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標簽 > pmos
PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管。金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類, P溝道硅MOS場效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個P+區(qū),分別叫做源極和漏極,兩極之間不通導(dǎo),源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時,柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層,成為連接源極和漏極的溝道。
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逆變器是反轉(zhuǎn)所施加信號的邏輯元件。在數(shù)字電路中,開關(guān)或邏輯功能的二進制算術(shù)和數(shù)學操作最好使用符號0(零)和1(一)執(zhí)行。如果邏輯電平為0(接地)或0 V...
前幾期講的MOSFET的物理結(jié)構(gòu)、電學特性是我們研究MOSFET的基礎(chǔ),只掌握這些在實際電路中是沒法用的,今天講的內(nèi)容才是我們在電路設(shè)計中所用到的,但是...
咱們前幾期講的一直是NMOS,導(dǎo)電靠的是溝道中的自由電荷。而PMOS與NMOS結(jié)構(gòu)上的不同點在于半導(dǎo)體基板的材料恰恰相反,是在N型摻雜基板的基礎(chǔ)上加了兩...
MOSFET的結(jié)構(gòu)和電學特性小結(jié)
上一期中提到 當V_DS>V_GS-V_TH時,溝道中出現(xiàn)夾斷效應(yīng),溝道的長度對略微減小。很多場景我們可以忽略這個長度的變化,但是當精度要求比較高...
眾所周知MOS是電壓型驅(qū)動,只有G極比S極高一個開啟電壓Vth之后,MOS才會導(dǎo)通(這里指NMOS)。
模擬開關(guān),是利用JFET或MOS的特性實現(xiàn)控制信號通路的開關(guān),主要用來完成信號鏈路連接或斷開的切換功能。由于它具有功耗低、速度快、無機械觸點、體積小和使...
2023-02-09 標簽:CMOS模擬開關(guān)MOS 1542 0
模擬開關(guān)是電子開關(guān)的一種,為了導(dǎo)通(或隔離)模擬信號(包括電壓和電流信號)以及支持模擬應(yīng)用(例如音頻和視頻數(shù)據(jù)傳輸)而設(shè)計的。需要注意跟負載開關(guān)做區(qū)分,...
2023-02-09 標簽:NMOS模擬開關(guān)PMOS 3254 0
如下圖所示,左邊為NMOS,右邊為PMOS,由MOS管的結(jié)構(gòu)可以看出,其襯底B與漏極D整好構(gòu)成一個PN結(jié),這個PN是由于MOS結(jié)構(gòu)天然而成的,如果將...
運算放大器采用圖1所示的電路結(jié)構(gòu),電路中的電流源均采用共源共柵結(jié)構(gòu),可以獲得較高的共模抑制比和電流復(fù)制精度。 其性能指標為增益帶寬積GBW=100M...
MOS管,是MOSFET的縮寫,全拼是Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,翻譯過來是金屬-...
上周討論了MOS管的Rdson和Vgs、Vds有怎樣的關(guān)系?,這個屬于比較細節(jié)的問題,在面試中基本不會遇到,但是今天討論的這個問題還是很有可能碰到的。
Vt roll-off核心是(同一個工藝節(jié)點下面)閾值電壓與柵長之間的關(guān)系。當溝道長度比較長的時候,Vt值是比較穩(wěn)定的。隨著溝道長度的減小,閾值電壓會下...
HJ4308A是一款采用厚膜工藝制成的航電28V中功率SSPC(固態(tài)功率控制器),符合GJB2438規(guī)范。其內(nèi)部主要由PMOS功率驅(qū)動電路、過流過溫及欠...
2022-12-13 標簽:PMOS航電固態(tài)功率控制器 4085 0
基于邏輯門的構(gòu)成解釋如何完成任意邏輯的管級電路設(shè)計
明白上述原因后,就可以理解輸出的高電平由上管決定,低電平由下管決定。為了保證在某一時刻,輸出只能為高電平或低電平,需要結(jié)合上下管,即當上管導(dǎo)通時,下管必...
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