美浦森N溝道超級結MOSFET SLH60R028E7
SLH60R028E7是一款600V N溝道多層外延工藝的超結MOS，由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領域，普通MOSFET導通阻抗大，難以滿足實際應用需要。超結MOSFET兼具高耐壓特性和低電阻特性，對于相同的擊穿電壓和管芯尺寸，其導通電阻遠小于普通高壓VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速開關應用中。
封裝
特性
美浦森SJ-MOSFET采用了國際先進的多層外延工藝，RSP水平與國際主流品牌相當。
該工藝的超結MOS產品應用可靠性更高，EAS及EMI通過性更好。
具有內阻低，抗沖擊能力強，結電容低，可靠性高，品質穩定等特點。入偏置電流：1nA（最大值）
應用范圍
| ● LED電源 | ● PD電源 |
| ● PC和服務器電源 | ● 光伏逆變 |
| ● UPS | ● 充電樁 |
| ● 智能家居 | ● BLDC |
| ● BMS | ● 小家電 |
主要器件
| 產品型號 | 封裝外形 | 導通電阻-RDS （On） [R](Max) |
| SLH60R043E7D | TO-247 | 0.043 |
| SLH60R041GTDI | TO-247 | 0.041 |
| SLH60R040E7 | TO-247 | 0.040 |
| SLH60R030E7D | TO-247 | 0.030 |
| SLH60R028E7 | TO-247 | 0.028 |
| SLH65R039GTDI | TO-247 | 0.039 |
相關應用
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