Vishay推出業(yè)內(nèi)最小N溝道和P溝道功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級(jí)封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET?功率MOSFET所用的MICRO FOOT?封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級(jí)器件最高可減少36%，而導(dǎo)通電阻則與之相當(dāng)甚至更低。
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Si8802DB和Si8805EDB可用于手持設(shè)備中的負(fù)載切換，包括智能手機(jī)、平板電腦、便攜式媒體播放器和移動(dòng)計(jì)算設(shè)備。在這些應(yīng)用中，MOSFET的0.357mm超薄身材能夠節(jié)約寶貴的電路板空間，實(shí)現(xiàn)更小、更薄的移動(dòng)產(chǎn)品。
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今天發(fā)布的器件在1.5V下具有低導(dǎo)通電阻，而且在柵極驅(qū)動(dòng)僅有1.2V的情況下也能導(dǎo)通。這樣MOSFET能夠使用手持設(shè)備中常見的低壓電源軌，省卻額外的電阻和用于P溝道負(fù)載切換的電壓源，從而簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，并能在N溝道負(fù)載切換中使兩次充電之間的電池工作時(shí)間更長(zhǎng)。

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N溝道Si8802DB在4.5V、2.5V、1.8V、1.5V和1.2V下的導(dǎo)通電阻為54m?、60m?、68m?、86m?和135m?。器件封裝的外形尺寸比僅次于它的最小器件小36%，在1.8V和1.5V下的導(dǎo)通電阻分別低5.5%和7.5%。
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P溝道Si8805EDB在4.5V、2.5V、1.5V和1.2V下的導(dǎo)通電阻為68m?、88m?、155m?和290m?。Si8805EDB所占的電路板空間比僅次于它的最小P溝道器件少29%，在4.5V、2.5V下的導(dǎo)通電阻分別低17%和8%。Si8802DB和Si8805EDB的更低導(dǎo)通電阻能夠?qū)⒇?fù)載切換過程中的電壓降最小化，防止出現(xiàn)有害的欠壓閉鎖。
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器件符合IEC 61249-2-21的無(wú)鹵素規(guī)定，及RoHS指令2002/95/EC。Si8805EDB的ESD保護(hù)為1500V。
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新款Si8802DB和Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

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MOSFET(209657) MOSFET(209657)
Vishay(115515) Vishay(115515)
Si8802DB(5040) Si8802DB(5040)
Si8805EDB(4878) Si8805EDB(4878)

評(píng)論

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2023-11-20 07:01:20

東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET適用于電池組保護(hù)

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。

2023-11-09 17:39:10

459

東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)

? 中國(guó)上海， 2023 年 11 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備

2023-11-09 15:19:57

663

Toshiba推出適用于USB設(shè)備和電池組保護(hù)的30V N溝道共漏MOSFET

?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護(hù)。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開始。

2023-11-08 16:22:22

319

四種類型的MOSFET的主要區(qū)別

型晶體管，它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)導(dǎo)電溝道類型和柵極驅(qū)動(dòng)電壓的不同，可以分為N溝道-增強(qiáng)型MOSFET、N溝道-耗盡型MOSFET、P溝道-增強(qiáng)型MOSFET、P溝道-耗盡型MOSFET四種類型。

2023-11-07 14:51:15

638

FDV303N N溝道MOSFET的功能特性

FDV303N是一款N溝道 MOSFET。這種器件通常用于開關(guān)和放大電路中，可以控制電流流動(dòng)并放大信號(hào)。

2023-11-03 14:56:23

293

功率MOSFET選型的幾點(diǎn)經(jīng)驗(yàn)分享

和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個(gè)大類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。

2023-10-25 10:42:27

493

Littelfuse推出800V N溝道耗盡型MOSFET CPC3981Z

Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。

2023-10-18 09:13:28

502

功率MOSFET結(jié)構(gòu)和參數(shù)解讀

眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開關(guān)速度優(yōu)異。可以說具有“理想開關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率

2023-10-18 09:11:42

621

BUK4D50-30P P溝道溝槽式MOSFET手冊(cè)

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2023-09-27 11:35:37

PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊(cè)

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2023-09-27 09:32:50

BUK6D16-30E N溝道溝槽式MOSFET手冊(cè)

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2023-09-26 15:43:17

PXN040-100QS N溝道標(biāo)準(zhǔn)電平溝槽式MOSFET手冊(cè)

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2023-09-26 11:45:14

PXN028-100QL N溝道、邏輯電平溝槽式MOSFET手冊(cè)

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2023-09-26 11:11:08

PXN012-100QS N溝道、標(biāo)準(zhǔn)電平溝槽式MOSFET手冊(cè)

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2023-09-26 11:05:31

PXN020-100QS N溝道、標(biāo)準(zhǔn)電平溝槽式MOSFET手冊(cè)

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PXN011-100QS N溝道、標(biāo)準(zhǔn)電平溝槽式MOSFET手冊(cè)

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2023-09-26 10:59:23

PXN012-100QL N溝道、邏輯電平溝槽式MOSFET手冊(cè)

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2023-09-26 10:57:38

PXN011-100QL N溝道、邏輯電平溝槽式MOSFET手冊(cè)

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2023-09-26 10:54:29

P溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET G040P04M規(guī)格書

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2023-09-19 17:29:11

采用LM3409P溝道MosFET設(shè)計(jì)的調(diào)光控制LED驅(qū)動(dòng)器電路

　該調(diào)光控制LED驅(qū)動(dòng)器電路采用LM3409P溝道MosFET控制器設(shè)計(jì)，用于降壓（降壓）電流調(diào)節(jié)器。

2023-09-16 17:19:00

328

500V N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET

SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，高性能適配器等。

2023-09-15 08:19:34

650V N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET

SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高性能適配器等。

2023-09-15 08:16:02

600V N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET

2023-09-15 06:19:23

場(chǎng)效應(yīng)管怎么區(qū)分n溝道p溝道

場(chǎng)效應(yīng)管怎么區(qū)分n溝道p溝道? 場(chǎng)效應(yīng)管是一種常見的半導(dǎo)體器件，可以用于電子器件中的信號(hào)放大、開關(guān)等應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)管有兩種類型：n溝道型（n-channel）和p溝道型（p-channel），它們

2023-09-02 10:05:17

6875

車規(guī)級(jí)N溝道功率MOSFET參數(shù)解析(2)

雪崩強(qiáng)度是MOSFET的一種特性。在MOSFET的漏極和源極之間施加超過VDSS的電壓，但是MOSFET的性能沒有被破壞。此時(shí)施加在其上的能量稱為雪崩能量[Avalanche energy]，流過的電流稱為雪崩電流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保證雪崩能力。

2023-08-31 10:18:24

501

功率MOSFET基本結(jié)構(gòu)：溝槽結(jié)構(gòu)介紹

垂直導(dǎo)電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng)，如果把水平的溝道變?yōu)榇怪?b class="flag-6" style="color: red">溝道，從側(cè)面控制溝道，就可以消除JFET效應(yīng)。

2023-08-28 10:10:39

2920

mos管p溝道n溝道的區(qū)別

mos管p溝道n溝道的區(qū)別 MOS管是一種主流的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，分為p溝道MOS管和n溝道MOS管兩種類型。這兩種MOS管的區(qū)別主要在于導(dǎo)電性質(zhì)、靜態(tài)特性、輸入電容、噪聲功率和門極結(jié)色散等方面

2023-08-25 15:11:25

8241

mosfet選型要考慮哪些因素？

2023-08-25 10:07:56

188

東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。

2023-08-24 11:19:10

600

東芝推出采用新型封裝的車載40V N溝道功率MOSFET，有助于汽車設(shè)備實(shí)現(xiàn)高散熱和小型化

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGLTM（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

2023-08-22 11:03:21

557

美浦森N溝道超級(jí)結(jié)MOSFET SLH60R028E7

SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大，難以滿足實(shí)際應(yīng)用需要

2023-08-18 08:32:56

513

安森德新推出ASDM100R090NKQ全橋MOSFET功率管

隨著現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效率的要求不斷提高,對(duì)電源管理芯片的技術(shù)也提出了更高要求。針對(duì)此趨勢(shì),安森德半導(dǎo)體公司推出了新一代異步整流MOSFET—ASDM100R090NKQ。這款100V N溝道功率MOSFET憑借其卓越的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù),將助您的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高功率密度和轉(zhuǎn)換效率。

2023-08-14 15:04:45

367

選擇強(qiáng)茂P溝道低壓MOSFET，簡(jiǎn)化您的車用電路設(shè)計(jì)

通過AEC-Q101認(rèn)證且可承受的接面溫度高達(dá)175°C，強(qiáng)茂P溝道MOSFET是汽車設(shè)計(jì)工程師理想的選擇，可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)化電路而又不犧牲性能。提供DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L和TO-252AA多種封裝。

2023-07-20 15:57:45

526

40V – 250A –N溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車

40V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應(yīng)用：汽車

2023-07-04 20:37:24

功率場(chǎng)效應(yīng)管有哪些類型？功率場(chǎng)效應(yīng)管的選擇標(biāo)準(zhǔn)

功率MOSFET的類型：按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。當(dāng)柵極電壓為零時(shí)，有導(dǎo)電通道和增強(qiáng)型。對(duì)于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零，功率MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)。

2023-07-04 16:50:23

881

東芝推出100V N溝道功率MOSFET，助力實(shí)現(xiàn)電源電路小型化

X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“

2023-07-03 14:48:14

477

深度剖析H橋應(yīng)用中的P溝道MOSFET

在H橋電路中實(shí)現(xiàn)P溝道MOSFET可能看起來既簡(jiǎn)單又誘人，但可能需要一些嚴(yán)格的計(jì)算和參數(shù)才能實(shí)現(xiàn)最佳響應(yīng)。

2023-06-29 15:28:02

957

基于N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)BPS電路的理想方法

在這個(gè)設(shè)計(jì)中，我們看到了使用N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)BPS電路的理想方法。

2023-06-27 17:29:31

599

超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET助力提高電源效率

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品線。

2023-06-16 09:03:30

228

HY1908D/U/V N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書

HY1908D/U/V N溝道增強(qiáng)型MOSFET規(guī)格書免費(fèi)下載。

2023-06-14 17:04:04

PTS4842 N溝道高功率MOSFET規(guī)格書

PTS4842 N溝道高功率MOSFET規(guī)格書 PTS4842采用溝槽加工技術(shù)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻。并且切換速度快，傳輸效率提高。這些特征結(jié)合在一起，使這種設(shè)計(jì)成為一種適用于各種DC-DC應(yīng)用的高效可靠的設(shè)備。

2023-06-14 16:55:48

東芝推出采用超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)的600V N溝道功率MOSFET，助力提高電源效率

中國(guó)上海， 2023 年 6 月 13 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出采用最新一代工藝制造[1]的TK055U60Z1，進(jìn)一步擴(kuò)充了N溝道功率MOSFET系列產(chǎn)品

2023-06-13 16:38:50

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請(qǐng)教下P溝道mos管恒壓電源電路

*附件：power1.pdf 遇到一個(gè)電源板無(wú)法供電故障，此電源電路采用P溝道MOS限流保護(hù)設(shè)計(jì)。正常啟動(dòng)時(shí)Q14柵極上電慢，低于源極，MOS管導(dǎo)通，經(jīng)過后級(jí)U9基準(zhǔn)和U27運(yùn)放組成恒壓源電路，限制

2023-06-05 22:50:12

看完這篇，4個(gè)步驟快速完成MOSFET選型

為設(shè)計(jì)選擇正確器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOSFET。在典型的功率應(yīng)用中，當(dāng)一個(gè)MOSFET接地，而負(fù)載連接到干線電壓上時(shí)，該MOSFET就構(gòu)成了低壓側(cè)開關(guān)。在低壓側(cè)開關(guān)中，應(yīng)采用N溝道

2023-05-22 11:11:39

1173

如何使用P/N溝道MOSFET構(gòu)建通用全橋或H橋MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。

2023-04-29 09:35:00

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以工藝見長(zhǎng)的東芝N溝道功率MOSFET為電源效率賦能

MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)是用柵極電壓來控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。

2023-04-13 09:40:30

691

東芝推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業(yè)設(shè)備開關(guān)電源，涵蓋數(shù)據(jù)中心和通信基站等電源應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。

2023-03-31 10:05:32

727

LTC7001 N溝道MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器參數(shù)介紹

LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵，因此使其可以無(wú)限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。

2023-03-23 09:46:45

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Vishay推出業(yè)內(nèi)最小N溝道和P溝道功率MOSFET

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