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標(biāo)簽 > PMOS
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí),柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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常用MOS電源開關(guān)電路圖 NMOS、PMOS高低側(cè)電源開關(guān)電路設(shè)計(jì)
隨著對(duì)器件的控制需求提升,越來越多的電源開關(guān)電路出現(xiàn)在設(shè)計(jì)中。這些設(shè)計(jì)的目的各有不同:有的需要快速開通與關(guān)斷,有的需要低導(dǎo)通電阻+大電流,有的需要閑時(shí)0...
2023-08-23 標(biāo)簽:電源電路圖開關(guān)電路 5.2萬 0
模擬開關(guān)是控制模擬信號(hào)傳輸路徑的固態(tài)半導(dǎo)體開關(guān)。開關(guān)位置的打開和關(guān)閉操作通常由一些數(shù)字邏輯網(wǎng)絡(luò)控制,標(biāo)準(zhǔn)模擬開關(guān)可用于多種類型和配置。例如,單或雙常開(...
電源反接,會(huì)給電路造成損壞,電源反接是不可避免的。所以我們就需要給電路中加入保護(hù)電路,達(dá)到即使接反電源,也不會(huì)損壞的目的,下面介紹幾種常用防反接電路。
此電路功能為三輸入與門形式,輸入為A,B,C,輸出為Y。用CMOS實(shí)現(xiàn)反相器電路,PMOS和NMOS管進(jìn)行全互補(bǔ)連接方式,柵極相連作為輸入,電路上面是三...
金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之...
引言:MOS管開關(guān)電路在分立設(shè)計(jì)里面應(yīng)用非常廣泛,包括邏輯控制,電源切換,負(fù)載開關(guān)等,在一些電路巧妙設(shè)計(jì)上具有非常大的創(chuàng)新性。以下電路均以使用增強(qiáng)型MO...
如上圖MOS管符號(hào),要注意如果剛學(xué)完三極再來看這個(gè)會(huì)覺得很別扭,記不住,下面與NMOS原理做介紹,PMOS就剛好是相反的。
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請(qǐng)教關(guān)于BUCK電路中PMOS驅(qū)動(dòng)問題,波形不正?,F(xiàn)象原因
標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路PMOSbuck電路 13459 11
ICN2012 LED顯示屏行驅(qū)動(dòng)芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載立即下載
類別:IC datasheet pdf 2020-11-12 標(biāo)簽:LED顯示屏PMOS 5875 0
CMOS工藝制程技術(shù)的詳細(xì)資料說明立即下載
類別:電子元器件應(yīng)用 2019-01-08 標(biāo)簽:CMOSNMOSBCD 2188 0
CX8825 DCDC降壓轉(zhuǎn)換器的數(shù)據(jù)手冊(cè)免費(fèi)下載立即下載
類別:IC中文資料 2019-09-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器NMOSPMOS 1844 0
類別:實(shí)用工具 2021-10-21 標(biāo)簽:負(fù)載開關(guān)電源開關(guān)PMOS 1827 0
類別:電源電路圖 2023-03-16 標(biāo)簽:三極管按鍵開關(guān)PMOS 1661 0
類別:單片機(jī) 2015-04-20 標(biāo)簽:功率管直流穩(wěn)壓電源PMOS 1632 2
首先要進(jìn)行MOSFET的選擇,MOSFET有兩大類型:N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中,MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加...
因?yàn)镻MOS開啟后電流可雙向流動(dòng),這個(gè)電路的負(fù)載不能是電池等電壓源。否則,如下右圖,因?yàn)樨?fù)載電池有5V電壓,V G S = ? 5 V V_{GS}=-...
我查了一些資料,總結(jié)了一下,大概就是,PMOS關(guān)斷時(shí),不是完全關(guān)斷,還是會(huì)有一些電荷漏過去,由于PMOS管的關(guān)斷時(shí)的內(nèi)阻很高,所以只要有一點(diǎn)點(diǎn)電荷就能撐...
2022-08-25 標(biāo)簽:電源開關(guān)PMOS關(guān)斷 1.4萬 2
早期的柵極是用金屬制作的,但現(xiàn)在由導(dǎo)電的多晶硅取代。柵極位于一層薄薄的二氧化硅上,這是一種絕緣體。襯底,柵極,源極和漏極,通過金屬端子與外界連接。
USB外接電源與鋰電池自動(dòng)切換電路設(shè)計(jì)
當(dāng)VUSB是USB供電時(shí),MOS管不導(dǎo)通,VCC等于VUSB減去二極管D1的壓減;當(dāng)VUSB斷開時(shí),MOS管導(dǎo)通,由VBAT供電,實(shí)現(xiàn)自動(dòng)切換。
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