東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET——“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工藝，可用于工業設備開關電源，涵蓋數據中心和通信基站等電源應用。該產品于今日開始支持批量出貨。

TPH9R00CQ5具有行業領先的[2]9.0mΩ(最大值)的低漏源導通電阻，與東芝現有產品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了約42%。與此同時，與東芝現有產品“TPH9R00CQH4[4]”相比，反向恢復電荷減少約74%，反向恢復[5]時間縮短約44%，上述指標是體現同步整流應用性能的兩大關鍵反向恢復指標。新產品面向同步整流應用[6]，降低了開關電源的功率損耗，有助于提高系統效率。此外，與TPH9R00CQH相比，新產品減少了開關過程中產生的尖峰電壓，有助于降低電源的EMI。

該產品采用業界廣泛認可的表面貼裝型SOP Advance(N)封裝。

此外，東芝還提供支持開關電源電路設計的相關工具。除能夠迅速驗證電路功能的G0 SPICE模型外，現在還提供能夠準確地再現電路瞬態特性的高精度G2 SPICE模型①。

東芝利用該產品還開發出了“用于通信設備的1kW非隔離Buck-Boost DC-DC轉換器②”與“采用MOSFET的3相多電平逆變器③”參考設計。即日起可訪問東芝官網獲取上述參考設計。除此以外，新產品還可用于已發布的“1kW全橋DC-DC轉換器④

”參考設計。

東芝將繼續擴大自身的功率MOSFET產品線，以降低功率損耗、提高電源效率，并助力改善設備效率。

應用

工業設備電源，如用于數據中心和通信基站的電源

開關電源(高效率DC-DC轉換器等)

特性

業界領先的[2]低導通電阻：RDS(ON)=9.0mΩ(最大值)(VGS=10V)

業界領先的[2]低反向恢復電荷：Qrr=34nC(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)

業界領先的[2]快速反向恢復時間：trr=40ns(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)

高額定結溫：Tch(最大值)=175℃

主要規格

(除非另有說明，Ta=25℃)

參考設計：“用于通信設備的1kW非隔離Buck-Boost DC-DC轉換器”

參考設計：“采用MOSFET的3相多電平逆變器”

注：

[1] 截至2023年3月的數據。

[2] 截至2023年3月，與其他150V產品的對比。東芝調查。

[3] 采用當前一代U-MOSVIII-H工藝的150V產品。

[4] 產品采用與TPH9R00CQ5相同的生產工藝，并具有相同的電壓和導通電阻。

[5] MOSFET體二極管從正向偏置切換到反向偏置的開關動作。

[6] 如果新產品用于不執行反向恢復操作的電路，則功耗相當于TPH9R00CQH的水平。

審核編輯：湯梓紅