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決定低壓降穩壓器LDO壓降的因素介紹

LDO（低壓降穩壓器）的典型特性便是壓降。因為它的名稱以及其縮寫由此而來。

2023-09-22 標簽：線性穩壓器誤差放大器低壓降穩壓器 2074 0

二極管與MOS管電路怎樣防反接呢？

以我們平時最常見的電源供電為例，配置的電壓為5伏特，電流為2安培。在常規情況下，二極管它是串聯在電路當中，用來保護后級電路免受電源反接損壞。

2023-09-22 標簽：保護電路 MOS管肖特基二極管 762 0

氮化鎵功率器件的工藝技術說明

氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質是外延結構的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構

2023-09-19 標簽：MOSFET MOS管氮化鎵 7983 0

CMOS模擬集成電路之反相器鏈電路的建立和前仿真

今天學習的是反相器鏈電路的建立和前仿真，說的簡單點就是反相器的原理圖仿真，和用AD畫原理圖一樣，開始是設計庫，后面是根據庫中的器件畫原理圖

2023-09-13 標簽：MOS管反相器 CMOS集成電路 3363 0

在Virtuoso中認識PMOS管和NMOS管

具體的在版圖設計中PMOS管和NMOS管是什么樣子的，我們來看看吧

2023-09-12 標簽：反相器 CMOS晶體管 Virtuoso 8015 0

MOS管防電源反接電路圖 MOS管防電源反接電路設計

今天一如既往的給大家分享干貨，之前寫了二極管防電源反接電路，今天分享MOS管防電源反接電路。

2023-09-06 標簽：二極管電路圖 MOS管 3058 0

具有銅互連的IC芯片設計

銅互連是一種比較新的技術。在經過深入的研究和開發后，具有銅互連的IC芯片產品第一次在1999年出現。

2023-08-18 標簽：CMOS IC芯片碳化硅 1352 0

講解一下SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響

SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對SRAM型FPGA進行抗輻照加固設計非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響。

2023-08-11 標簽：fpga sram CMOS工藝 2526 0

如何搭載一個負載開關電路load switch？

在很多電路中，一個電源可能對應多個負載，有時候要切換負載的供電，有時候要對負載進行限流，通常的方法可以用PMIC去操作不同的負載，也可以使用負載開關去操作。

2023-08-02 標簽：電容器仿真器自舉電路 1613 0

MOSFET場效應晶體管設計基礎

MOSFET是金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的...

2023-07-11 標簽：MOSFET 場效應晶體管 TTL電平 3317 0

CMOS反相器電路及其設計和分析方法

MOSFET器件是數字集成電路的最小單位，因為MOSFET的開關特性和輸出曲線特性，由PMOS和NMOS組成的CMOS門電路，則為數字集成電路最基本的電路結構。

2023-07-11 標簽：CMOS MOSFET 反相器 1.9萬 0

電流源負載共源放大器仿真設計

共源級放大器，負載為電流源，電流源采用電流鏡實現，偏置為電阻與電流鏡實現的簡單偏置。

2023-07-07 標簽：放大器電流鏡偏置電路 2987 0

Class-AB輸出級靜態工作點的偏置設計淺析

采用Class-AB輸出級設計的運放可在較低的靜態電流下實現軌對軌輸出，推挽的輸出方式使得其在大信號建立時的電流不受靜態電流的限制，可以實現更好的壓擺率。

2023-07-07 標簽：MOS管電流鏡偏置電路 1806 0

一個簡單的過壓保護電路

簡單的過壓保護電路一般加個TVS可以實現，當外部有瞬間高能量沖擊時候它能夠把這股能量抑制下來，雖然功率高，上千W都可以，但是維持抑制的時間很短很短，萬一...

2023-07-07 標簽：三極管 TVS pnp 1420 0

用于基準電壓產生的啟動電路設計

下拉晶體管源極輸出端即為啟動電路的啟動節點，該啟動節點連接帶隙基準電路的PMOS電流鏡柵極，啟動電路工作時將帶隙基準電路中的PMOS電流鏡柵極電平拉低，...

2023-07-06 標簽：三極管電流鏡晶體管 4430 0

列舉一些常見的PMOS管應用

MOSFET作為OBC，電調，BMS和Charger，各類數字電源的核心功率器件，想必大家是耳熟能詳了。

2023-07-06 標簽：MOSFET 正激電源鉗位電路 5294 0

用CMOS傳輸門實現一個異或門電路

用CMOS傳輸門實現一個雙路開關電路，在電路上標明輸入端和輸出端，并寫出輸出的邏輯表達式。

2023-07-06 標簽：CMOS 門電路模擬器 1.3萬 0

N阱CMOS工藝版圖

CMOS工藝是在PMOS和NMOS工藝基礎上發展起來的。

2023-07-06 標簽：集成電路晶體管 CMOS工藝 4026 0

gm/Id方法設計二級OTA(2)—電流鏡式放大器介紹

輸入級放大電路由 M1～M5 組成。M1 和 M2 組成 PMOS 差分輸入對，差分輸入與單端輸入相比可以有效抑制共模信號干擾；M3、M4 電流鏡為有源...

2023-07-05 標簽：放大器濾波器電源電壓 4419 0

gm/Id方法設計二級OTA(1)—器件仿真

gm/Id方法是設計電路中寬長比的重要方法

2023-07-05 標簽：仿真器 PMOS管 2721 0

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉折區的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數。如描述場發射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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董明珠，出生于江蘇南京，企業家，先后畢業于安徽蕪湖職業技術學院、中南財經政法大學EMBA2008級、中國社會科學院經濟學系研究生班、中歐國際工商學院EMBA 。　　1990年進入格力做業務經理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經營部部長、副總經理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔任民建中央常委、廣東省女企業家協會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務。2004年3月，當選人民日報《中國經濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創新企業家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”

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