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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱尚包括NMOS、PMOS等。
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SiC器件的市場(chǎng)份額預(yù)計(jì)將在未來(lái)幾年加速增長(zhǎng),主要推動(dòng)因素是運(yùn)輸行業(yè)的電氣化。SiC管芯將成為車載充電器和動(dòng)力傳動(dòng)牽引系統(tǒng)等應(yīng)用的模塊中的基本構(gòu)件。
LED 照明的設(shè)計(jì)人員已經(jīng)很快熟悉了各類適用的安全標(biāo)準(zhǔn),如針對(duì)美國(guó)通用 LED 燈的 IEC 62560、針對(duì) LED 陣列和模塊的 IEC 62031...
2022-12-14 標(biāo)簽:ledMOSFET欠壓保護(hù)電路 2091 0
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)如何選型呢?
場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)也叫場(chǎng)效應(yīng)晶體管,是一種單極型的電壓控制器件
2023-10-08 標(biāo)簽:放大器MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管 2090 0
應(yīng)用于太陽(yáng)能存儲(chǔ)系統(tǒng)的完整解決方案
電源是所有電子產(chǎn)品的基礎(chǔ),為了滿足不同應(yīng)用在功率、交直流轉(zhuǎn)換上的各種要求,便需要各式各樣的功率元器件、模塊,來(lái)提供合適、安全的電源,使系統(tǒng)能夠穩(wěn)定運(yùn)作。...
2023-09-20 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器太陽(yáng)能 2088 0
保護(hù)和供電汽車電子系統(tǒng),無(wú)開關(guān)噪聲效率高達(dá)99.9%
面對(duì)拋負(fù)載的一種解決方案是增加一個(gè)瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)二極管,以本地箝位ECU電源。更緊湊、更嚴(yán)格的容差方法是使用有源浪涌抑制器,例如 LTC436...
電動(dòng)汽車OBC分類及其大功率PFC技術(shù)分析
高功率密度 → 更緊湊的設(shè)計(jì)CoolMOS CFD7A在硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)渲校绕涫禽p負(fù)荷條件下具有較大改進(jìn),令效率更上一層樓。與之前幾代產(chǎn)品相比,其...
2023-09-12 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFET功率半導(dǎo)體 2085 0
MOSFET是電路中非常常見的元件,常用于信號(hào)開關(guān)、功率開關(guān)、電平轉(zhuǎn)換等各種用途。由于MOSFET的型號(hào)眾多,應(yīng)用面廣,本文將詳細(xì)介紹MOSFET選型原...
為電機(jī)驅(qū)動(dòng)提供動(dòng)力的功率MOSFET
功率 MOSFET 是最常見的功率半導(dǎo)體,主要原因是因?yàn)槠鋿艠O驅(qū)動(dòng)需要的功率小、以及快速的切換速度,使其成為電機(jī)驅(qū)動(dòng)時(shí)最常用的功率半導(dǎo)體。本文將為您簡(jiǎn)介...
2022-09-27 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT 2068 0
梯形控制是無(wú)刷直流(以下簡(jiǎn)稱“BLDC”)電機(jī)最簡(jiǎn)單的控制方法之一,它施加方波電流,使電機(jī)相位與BLDC電機(jī)的梯形反電動(dòng)勢(shì)波形對(duì)齊,以獲得最佳轉(zhuǎn)矩。BL...
安森美創(chuàng)新的ATPAK封裝汽車功率MOSFET
安森美半導(dǎo)體創(chuàng)新的ATPAK封裝不僅可使功率MOSFET外形更纖薄,其采用的夾焊技術(shù)更可實(shí)現(xiàn)達(dá)100 A的電流處理能力,極佳的散熱性確保安全性和更高可靠...
2016-08-08 標(biāo)簽:MOSFET安森美半導(dǎo)體 2061 0
IGBT中的若干PN結(jié)—PNP結(jié)構(gòu)(1)
我們常說IGBT是由BJT(雙極型晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)所構(gòu)成
2023-11-28 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管IGBT 2058 0
兩種過壓保護(hù)方法的基準(zhǔn)比較:MOSFET與可控硅整流器
由于電子子系統(tǒng)在整個(gè)產(chǎn)品的可靠和安全運(yùn)行中起著重要作用,因此建議在DC/DC降壓穩(wěn)壓器周圍增加一個(gè)過壓保護(hù)電路,以防止損壞最新的數(shù)字邏輯處理器,因?yàn)樗鼈?..
【導(dǎo)讀】當(dāng)車輛電池因損壞而需要更換時(shí),新電池極性接反的可能性很高。車輛中的許多電子控制單元 (ECU) 都連接到車輛電池,因而此類事件可能會(huì)導(dǎo)致大量 E...
精確控制集成電路中MOSFET的閾值電壓對(duì)電路的可靠性至關(guān)重要。通常情況下,閾值電壓是通過向溝道區(qū)的離子注入來(lái)調(diào)整的。
在當(dāng)代高科技領(lǐng)域中,絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)無(wú)疑是一顆耀眼的明星,其在電力控制、能源轉(zhuǎn)換和工業(yè)應(yīng)用等領(lǐng)域的不可替代地位,讓人們對(duì)其發(fā)展歷史產(chǎn)生濃厚...
安建半導(dǎo)體推出針對(duì)大電流高功率應(yīng)用的SGT MOSFET器件
近年來(lái),工業(yè)及消費(fèi)市場(chǎng)對(duì)于系統(tǒng)的要求不斷提高,為達(dá)到更優(yōu)秀的效率、可靠性及熱性能,MOSFET作為功率核心部件擔(dān)當(dāng)著非常重要的角色。
2024-05-06 標(biāo)簽:MOSFET寄生電感柵極驅(qū)動(dòng)器 2055 0
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