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mosfet

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簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性

提高4H-SiC肖特基二極管和MOSFET的雪崩耐受性

SiC器件的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將在未來(lái)幾年加速增長(zhǎng),主要推動(dòng)因素是運(yùn)輸行業(yè)的電氣化。SiC管芯將成為車載充電器和動(dòng)力傳動(dòng)牽引系統(tǒng)等應(yīng)用的模塊中的基本構(gòu)件。

2020-08-17 標(biāo)簽:MOSFET肖特基二極管碳化硅 2092 0

過壓/欠壓保護(hù)電路操作的分析

LED 照明的設(shè)計(jì)人員已經(jīng)很快熟悉了各類適用的安全標(biāo)準(zhǔn),如針對(duì)美國(guó)通用 LED 燈的 IEC 62560、針對(duì) LED 陣列和模塊的 IEC 62031...

2022-12-14 標(biāo)簽:ledMOSFET欠壓保護(hù)電路 2091 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)MOSFET

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)MOSFET

MOSFET,全稱為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,...

2024-02-21 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶體管 2091 0

場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)如何選型呢?

場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)如何選型呢?

場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)也叫場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種單極型的電壓控制器件

2023-10-08 標(biāo)簽:放大器MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 2090 0

50W MOSFET放大器電路圖講解

50W MOSFET放大器電路圖講解

50瓦M(jìn)osfet放大器的第一級(jí)是基于晶體管Q1和Q2的差分放大器。電容器 C8 是直流輸入去耦,C1 R1 限制輸入電流,并且電容器旁路不需要的高頻。...

2023-08-11 標(biāo)簽:電容器電路圖MOSFET 2089 0

應(yīng)用于太陽(yáng)能存儲(chǔ)系統(tǒng)的完整解決方案

應(yīng)用于太陽(yáng)能存儲(chǔ)系統(tǒng)的完整解決方案

電源是所有電子產(chǎn)品的基礎(chǔ),為了滿足不同應(yīng)用在功率、交直流轉(zhuǎn)換上的各種要求,便需要各式各樣的功率元器件、模塊,來(lái)提供合適、安全的電源,使系統(tǒng)能夠穩(wěn)定運(yùn)作。...

2023-09-20 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器太陽(yáng)能 2088 0

保護(hù)和供電汽車電子系統(tǒng),無(wú)開關(guān)噪聲效率高達(dá)99.9%

保護(hù)和供電汽車電子系統(tǒng),無(wú)開關(guān)噪聲效率高達(dá)99.9%

面對(duì)拋負(fù)載的一種解決方案是增加一個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)二極管,以本地箝位ECU電源。更緊湊、更嚴(yán)格的容差方法是使用有源浪涌抑制器,例如 LTC436...

2022-12-20 標(biāo)簽:MOSFET穩(wěn)壓器汽車電子 2086 0

電動(dòng)汽車OBC分類及其大功率PFC技術(shù)分析

電動(dòng)汽車OBC分類及其大功率PFC技術(shù)分析

高功率密度 → 更緊湊的設(shè)計(jì)CoolMOS CFD7A在硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)渲校绕涫禽p負(fù)荷條件下具有較大改進(jìn),令效率更上一層樓。與之前幾代產(chǎn)品相比,其...

2023-09-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET功率半導(dǎo)體 2085 0

MOSFET選型原則,mosfet選型要考慮哪些因素

MOSFET是電路中非常常見的元件,常用于信號(hào)開關(guān)、功率開關(guān)、電平轉(zhuǎn)換等各種用途。由于MOSFET的型號(hào)眾多,應(yīng)用面廣,本文將詳細(xì)介紹MOSFET選型原...

2023-07-20 標(biāo)簽:MOSFETMOSFET管 2080 0

為電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供動(dòng)力的功率MOSFET

為電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供動(dòng)力的功率MOSFET

功率 MOSFET 是最常見的功率半導(dǎo)體,主要原因是因?yàn)槠鋿艠O驅(qū)動(dòng)需要的功率小、以及快速的切換速度,使其成為電機(jī)驅(qū)動(dòng)時(shí)最常用的功率半導(dǎo)體。本文將為您簡(jiǎn)介...

2022-09-27 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 2068 0

無(wú)刷直流電機(jī)的梯形控制

梯形控制是無(wú)刷直流(以下簡(jiǎn)稱“BLDC”)電機(jī)最簡(jiǎn)單的控制方法之一,它施加方波電流,使電機(jī)相位與BLDC電機(jī)的梯形反電動(dòng)勢(shì)波形對(duì)齊,以獲得最佳轉(zhuǎn)矩。BL...

2022-11-01 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)控制BLDC 2067 0

三相電壓源逆變器中SiC MOSFET的結(jié)溫估算

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功率 MOSFET 中的SiC(碳化硅)與其對(duì)應(yīng)物相比具有一系列優(yōu)勢(shì),例如更高的導(dǎo)電性、更低的開關(guān)速度和更低的傳導(dǎo)損。

2022-08-05 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體逆變器 2062 0

安森美創(chuàng)新的ATPAK封裝汽車功率MOSFET

安森美半導(dǎo)體創(chuàng)新的ATPAK封裝不僅可使功率MOSFET外形更纖薄,其采用的夾焊技術(shù)更可實(shí)現(xiàn)達(dá)100 A的電流處理能力,極佳的散熱性確保安全性和更高可靠...

2016-08-08 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體 2061 0

IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)(1)

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我們常說IGBT是由BJT(雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)所構(gòu)成

2023-11-28 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 2058 0

兩種過壓保護(hù)方法的基準(zhǔn)比較:MOSFET與可控硅整流器

兩種過壓保護(hù)方法的基準(zhǔn)比較:MOSFET與可控硅整流器

由于電子子系統(tǒng)在整個(gè)產(chǎn)品的可靠和安全運(yùn)行中起著重要作用,因此建議在DC/DC降壓穩(wěn)壓器周圍增加一個(gè)過壓保護(hù)電路,以防止損壞最新的數(shù)字邏輯處理器,因?yàn)樗鼈?..

2023-04-15 標(biāo)簽:MOSFET整流器穩(wěn)壓器 2057 0

MOSFET功率放大器電路原理圖

MOSFET功率放大器電路原理圖

這是Mosfet功率放大器5200W RMS的電路設(shè)計(jì),原理圖是單通道的。該電路使用 16x IRFP250 在 2 歐姆負(fù)載下獲得 5200W RMS...

2023-07-31 標(biāo)簽:原理圖MOSFET功率放大器 2057 0

MOSFET三種最常見極性反接保護(hù)技術(shù)

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【導(dǎo)讀】當(dāng)車輛電池因損壞而需要更換時(shí),新電池極性接反的可能性很高。車輛中的許多電子控制單元 (ECU) 都連接到車輛電池,因而此類事件可能會(huì)導(dǎo)致大量 E...

2023-05-06 標(biāo)簽:二極管MOSFETecu 2056 0

EDA探索之控制閾值電壓

精確控制集成電路中MOSFET的閾值電壓對(duì)電路的可靠性至關(guān)重要。通常情況下,閾值電壓是通過向溝道區(qū)的離子注入來(lái)調(diào)整的。

2023-02-09 標(biāo)簽:MOSFETeda晶體管 2055 0

一文理解IGBT的發(fā)展歷程

在當(dāng)代高科技領(lǐng)域中,絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)無(wú)疑是一顆耀眼的明星,其在電力控制、能源轉(zhuǎn)換和工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域的不可替代地位,讓人們對(duì)其發(fā)展歷史產(chǎn)生濃厚...

2023-09-05 標(biāo)簽:MOSFETIGBT晶體管 2055 1

安建半導(dǎo)體推出針對(duì)大電流高功率應(yīng)用的SGT MOSFET器件

近年來(lái),工業(yè)及消費(fèi)市場(chǎng)對(duì)于系統(tǒng)的要求不斷提高,為達(dá)到更優(yōu)秀的效率、可靠性及熱性能,MOSFET作為功率核心部件擔(dān)當(dāng)著非常重要的角色。

2024-05-06 標(biāo)簽:MOSFET寄生電感柵極驅(qū)動(dòng)器 2055 0

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  • TMS320F28335
    TMS320F28335
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  • ESP8266
    ESP8266
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    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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