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簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。
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近日,2025粵港澳大灣區車展在深圳國際會展中心(寶安)隆重開幕,在同期舉辦的2025未來汽車先行者大會上,基本半導體正式成為深圳全球新能源汽車高端零部...
IGBT的工作原理/性能優勢/應用領域/技術趨勢/測試與選型要點——你知道多少?
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是一種復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,融合了 MOSFET 的高輸入阻抗和 BJT(雙極型晶體管)的低導通壓降優勢,在...
新品 | 采用高性能DCB的Easy B系列CoolSiC? 2kV SiC MOSFET模塊
新品采用高性能DCB的EasyB系列CoolSiC2kVSiCMOSFET模塊英飛凌EasyDUAL和EasyPACK2B2kV、6mΩ半橋和三電平模塊...
數明半導體推出全新600V/4A半橋門極驅動SiLM228x系列
在工業電機控制、新能源逆變以及開關電源等高壓高功率應用中,傳統門極驅動方案長期面臨三大技術瓶頸:在高壓環境下,抗干擾能力薄弱易引發誤觸發;驅動效率低下導...
安森美PowerTrench MOSFET助力光伏逆變器設計
隨著全球對可再生能源需求的快速增長,光伏系統的效率與可靠性成為行業關注的焦點。安森美(onsemi)提供多種MOSFET方案,助力光伏逆變器廠商實現更高...
破局時刻:大陸首款55A/-200V/50mΩ高壓MOSFET問世-VBP2205N
大陸首款55A/-200V/50mΩ高壓MOSFET問世——國產功率半導體的200V高壓革命為國產替代進程注入了強勁動力! 微碧半導體(VBsemi)正...
2025-05-29 標簽:MOSFET 150 0
新品 | 采用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET
新品采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飛凌采用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC1200VSiCMOS...
合科泰為您講解如何基于MOSFET的工作電壓與電流特性進行選型,確認最大工作電壓、耐久等級、評估瞬態電壓風險;計算負載電流、選定額定電流與散熱設計、關注...
新品 | 采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC? 1200V G2 SiC MOSFET半橋產品
新品采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半橋產品英飛凌采用頂部散熱QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOS...
近日,某全球知名基礎設施解決方案服務商專家團隊一行蒞臨我司參觀交流。此次到訪聚焦于關鍵電源保障、智能制造等方向,雙方圍繞行業發展趨勢、產品應用落地及合作...
Nexperia MLPAK33封裝60V MOSFET助力優化電源開關性能
在挑選MOSFET時,大多數工程師首先關注的一個參數便是RDS(on)值。然而,面對消費電子、計算、移動設備乃至工業子系統的大批量需求,設計工程師對產品...
一款功率輸出模塊由N型功率MOSFET組成H橋電路驅動芯片-SS6952T
電機驅動芯片 - SS6952T為電機一體化應用提供一種大電流單通道集成電機驅動方案。SS6952T有一路H橋驅動,可提供較大峰值電流7A,可驅動一個刷...
此前,2025年5月14日至15日,第十二屆汽車電子創新大會(AEIF 2025)在上海盛大舉行,這場盛會聚焦汽車電子產業的前沿技術與發展趨勢,匯聚了眾...
為何必須通過TDDB(時間相關介質擊穿)方法檢驗國產SiC MOSFET的柵氧可靠性水平
在充電樁、車載充電機(OBC)、汽車空調、光伏逆變器及逆變焊機等應用中,部分國產碳化硅(SiC)MOSFET因柵氧可靠性問題頻繁爆雷,其根源在于柵氧化層...
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