(guān)的高端開關(guān)的占空比實(shí)現(xiàn)對(duì)輸出電壓的控制,通過使用占空比調(diào)節(jié)方...
LLC電路的ZVS零電壓開通十分重要,如果能夠保證ZVS,則無(wú)論是開關(guān)管的損耗,還是開關(guān)管的DS電壓應(yīng)力,都能夠得到比較好的效果。全球30A的開發(fā)過程證...
2023-03-20 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路ZVS 4650 0
通過調(diào)節(jié)頻率使PFC電感電流在每個(gè)高頻周期過零,以實(shí)現(xiàn)PFC二極管的零電流關(guān)斷,消除反向恢復(fù)損耗。PFC二極管電流過零后,PFC電感與MOSFET寄生電...
隨著能夠取代白熾燈泡的大功率LED的出現(xiàn),產(chǎn)生了對(duì)將LED與可用電源(電池、汽車電氣系統(tǒng)等)有效匹配的電路的需求。電路還應(yīng)該能夠調(diào)節(jié)和控制LED光輸出,...
淺談MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵細(xì)節(jié)
該電容器的用途是吸收柵電流(Cgd·dVDS/dt),以便降低柵極電阻器產(chǎn)生的柵極電壓,從而降低自開通電壓。
MOSFET等開關(guān)器件可能會(huì)受各種因素影響而失效。因此,不僅要準(zhǔn)確了解產(chǎn)品的額定值和工作條件,還要全面考慮電路工作中的各種導(dǎo)致失效的因素。本系列文章將介...
下面圖 1 中的第一個(gè)設(shè)計(jì)描述了一個(gè)基本的、真正的互補(bǔ) 10 W MOSFET 放大器的電路設(shè)計(jì)。這是一種眾所周知的配置,其中公共發(fā)射極輸入級(jí)(Tr1)...
2023-03-19 標(biāo)簽:放大器MOSFET電路設(shè)計(jì) 2577 0
什么是IGBT?IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)拆解
IGBT (絕緣柵雙極晶體管)作為一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)節(jié)能、電動(dòng)汽車和新能源裝備等領(lǐng)域。
簡(jiǎn)單的PSPICE模型可預(yù)測(cè)MAX8546的穩(wěn)定性和瞬態(tài)響應(yīng)
MAX8546為低成本、寬輸入電壓范圍、降壓型控制器,具有折返電流限制。其 300kHz 開關(guān)頻率非常適合與低成本外部元件(如鐵粉電感器和鋁電解電容器)...
高效化和小型化,一直都是功率電源發(fā)展的兩個(gè)方向。同步BUCK在這兩個(gè)方面的卓越表現(xiàn),也是在越來(lái)越多的場(chǎng)合得到了運(yùn)用,像鋰電池充電、二次磚塊電源等等。如圖...
幻象電源通常是一個(gè)在XLR電纜的引腳2和3上運(yùn)行的一個(gè)正電壓(通常是從12V到48V),用于給電容式麥克風(fēng)進(jìn)行供電。使用“幻象”來(lái)描述這一特殊應(yīng)用場(chǎng)景的...
2023-03-17 標(biāo)簽:電源MOSFET驅(qū)動(dòng)器 9022 0
同步整流MOSFET發(fā)燙,首先要從控制MOSFET的信號(hào)去分析,主要看信號(hào)是否合理,還有是在DCM 還是在CCM發(fā)燙?
半導(dǎo)體功率器件技術(shù)的整體演進(jìn)情況
從發(fā)展歷程來(lái)看,20世紀(jì)50年代,功率二極管、功率三極管面世并應(yīng)用于工業(yè)和電力系統(tǒng);20世紀(jì)60至70年代,晶閘管等半導(dǎo)體功率器件快速發(fā)展
采用全陶瓷電容器的1.8V/600mA降壓型穩(wěn)壓器
LTC3406、LTC3406-1.5、LTC3406-1.8、LTC3406B、LTC3406B1.5 和 LTC3406B-1.8 是業(yè)界首款單片式...
強(qiáng)魯棒性低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)指南
????? 在開關(guān)電源的組成中,柵極驅(qū)動(dòng)器作為連接控制級(jí)與功率級(jí)的橋梁,對(duì)系統(tǒng)的正常運(yùn)行至關(guān)重要。在新能源汽車市場(chǎng),尤其是關(guān)乎人身安全的車載充電器應(yīng)用中...
2023-03-16 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器開關(guān)電源 2072 0
隨著越來(lái)越多的手機(jī)制造商不在新手機(jī)中隨附充電器,人們對(duì)快速充電和多功能充電器的需求正在快速增長(zhǎng)。該 100W 功率輸出 (PD) 適配器是一項(xiàng)多功能 P...
目前主流的實(shí)現(xiàn)方式是使用絕緣體上硅(Silicon on Insulator)技術(shù)。使用等離子體浸沒注入或者晶圓鍵合技術(shù)制造SOI Wafer,在硅下面...
線性穩(wěn)壓器采用受高增益差分放大器控制的有源(BJT或MOSFET)通流器件(串聯(lián)或并聯(lián))。它將輸出電壓與精密基準(zhǔn)電壓源相比較,并對(duì)通流器件進(jìn)行調(diào)整以維持...
2023-03-16 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)穩(wěn)壓器差分放大器 620 0
基于他對(duì)理解半導(dǎo)體物理學(xué)的理論貢獻(xiàn)和他發(fā)明的結(jié)型晶體管,肖克利與巴Bardeen 和 Brattain一起接受了 1956 年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng),以表彰“半...
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