價格周期性漲跌，NAND Flash產(chǎn)業(yè)格局發(fā)生新變化

目前，NAND Flash的價格下行趨勢已經(jīng)確立。根據(jù)中國閃存市場ChinaFlashMarket近日發(fā)布的數(shù)據(jù)，截止至2018年8月27日，NAND ...

2018-10-09 標(biāo)簽：閃存NAND存儲 1479 0

東芝推出基于單層存儲單元NAND閃存的BENAND產(chǎn)品

東芝公司近日發(fā)布了BENAND產(chǎn)品。該產(chǎn)品基于單層存儲單元（SLC）NAND閃存，并且內(nèi)嵌錯誤糾正功能（ECC）。BENAND產(chǎn)品正式批量生產(chǎn)的時間為...

2018-10-08 標(biāo)簽：東芝閃存NAND 2243 0

英特爾96層3D NAND二期項(xiàng)目投產(chǎn)啟動儀式在大連舉行

9月21日，英特爾大連非易失性存儲二期項(xiàng)目投產(chǎn)啟動儀式在大連舉行。省委副書記、省長唐一軍出席啟動儀式。

2018-09-30 標(biāo)簽：英特爾NAND 4014 0

3D NAND芯片市場發(fā)展空間巨大，三星電子很難單獨(dú)吞下這一片市場

8月28日，三星電子宣布，未來將投資70億美元用于擴(kuò)大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過，三星稱，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場的需求。”可是，三...

2018-10-01 標(biāo)簽：NAND三星電子 3184 0

DRAM、NAND flash和NOR flash三者牢牢控制著內(nèi)存市場

你如果問當(dāng)前內(nèi)存市場是誰的天下？那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash，三者牢牢控制著內(nèi)存市場，當(dāng)前都處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。不過...

2018-09-29 標(biāo)簽：DRAMNAND內(nèi)存 5748 0

英特爾70%的3D NAND快閃存儲器來自大連晶圓廠

英特爾2006年與大連市政府達(dá)成合作協(xié)定，2007年起在大連投資25億美元，建設(shè)12英寸晶圓廠，主要負(fù)責(zé)處理器封裝測試，2010年大連晶圓廠正式落成。

2018-09-29 標(biāo)簽：英特爾NAND 4105 0

NAND的生產(chǎn)工藝提升或?qū)⑼苿又悄苁謾C(jī)很快進(jìn)入TB時代

2018年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模達(dá)到1500億美金，其中NAND Flash將超過570億美金，而中國消耗了全球產(chǎn)能的32%，這意味著中國目前已經(jīng)是全球存儲...

2018-09-28 標(biāo)簽：智能手機(jī)NAND 3838 0

鑒于預(yù)期需求放緩，三星電子明年計劃減少內(nèi)存芯片產(chǎn)量增幅

鑒于預(yù)期需求放緩，三星電子明年計劃減少內(nèi)存芯片產(chǎn)量增幅，以確保供應(yīng)緊縮。

2018-09-28 標(biāo)簽：NAND三星電子內(nèi)存 1027 0

3D NAND TB時代或指日可待，Xtacking會是中國閃存的王牌嗎？

近日，備受業(yè)界關(guān)注的“2018年中國閃存市場峰會（CFMS2018）”在深圳開幕，來自三星、美光、西部數(shù)據(jù)、長江存儲、慧榮科技、群聯(lián)電子以及江波龍等全球...

2018-09-27 標(biāo)簽：閃存NAND存儲 2004 0

有了大連工廠的支撐，Intel能在消費(fèi)市場上再次開辟一天新天地嗎？

據(jù)媒體報道，近日，Intel大連非易失性存儲二期項(xiàng)目投產(chǎn)啟動儀式在大連舉行。

2018-09-26 標(biāo)簽：閃存NANDIntel 1353 0

長江存儲計劃在明年第四季度量產(chǎn)64層堆疊的3D NAND閃存芯片

據(jù)報道，紫光投資的長江存儲傳來新動態(tài)。

2018-09-26 標(biāo)簽：閃存NAND長江存儲 2784 0

NAND存儲器跌破兩年前價位，國內(nèi)廠商能否決勝于新一輪周期回轉(zhuǎn)？

內(nèi)存市場和閃存市場有一定的關(guān)聯(lián)性，不管是存儲介質(zhì)或是存儲主控芯片，它的成敗不在一年兩年，而是一個長期的過程，一個企業(yè)要好這個事情，不可能是做好一款爆品之...

2018-09-25 標(biāo)簽：NAND存儲器 4780 0

96層QLC技術(shù)的升級，NAND Flash成本下滑

東芝內(nèi)存CEO毛康雄(Yasuo Naruke)在東芝內(nèi)存及其合資伙伴西部數(shù)據(jù)舉辦的新聞發(fā)布會上表示：“短期內(nèi)的價格波動是供需平衡的體現(xiàn)，但我們正在解決...

2018-09-25 標(biāo)簽：東芝閃存NAND 5090 0

IC設(shè)計門檻墊高　NAND Flash控制晶片進(jìn)入1X奈米時代

全球快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠群聯(lián)電子(8299)董事長潘健成表示，由于NAND Flash控制晶片的設(shè)計愈加復(fù)雜、所需人力及銀彈越來...

2018-09-21 標(biāo)簽：ICNand 4389 0

東芝無懼芯片價格下跌，將量產(chǎn)96層3D NAND Flash

日本東芝記憶體與合作伙伴西部數(shù)據(jù)為全新的半導(dǎo)體設(shè)施Fab 6 (6號晶圓廠)與記憶體研發(fā)中心舉行開幕儀式；東芝記憶體總裁Yasuo Naruke無懼芯片...

2018-09-20 標(biāo)簽：東芝Nand 5318 0

旺宏預(yù)計2019年量產(chǎn)3D NAND，并進(jìn)軍SSD市場

非揮發(fā)性存儲器廠旺宏董事長吳敏求今日透露，該公司已切入3D NAND Flash開發(fā)，預(yù)計2018年或2019年量產(chǎn)，并進(jìn)軍固態(tài)硬盤（SSD）市場。

2018-09-17 標(biāo)簽：NANDSSD旺宏 2032 0

3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)

今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。

2018-09-16 標(biāo)簽：閃存NAND3D 656 0

三家主控廠商：慧榮、群聯(lián)、得一，共話SSD市場新格局

在2D納米工藝時代，NAND Flash架構(gòu)經(jīng)歷了從SLC向TLC的過渡，控制芯片技術(shù)的發(fā)展起到非常重要的作用。隨著原廠3D NAND技術(shù)的不斷成熟，2...

2018-09-13 標(biāo)簽：NANDSSD大數(shù)據(jù) 1.6萬 0

隨著NAND Flash價格的下滑，如何加強(qiáng)競爭力成為各大原廠共同的難題

近兩年來DIY市場可謂是風(fēng)起云涌，從2016年下半年開始SSD、內(nèi)存和顯卡陸續(xù)漲價，2017年8GB內(nèi)存價格甚至一度破千元，顯卡一度賣脫銷。本以為201...

2018-09-12 標(biāo)簽：NAND存儲SSD 995 0

群聯(lián)64層3D QLC NAND Flash控制芯片出貨，單顆容量即可達(dá)128GB

快閃存儲器（NANDFlash）控制芯片及儲存解決方案領(lǐng)導(dǎo)群聯(lián)6日正式宣布，搭載美系國際原廠最新QLC規(guī)格64層3DNANDFlash之的SSD控制芯...

2018-09-11 標(biāo)簽：NAND存儲器 2286 0