9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。

，只有一層的2D NAND不能在不增加芯片管芯尺寸的情況下增加容量。然而，在像高層建筑物中那樣允許單元（NAND的最小單位）沿3D方向存儲的3D NAND中，容量可以隨著

三星最近打破了目前市場上最高64GB的束縛，本周正式宣布128GB的NAND存儲芯片。

西數公司日前表示今年會試產512Gb核心容量的64層堆棧3D NAND閃存，單顆核心容量就達到了64GB，比目前主流水平翻倍，制造超大容量SSD硬盤更容易了。

受益于智能手機搭載的NAND Flash存儲容量持續提升，以及PC、服務器、資料中心積極導入固態硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉進

據外媒報道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達到960GB。

據海外媒體報道，去年下半年以來NAND Flash市場供不應求，主要關鍵在于上游原廠全力調撥2D NAND Flash產能轉進3D NAND，但3D NAND生產良率不如預期，2D NAND供給量又因產能排擠縮小，NAND Flash市場出現貨源不足問題，價格也因此明顯上漲。

提升, 已成為閃存市場的主要供應廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片, 是目前行業內首款單顆Die容量1.33Tb的NAND閃存。慧榮科技身為SSD主控芯片的

作為業內首款128層QLC規格的3DNAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？

3D NAND能否帶動SSD市場爆炸性成長？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場主流的原因是什么？

3D NAND技術資料：器件結構及功能介紹

128GB容量。并且帶來的成本優勢開始減弱，16nm制程后，繼續采用2D 微縮工藝的難度和成本已超過3D技術，因此3D NAND開始成為主流。比如旺宏也計劃跟進在2020年下半年實現48層128Mb的19nm

。s3c2410_nand_inithw //去初始化硬件相關的部分，主要是關于時鐘頻率的計算，以及啟用nand flash控制器，使得硬件初始化好了，后面才能正常工作。3. 需要多解釋一下的，是這部分代碼：for (setno = 0

閃存中BiCS技術的閃存核心面積最低，也意味著成本更低。此外，鎧俠今年推出的UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片，同樣是基于東芝BiCS 3D存儲技術打造，設計容量包括128GB、256GB

上，對CPU的接口要求低；有足夠的地址引腳來尋址，可以很容易地存取其內部的每一個字節。但不同容量的NorFlash的地址線需求不一樣，Nor Flash芯片容量升級不便。 （3）Nand Flash和Nor

，主要有兩種存儲芯片：NOR Flash和NAND Flash。對于大容量需求，通常會選擇NAND Flash。然而，使用NAND Flash會引發一些問題： 　　NAND Flash存在壞塊，需要壞塊

。請幫我確認一下。3、我們的PCB為了節省空間，只想用兩片16bit的內存，也就是只連接DDRC0控制器，總容量為1GB，另外一個DDRC1不連接，請問將來跑linux系統和DSP算法同時運行，這樣設計能否滿足要求？希望大家給予幫助，謝謝大家了。

DTDUO3C/32GB/64GB閃存硬盤DTDUO3C/128GB全球記憶體模塊龍頭金士頓 (Kingston)亞太區Flash Memory業務總監蘇治源表示，該公司NAND Flash產品去年

在臺投資的公司包括封測廠力成、華泰，控制芯片業者群聯、鑫創、擎泰等，在內存產業的上下游布局相當完整。KF318LS11IB/4KF318LS11IB/8KF318LS11IBK2/16EMMC04G-M627EMMC04G-MK27EMMC04G-M657EMMC08G-ML36EMMC16G-TB29EMMC32G-TX29EMMC64G-TX29EMMC128-TX29EMMC04G-W627EMMC16G-IB29EMMC32G-IX29EMMC64G-IX29EMMC128-IX2904EMCP04-NL3DM62708EMCP04-NL3DT22708EMCP08-NL3DT22716EMCP08-NL3DTB2816EMCP16-EL3GTB2916EMCP16-ML4ATB2932EMCP16-EL3GTB2932EMCP16-ML4ATB2932EMCP24-EL3JTB2932EMCP32-ML4BTB2964EMCP24-EL3JTA2964EMCP32-EL3HTA2964EMCP32-ML4BTA2904EPOP08-NL3DM62704EPOP04-NL3DM62708EPOP04-NL3DT22708EPOP08-NL3DT227D1216ECMDXGJDD2568ECMDPGJDD2516ECMDXGJDD5128ECMDPGJDD2516ECMDXGMEB5116ECMDXGJDD1216ECMDXGJDID2568ECMDPGJDID2516ECMDXGJDID5128ECMDPGJDIB5116ECMDXGJDI

NAND制程的M10Pe和M9V SSD。除原廠之外，下游的SSD品牌廠已陸續進入了新的制程階段，相較于64層3D NAND，96層3D NAND使單顆Die容量向1Tb普及，不僅將推動SSD容量

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LS1012AXN7EKB是否支持128GB容量的SD卡（SDXC）？

行業資本支出的增加，以及美光176層3D NAND產能正在提升，因此對行業保持謹慎樂觀的態度，但同時也看到了NAND行業需求正在改善，需要繼續關注NAND行業的資本支出和供應增長情況。另外，對于主控

采用BiCS4技術的96層3D NAND已經出貨給零售商，早在6月底時我們已經了解到西部數據的BiCS 4 NAND不僅會有TLC類型，而且會有QLC。使用BiCS 4技術的TLC NAND芯片和采用

64層3D TLC NAND的512Gb，容量翻倍，這使得總GB當量的NAND Flash供應增加。在需求方面，雖然三星、蘋果、華為等高端旗艦機容量向512GB升級，但是全球智能型手機出貨放緩，尤其是

，西部數據早2017年宣布成功研發出96層3D 和QLC NAND，單Die容量最高可達1.33Tb。隨著新一代96層3D NAND技術的成熟，西部數據正在積極導入嵌入式產品中應用，滿足移動設備不斷

S34MS16G202BHI000閃存芯片S34ML08G101TFB003 西部數據宣布成功開發了4-Bits-Per-Cell(X4）架構的64層3D NAND（BiCS3）。在以前的2D

`　　CS品牌創世SD NAND內置的控制器可以支持3D TLC的管理，功能非常強大，讀寫速度最高支持到10MB/S，滿足物聯網和可穿戴設備的需求，并且兼容市面主流主控。　　　　支持SDIO接口訪問

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)，MLC (Multi-Level Cell), TLC (Triple-Level Cell), QLC (Quad-Level Cell) 和3D NAND Flash。他們的區別在于每個cell

這是我的nand flash測試的結果，第五個是0xbc位值如下bit3/2是11表示plane number是8，bit6/5/4是011表示plane size是512Mb。那么這款芯片的容量

的存儲卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存儲卡產品線Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，還真不便宜！該款存儲卡起售價$199.99，對于一張存儲卡而言，這個定價可以算得

，大數據存儲需求持續增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增長率達40%-45%，而美光NAND技術從40nm到16nm，再到64層3D技術，一直為市場提供更好的產品和解決方案。就在幾個月前美

數以百萬計的柱形晶體管來控制每個存儲單元。最后連接每個獨立的存儲單元，把3D晶圓連到金屬層。　　Sze預測：“BeSang 3D芯片的成本可非常低，因為可以在一個工藝中將所有邏輯電路加到晶圓底部，而在另一個

4個插槽，我們可以容納128GB內存，但CPU只支持64GB內存。DELL 7730也是如此非常感謝以上來自于谷歌翻譯以下為原文Hi everyone,I wonder how can Lenovo

的指令效率以及代碼密度比傳統的8位單片機高。內置的集成模擬運放和模擬比較器，還有可編程的運放反饋回路使得單顆EFM32芯片即可實現了完整的信號鏈，只要EFM32 + 3D眼鏡專業芯片共2個芯片即可完成

最新的e.MMCTM標準，適用于各種廣泛的數字消費產品，包括智能手機、平板電腦和可穿戴設備。16GB產品樣品出貨即日啟動，8GB、32GB、64GB和128GB產品將稍后出貨。新產品在單一封裝內整合了

的96層3D閃存使用的是新一代BiCS4技術，QLC類型的核心容量高達1．33Tb，比業界標準水平提升了33％，東芝已經開發出了16核心的單芯片閃存，一顆閃存的容量就有2．66TB。 國內崛起撬動全球

創始人J.Wong在魅族論壇中回應網友質疑時，也確認了這就是Flyme 3.0系統。　　另外，據消息人士透露，魅族MX3將會推出128GB版本，屆時MX3將可能出現16GB、32GB、64GB

適應NAND FLASH陣列應用，并且可以適應各種各樣的NAND FLASH芯片型號。8x8(8行8列:8個片選,64位數據總線) NAND FLASH陣列的存儲速度可達380MB/S。FPGA內部

復雜（很多就是2層板），SD NAND的這種封裝可以產品的PCB板繼續簡單且小巧。　　CS品牌SD NAND容量是128MB、512MB，后期會推出1GB和4GB容量的SD NAND.客戶可以根據自己

在3D打印機上使用SLC顆粒的SD NAND代替傳統使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬次隨機掉電測試。解決TF卡在3D打印機上常讀寫錯誤、壞死

英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲介質都是相變存儲器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲器。所以我不知道

我使用TMS320C6657芯片，NAND Flash容量需要做到16GB(128Gb)，需要外接兩個8GB的NAND Flash芯片，我想使用EMIF16接口的EMIFCE0/1

筆者有個筆記本使用的三星Samsung BGND3R 32GB eMMC字庫，想升級一下，請問可以更換那些字庫？可以更換128GB的哪些型號？N3150 Braswell平臺

三星推出64GB moviNAND閃存芯片 三星近日公布了兩款采用新制程技術的閃存產品。其中moviNAND閃存芯片產品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達64GB

2010年NAND Flash價格發展持續兩極化 　　NAND Flash市場未脫傳統淡季，仍在等待蘋果(Apple)補貨效應出現，2010年1月下旬NAND Flash合約價大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有

Intel 公司和Micron Technology公司今日宣布推出NAND閃存技術新基準 flash technology – 世界第一款20納米、128Gb的多層單元(MLC)器件。

SanDisk NAND閃存部門今天宣布公司將開始生產128Gb，也就是16GB容量的閃存芯片，該芯片將采用19納米制程，每單元三層結構，尺寸為0.26平方英寸，比一個一便士硬幣還要小，而傳輸速率可

云端的存儲解決方案并不是適用于所有的移動平臺用戶。最近，三星打破了目前市場上最高64GB的束縛，本周正式宣布128GB的NAND存儲芯片。

現在，西數全球首發了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術（下半年出樣，2018年開始量產），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。

東芝日前發布了全球首個基于QLC(四比特單元) BiCS架構的3D NAND閃存芯片，64層堆疊封裝，單顆容量可以做到768Gb(32GB)，可以帶來容量更大、成本更低的SSD產品。

iPhone7/7Plus剛上市時，最受追捧的亮黑色不僅沒有64GB版本，連32GB都沒有。現在最受關注的蘋果10周年紀念版iPhoneX只有64G和256G，沒有中間最合適的128GB，那么蘋果砍掉128GB是為什么？

2018年是3D NAND產能快速增長的一年，主要是因為Flash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產比重，而且相較于2D NAND技術，64層256Gb和512Gb在市場上的廣泛應用，使得高容量的NAND Flash相關產品價格持續下滑

隨著上游NAND Flash原廠的64層3D NAND產能持續開出，且被大量應用在SSD產品線，今年以來高容量SSD價格持續下滑，6月中旬主流的240GB TLC SSD現貨價已降至40～43美元

隨著原廠3D技術的快速發展，2018下半年各家原廠在96層和QLC技術上競爭激烈，其中，三星已在7月份宣布量產96層3D NAND。據DIGITIMES報道稱，東芝存儲器（TMC）96層3D NAND將在Q4擴大出貨，代表著NAND Flash市場霸主之爭正式拉開序幕。

7月20日，東芝/西部數據宣布成功開發采用96層BiCS4架構的第二代3D QLC NAND（4bits/cell），單Die容量最高可達1.33Tb，預計將在2018下半年開始批量出貨，并優先用于SanDisk品牌下銷售的消費級閃存產品。

原廠全面轉向3D NAND供應出貨，QLC（4bit）新架構的助攻下，2018年NAND Flash Bit市場供應量增幅將超過40%。

紫光集團旗下長江存儲發展儲存型快閃存儲器（NAND Flash）報捷，已自主開發完成最先進的64層3D NAND芯片專利，預計明年完成生產線建置、2020年量產，震撼業界。

上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達1Tb，備受市場高度關注

隨著Flash各家原廠紛紛升級到64層3D NAND技術量產256Gb或512Gb單顆Die，以及提高新工廠的產出量，2018年三星將全面向3D NAND普及，美光預計2018年全球NAND

隨著64層/72層3D NAND產出的增加，以及原廠QLC和96層3D技術快速發展，NAND Flash在經歷2年漲價后，2018年市場行情從缺貨轉向供應過剩，再加上成本下滑，以及供需雙方博弈刺激下，預計2018年全球SSD出貨量將超過1.9億臺，甚至有望沖刺2億臺。

Cell )NAND將邁入百家爭鳴時代，帶動消費性固態硬盤(SSD)容量快速升級至TB等級，加上長江存儲發布新一代3D NAND架構Xtacking，試圖超車追趕國際大廠，全球NAND Flash產量持續增加，戰火愈益激烈，2019年NAND Flash市場恐將大幅震蕩。

，也意味著成本更低。?東芝和閃迪是戰略合作伙伴，雙方在NAND領域是共享技術的，他們的BiCS閃存去年開始量產，目前的堆棧層數是48層，MLC類型的核心容量128Gb，TLC類型的容量可達256Gb

今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產業界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。

6月15日，三星電子宣布已經開始量產第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產效率將提高30%以上。東芝/西部數據、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布

近日，LiteOn推出一款最新MU3系列SSD，采用東芝64層BiCS 3D TLC NAND，7毫米/2.5英寸外形，SATA 6Gbps接口，提供120GB，240GB和480GB三種容量選擇。

今日援引自產業鏈消息透露，蘋果將要發布的新iPhone手機，起售價格或超1萬元。原因在于新iPhone將取消64GB存儲版本，直接128GB起跳。

5G超級SIM卡有SIM卡有完整通訊功能的同時，它也是一張超大容量的存儲卡。目前有32GB、64GB和128GB三個版本，未來還將推出512GB和1TB版本。

紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。

紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布，開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。

在近日于韓國首爾舉行的存儲開放日活動中，Intel推出了使用QLC閃存的新款固態硬盤665P，繼續使用了660P所采用的慧榮SM2263主控，但閃存顆粒升級為96層3D QLC，但單Die依舊維持1024Gb容量（128GB）。

NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產業界首款消費級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。

日前，@Redmi紅米手機 正式官宣，Redmi K30 5G的6GB+64GB/128GB版將于明天上午10點正式開售，售價分別為1999元和2298元，不過這兩個內存版本只有“深海微光”一種顏色可選。

SanDisk 3D NAND Flash:Gen3 X3 128Gb存儲設備包含一個128Gb的48針TSOP封裝。所有可能的配置可能不可用。有關當前零件號的列表，請參見第0頁的“市場營銷零件

兩年前，美光發布了全球首款采用3D QLC NAND閃存顆粒的SSD，型號為5210 ION系列。今天，美光宣布5210 ION已經得到全面升級，可以作為機械硬盤的完美替代品。

今日（4月13日），長江存儲重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控商場SSD等終端產品上通過驗證。

首款128層QLC規格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。此次同時發布的還有128層512Gb TLC

2020年4月13日，長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。

4月13日，紫光集團旗下的長江存儲科技有限責任公司（長江存儲）宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發成功。

長江儲存在官網宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片產品研發成功，型號為X2-6070，并且目前該芯片已經在多家控制器廠商的SSD等終端儲存產品上通過驗證。

長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）在官網宣布其128層QLC 3D NAND閃存芯片 X2－6070研發成功，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。

閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務領導廠商 群聯電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導入驗證群聯eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產階段。

長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）宣布其128層QLC 3D NAND 閃存（型號：X2-6070）研發成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。

長江存儲科技有限責任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發成功。同時發布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規格閃存芯片（型號：X2-9060），用以滿足不同應用場景的需求。

，已成為閃存市場的主要供應廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業內首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存。慧榮科技身為SSD主控芯

，已成為閃存市場的主要供應廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業內首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存。慧榮科技身為SSD主控芯

，已成為閃存市場的主要供應廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業內首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存。慧榮科技身為SSD主控芯

Nand flash是flash存儲器的其中一種，Nand flash其內部采用非線性宏單元模式以及為固態大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。NAND FLASH存儲器具有容量較大和改寫速度快

特斯拉在中國官網上架128GB U盤。

指出，在 2020 年 Q3，華為大量備貨，對消費性、低容量的 MLC eMMC 以及元件端的 NAND wafer 也有影響，推升了 Q3 NAND Flash 的位元出貨量。 IT之家了解到，根據

了解到，670p 是繼 660p 和 665p 之后的一款全新的 3D QLC NAND SSD，采用了新的主控，支持 PCIe Gen3。容量可選 512GB 到 2TB，具體的讀寫速度還沒公布。另外

Flash ROM NAND Flash ROM 應該是目前最熱門的存儲芯片了。因為我們生活中經常使用的電子產品都會涉及到它。比如你買手機，肯定會考慮64GB，還是256GB？

在CITE 2020上，紫光集團帶來了大量產品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導體高端路由器芯片EasyCore等。作為業內首款128層QLC規格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。