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隨機(jī)存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。

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ram技術(shù)

單片機(jī)中RAM容量小的幾點(diǎn)原因

因為RAM的工藝更復(fù)雜，其占用硅面積相對更大。大家應(yīng)該都知道芯片的制造過程，目前芯片主要使用硅這種材料制作芯片（當(dāng)前，現(xiàn)在也發(fā)明了更先進(jìn)的材料），...

2023-10-27 標(biāo)簽：微控制器單片機(jī)mcu 1004 0

握手型接口的同步FIFO實現(xiàn)

按照正常的思路，在前文完成前向時序優(yōu)化和后向時序優(yōu)化后，后面緊跟的應(yīng)該是雙向時序優(yōu)化策略了，不過不急，需要先實現(xiàn)一下握手型同步FIFO。

2023-12-04 標(biāo)簽：寄存器 RAM 計數(shù)器 996 0

基于雙端口RAM中多行代碼設(shè)置斷點(diǎn)功能實現(xiàn)新型通用調(diào)試模塊的設(shè)計

在FPGA 設(shè)計中使用嵌入式處理器軟核（如MicroBlaze、PicoBlaze 等）構(gòu)成可編程片上系統(tǒng)（ SystemOn Programmab...

2020-03-10 標(biāo)簽：處理器嵌入式 ram 993 0

巧言單片機(jī)RAM及ROM

2023-10-17 標(biāo)簽：單片機(jī)ROM RAM 989 0

淺談從FPGA到ASIC的人工智能芯片設(shè)計路

并行處理是最普遍的，也是AI加速器的基礎(chǔ)。它可以通過許多陣列的小型專用處理內(nèi)核(如特定算法的GPU)來實現(xiàn)，或者以數(shù)據(jù)流(即專用處理器的流水線)的方式來實現(xiàn)。

2023-12-19 標(biāo)簽：fpga asic RAM 986 0

為什么單片機(jī)內(nèi)部RAM這么少？

也許大家都注意到了，在過去的20多年的時間里，微控制器（MCU）經(jīng)歷了跨越式的發(fā)展，這反映在很多方面，比如更高的系統(tǒng)時鐘、更多的外設(shè)模塊、更加便利的調(diào)試...

2022-11-28 標(biāo)簽：微控制器單片機(jī)mcu 986 0

基于ARM編譯器版本5的工程遷移與適配-堆棧初始化以及總線異常問題

工程中，我使用的是自己的分散加載文件，并且沒有定義ARM_LIB_STACKHEAP，ARM_LIB_STACK，ARM_LIB_HEAP這些符號，因為...

2023-11-16 標(biāo)簽：arm RAM 985 0

FPGA的基礎(chǔ)架構(gòu)

CLB是指可編程邏輯功能塊（Configurable Logic Blocks）,顧名思義就是可編程的數(shù)字邏輯電路。CLB是FPGA內(nèi)的三個基本邏輯單元...

2023-03-21 標(biāo)簽：fpga ROM RAM 984 0

單片機(jī)編程高效利用RAM資源的方法（1）

對于大多數(shù)單片機(jī)來說，片內(nèi)的 RAM 空間通常都比片內(nèi) ROM 空間小，開發(fā)過程中，RAM 空間不足的情況更為常見，那么現(xiàn)在就來講講在編程的過程中，如何...

2023-07-22 標(biāo)簽：單片機(jī)ROM RAM 979 0

關(guān)于存儲器的常見類型整理

閃存，和EEPROM一樣可擦除可重寫，差別EEPROM總是按字節(jié)操作，F(xiàn)LASH可以按照字節(jié)塊擦除。

2023-01-13 標(biāo)簽：FlaSh 存儲器 RAM 978 0

什么是單片機(jī)及其特性與應(yīng)用領(lǐng)域

單片機(jī)除具有計算機(jī)基本邏輯與數(shù)據(jù)處理功能之外，還自帶RAM、ROM、I/O口以及定時器等外設(shè)，并由芯片制造商提供完備的軟件和硬件開發(fā)工具及文檔支持，極大...

2024-02-15 標(biāo)簽：單片機(jī)RAM 定時器 974 0

如何使用ALU,RAM,寄存器打造一個CPU 2

CPU簡介 **「計算機(jī)的心臟是中央處理單元，簡稱“CPU”」** 。這篇文章就利用前幾篇文章中提到過的ALU,RAM,寄存器組件做一個CPU。

2023-01-30 標(biāo)簽：寄存器 cpu RAM 972 0

影響SaberRD仿真速度的因素有哪些呢？

目前，專業(yè)仿真軟件的功能不斷增加，仿真領(lǐng)域不斷擴(kuò)大，處理的對象越來越復(fù)雜，這一切都使得軟件自身顯得越來越龐大，而硬件的更新速度也往往慢于軟件更新的速度，...

2023-12-06 標(biāo)簽：RAM 仿真器 FSB 954 0

幾個方面來理解和掌握新型的MCU

完成了MCU的硬件和資源的初始化后，接下來就是對程序中使用到的一些變量和數(shù)據(jù)的初始化設(shè)置，這一部分的初始化需要根據(jù)具體的項目及程序的總體安排來設(shè)計。對于...

2024-01-19 標(biāo)簽：mcu IO RAM 950 0

基于樹莓派CM4的工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)PC

CM4 Sensing是一種工業(yè)計算機(jī)，旨在滿足物聯(lián)網(wǎng)和數(shù)據(jù)采集應(yīng)用的特定要求。利用樹莓派計算模塊4（CM4），這款緊湊的設(shè)備為工業(yè)環(huán)境提供了一個通用而...

2023-06-29 標(biāo)簽：CAN總線 RAM 工業(yè)計算機(jī) 937 0

Linux進(jìn)程地址空間詳解

RAM 的某些部分永久地分配給內(nèi)核, 并用來存放內(nèi)核代碼以及靜態(tài)內(nèi)核數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu). RAM 的其余部分稱為動態(tài)內(nèi)存 (dynamic memory). 動態(tài)...

2023-12-18 標(biāo)簽：RAM Linux 操作系統(tǒng) 934 0

淺談嵌入式固件源碼的5個常見誤區(qū)

通過C的malloc()標(biāo)準(zhǔn)庫例程或C++的 new 關(guān)鍵字創(chuàng)建的所有數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)都駐留在堆中。堆是RAM中具有預(yù)定最大大小的特定區(qū)域。

2023-02-17 標(biāo)簽：以太網(wǎng)RAM 操作系統(tǒng) 933 0

stm32wle5雙SRAM使用

首先MDK工程添加IRAM2，具體地址與大小參考數(shù)據(jù)手冊

2023-10-13 標(biāo)簽：RAM STM32 SRAM存儲器 931 0

為什么單片機(jī)內(nèi)存那么少？

很多小伙伴就有這樣的疑問：現(xiàn)在固態(tài)硬盤都以 T 為單位了，手機(jī)電腦內(nèi)存都是8G、甚至32G了，為什么單片機(jī)RAM連1M都不到？

2023-07-02 標(biāo)簽：微控制器單片機(jī)mcu 902 0

C語言：嵌入式開發(fā)中的關(guān)鍵編譯器角色

嵌入式程序開發(fā)跟硬件密切相關(guān)，需要使用C語言來讀寫底層寄存器、存取數(shù)據(jù)、控制硬件等，C語言和硬件之間由編譯器來聯(lián)系，一些C標(biāo)準(zhǔn)不支持的硬件特性操作，由編...

2024-04-26 標(biāo)簽：RAM C語言嵌入式開發(fā) 902 0

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費(fèi)云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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