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mosfet

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簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類(lèi)型,通常又稱(chēng)為NMOSFET與PMOSFET,其他簡(jiǎn)稱(chēng)尚包括NMOS、PMOS等。

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mosfet技術(shù)

正確使用SiC MOSFET的出色驅(qū)動(dòng)器

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本文描述了使用 SiC MOSFET 的一般接線圖,并解釋了如何將其整合到仿真中。

2022-08-04 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器SiC 1893 0

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使用MOSFET和IGBT的AC/DC轉(zhuǎn)換器有幾種常見(jiàn)的硅(Si)實(shí)現(xiàn)。硅MOSFET的問(wèn)題在于,阻斷電壓不可能超過(guò)650 V,同時(shí)保持芯片尺寸小并獲得...

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2023-03-28 標(biāo)簽:MOSFET連接器IGBT 1891 0

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一段時(shí)間以來(lái),高壓應(yīng)用的要求迫使設(shè)計(jì)師不得不依賴(lài)傳統(tǒng)功率封裝,例如TO-220 / TO-247和D2PAK-7。然而,隨著開(kāi)關(guān)頻率越來(lái)越高,這些傳統(tǒng)封...

2023-02-09 標(biāo)簽:電源MOSFET散熱器 1890 0

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2023-12-29 標(biāo)簽:集成電路二極管MOSFET 1889 0

MOSFET基本概述和分類(lèi)

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2023-06-20 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體 1889 0

關(guān)于BiMOSFET直流電性能及其開(kāi)關(guān)應(yīng)用

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在本應(yīng)用筆記中,我們將討論為高壓和高頻應(yīng)用開(kāi)發(fā)的BiMOSFET。我們還將討論其直流電性能及其開(kāi)關(guān)應(yīng)用。 在IXBH40N160中,IXYS通過(guò)引入集電...

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納芯微全新推出光耦兼容的智能隔離單管驅(qū)動(dòng)器NSi68515

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2023-02-23 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器IGBT 1887 0

晶體管的誕生史

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2023-02-17 標(biāo)簽:電阻轉(zhuǎn)換器MOSFET 1884 0

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源極和漏極之間的關(guān)斷電容,CDS(關(guān)閉),是衡量關(guān)斷開(kāi)關(guān)阻止源極信號(hào)耦合到漏極的能力的指標(biāo)。它是固態(tài)繼電器(也稱(chēng)為 PhotoMOS、OptoMOS、光...

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為什么柵極電阻要取100歐姆

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先看一下這個(gè)電路:USB外接電源與鋰電池自動(dòng)切換電路設(shè)計(jì)

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待機(jī)零功耗是未來(lái)電源管理方案的發(fā)展趨勢(shì),各大PD快充方案均有待機(jī)低功耗解決方案,但選擇DMZ6005E(ARK(方舟微)DMMOS ?系列產(chǎn)品之一,耗盡...

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隔離式DC/DC變換器的電磁干擾源機(jī)理

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公共阻抗耦合: 當(dāng)兩個(gè)電路的地電流流過(guò)一個(gè)公共阻抗時(shí) ,就會(huì)發(fā)生公共阻抗耦合 。由于地線是信號(hào)回流線 ,一個(gè)電路的工作 狀態(tài)必然會(huì)影響地線電壓 , 當(dāng)兩...

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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
  • ESP8266
    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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