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      標簽　>　mosfet

      mosfet

      mosfet

      +關(guān)注148人關(guān)注

      簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作載流子）的極性不同，可分為“N型”與“P型” 的兩種類型，通常又稱為NMOSFET與PMOSFET，其他簡稱尚包括NMOS、PMOS等。

      文章：5418個 瀏覽：218544次 帖子：1132個

      mosfet資訊

      低壓超級接面結(jié)構(gòu)優(yōu)化MOSFET性能

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      采用超級接面結(jié)構(gòu)設(shè)計不僅可克服現(xiàn)有功率MOSFET結(jié)構(gòu)的缺點，亦能達到低RDS(on)、低QG和低QGD等特性

      2011-12-08 標簽：MOSFET 2045 0

      為同步整流選擇最優(yōu)化的MOSFET

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      本應(yīng)用筆記介紹了通過利用英飛凌OptiMOS?3解決方案的優(yōu)化表幫助選擇最佳MOSFET的方法。

      2011-12-06 標簽：MOSFET同步整流 8556 0

      Diodes推出微型12V P通道強化型MOSFET—DMP1245UFCL

      Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計要求...

      2011-11-29 標簽：MOSFETDiodesDMP1245UFCL 897 0

      羅姆半導(dǎo)體將推出SCH2090ke型漏源極電壓可達1200V的MOSFET

      SCH2090ke是?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET。耐高壓、低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)、實現(xiàn)整機的小型化和節(jié)能化。

      2011-11-20 標簽：MOSFETSCH2090ke 1478 0

      羅姆半導(dǎo)體sch2200ax及?SiC(碳化硅)的Planer型MOSFET

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      2011-11-20 標簽：MOSFET羅姆半導(dǎo)體 1588 0

      三菱電機上市漏極效率達70%的MOSFET新品RD01MUS2B

      三菱電機將上市輸出功率為1W的7.2V MOSFET新產(chǎn)品RD01MUS2B，適用于商用無線傳呼機及特定小功率無線傳呼機用功率放大器。新產(chǎn)品將于2011...

      2011-11-10 標簽：MOSFET三菱電機漏極 3018 0

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      冗余電源是高可用系統(tǒng)中關(guān)鍵的部分。在最簡單的解決方案中，兩只電源可以利用二極管來通過或門輸出以驅(qū)動負載。這樣，這兩只電源既可以共同工作，也可以一只工作，...

      2011-11-04 標簽：MOSFET冗余電源 2009 0

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      日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝...

      2011-10-21 標簽：MOSFETVishaySi8802DB 984 0

      MOSFET柵漏電流噪聲分析

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      CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢，導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。柵氧化層越薄，柵漏電流越大，工藝偏差也越大。柵漏 電流噪聲 一方面影...

      2011-10-19 標簽：電流MOSFET噪聲 3790 0

      基于IC的熱插拔保護電路應(yīng)用

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      電路上電或熱插拔時會產(chǎn)生很大啟動電流和電壓波動，這些現(xiàn)象將影響設(shè)備的正常工作，甚至導(dǎo)致整個系統(tǒng)的損害。傳統(tǒng)采用分立元件的保護電路具有可靠性低、維護成本高...

      2011-10-14 標簽：MOSFETIC熱插拔 6118 0

      Vishay發(fā)布新款E系列MOSFET器件

      日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET-...

      2011-10-13 標簽：MOSFETVishay導(dǎo)通電阻 1448 0

      羅姆展出溝道型SiC制SBD和MOSFET

      羅姆展出了采用溝道構(gòu)造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點在于，與普通SiC制SBD相比二極管導(dǎo)通電壓(以下稱導(dǎo)通電壓...

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      雙柵極SET與MOSFET的混合特性

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      國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準導(dǎo)通電阻 (Rds...

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      MOSFET A類放大電路關(guān)鍵參數(shù)：C1=1μF、35V，C2=470μF、35V，C3=0.1μF、35V，R1=4.7KΩ，R2=100KΩ，R3=...

      2011-08-18 標簽：MOSFET放大電路A類放大電路 4546 0

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      • STM32F103C8T6
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      • wifi模塊
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        +關(guān)注
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        加速度傳感器
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        SDK
        +關(guān)注
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      • TMS320F28335
        TMS320F28335
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        靜電防護
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      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
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