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標(biāo)簽 > mosfet
簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。
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正確使用SiC MOSFET的出色驅(qū)動(dòng)器
本文描述了使用 SiC MOSFET 的一般接線圖,并解釋了如何將其整合到仿真中。
2022-08-04 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器SiC 1893 0
碳化硅推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)快速充電器的成本和性能優(yōu)勢(shì)
使用MOSFET和IGBT的AC/DC轉(zhuǎn)換器有幾種常見(jiàn)的硅(Si)實(shí)現(xiàn)。硅MOSFET的問(wèn)題在于,阻斷電壓不可能超過(guò)650 V,同時(shí)保持芯片尺寸小并獲得...
2023-05-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)轉(zhuǎn)換器MOSFET 1891 0
使用高壓電子設(shè)計(jì)?這些規(guī)范知識(shí)你應(yīng)該知道的
對(duì)于將設(shè)計(jì)時(shí)間花在個(gè)位數(shù)、低壓世界的工程師來(lái)說(shuō),“高壓”一詞可能會(huì)讓人聯(lián)想到兩位數(shù)的電壓,可能高達(dá) 24V 或 48V DC,甚至是三位數(shù)的電壓域120...
CCPAK:銅夾片技術(shù)進(jìn)入高壓應(yīng)用
一段時(shí)間以來(lái),高壓應(yīng)用的要求迫使設(shè)計(jì)師不得不依賴(lài)傳統(tǒng)功率封裝,例如TO-220 / TO-247和D2PAK-7。然而,隨著開(kāi)關(guān)頻率越來(lái)越高,這些傳統(tǒng)封...
在電子工程領(lǐng)域,功率器件和集成電路是兩個(gè)重要的分支,它們各自在特定的應(yīng)用場(chǎng)景中發(fā)揮著重要的作用。關(guān)于兩者間的定義常會(huì)引起混淆,接下來(lái)就讓小編來(lái)帶您梳理一...
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)...
2023-06-20 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體 1889 0
關(guān)于BiMOSFET直流電性能及其開(kāi)關(guān)應(yīng)用
在本應(yīng)用筆記中,我們將討論為高壓和高頻應(yīng)用開(kāi)發(fā)的BiMOSFET。我們還將討論其直流電性能及其開(kāi)關(guān)應(yīng)用。 在IXBH40N160中,IXYS通過(guò)引入集電...
2021-05-20 標(biāo)簽:MOSFET 1888 0
納芯微全新推出光耦兼容的智能隔離單管驅(qū)動(dòng)器NSi68515
納芯微單通道智能隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器NSi68515,專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)高達(dá)2121V直流母線電壓下的SiC MOSFET,IGBT而設(shè)計(jì)
2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1887 0
基于他對(duì)理解半導(dǎo)體物理學(xué)的理論貢獻(xiàn)和他發(fā)明的結(jié)型晶體管,肖克利與巴Bardeen 和 Brattain一起接受了 1956 年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng),以表彰“半...
- 您已經(jīng)介紹過(guò)BM2Pxxx系列對(duì)高效率、低功耗、低待機(jī)功耗、小型這4個(gè)課題的貢獻(xiàn),多次提到“因?yàn)閮?nèi)置超級(jí)結(jié)MOSFET,......”。接下來(lái)請(qǐng)您介...
2023-02-17 標(biāo)簽:電阻轉(zhuǎn)換器MOSFET 1884 0
如何有效地比較CMOS開(kāi)關(guān)與固態(tài)繼電器的性能
源極和漏極之間的關(guān)斷電容,CDS(關(guān)閉),是衡量關(guān)斷開(kāi)關(guān)阻止源極信號(hào)耦合到漏極的能力的指標(biāo)。它是固態(tài)繼電器(也稱(chēng)為 PhotoMOS、OptoMOS、光...
用于車(chē)載充電器應(yīng)用的1200V SiC MOSFET模塊使用指南
隨著電動(dòng)汽車(chē)的車(chē)載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開(kāi)關(guān)頻率發(fā)展,對(duì) SiC MOSFET 的需求也在增長(zhǎng)。許多高壓分立 SiC MOSFET 已...
在電子工程中,柵極電阻的取值對(duì)于MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的性能和穩(wěn)定性至關(guān)重要。雖然100歐姆是一個(gè)常見(jiàn)的取值,但這個(gè)選擇并非隨意,...
SiC(碳化硅)是由硅和碳化物組成的化合物半導(dǎo)體。與硅相比,SiC具有許多優(yōu)勢(shì),包括10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度,3倍的帶隙,以及實(shí)現(xiàn)器件結(jié)構(gòu)所需的更廣泛的p型...
ARK(方舟微)DMZ6005E在PD快充方案中的應(yīng)用說(shuō)明
待機(jī)零功耗是未來(lái)電源管理方案的發(fā)展趨勢(shì),各大PD快充方案均有待機(jī)低功耗解決方案,但選擇DMZ6005E(ARK(方舟微)DMMOS ?系列產(chǎn)品之一,耗盡...
TOLL封裝MOS管的特點(diǎn)和使用注意事項(xiàng)
TOLL封裝是一種具有小體積、低封裝電阻和低寄生電感的封裝形式,常用于MOSFET。
創(chuàng)維65W81系列OLED自發(fā)光壁紙電視機(jī)拆解
近日,充電頭網(wǎng)拿到搭載亞成微超結(jié)MOSFET的創(chuàng)維65W81系列OLED自發(fā)光壁紙電視機(jī),并對(duì)其主機(jī)進(jìn)行了拆解。
公共阻抗耦合: 當(dāng)兩個(gè)電路的地電流流過(guò)一個(gè)公共阻抗時(shí) ,就會(huì)發(fā)生公共阻抗耦合 。由于地線是信號(hào)回流線 ,一個(gè)電路的工作 狀態(tài)必然會(huì)影響地線電壓 , 當(dāng)兩...
2024-03-13 標(biāo)簽:MOSFET電磁兼容開(kāi)關(guān)電源 1864 0
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