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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

使用Cauer網(wǎng)絡(luò)仿真熱行為與對開關(guān)損耗影響的評估

過去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型，它們主要適用于簡單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時(shí)，這些簡單的模型通常無法預(yù)測與為優(yōu)化器件...

2023-12-29 標(biāo)簽：安森美 SiC 熱仿真 1869 0

如何實(shí)現(xiàn)一種7.5kW電動汽車碳化硅逆變器的設(shè)計(jì)呢？

第三代功率半導(dǎo)體碳化硅SiC具有高耐壓等級、開關(guān)速度快以及耐高溫的特點(diǎn)，能顯著提高電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)的效率、功率密度和可靠性。

2023-12-28 標(biāo)簽：電動汽車逆變器散熱器 2064 0

4H-SiC缺陷概述

4H-SiC概述（生長、特性、應(yīng)用）、Bulk及外延層缺陷、光致發(fā)光/拉曼光譜法/DLTS/μ-PCD/KOH熔融/光學(xué)顯微鏡，TEM，SEM/散射光等...

2023-12-28 標(biāo)簽：SEM SiC TEM 3053 0

碳化硅功率器件的優(yōu)勢、應(yīng)用及發(fā)展

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其獨(dú)特的物理特性，如高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等，在功率器件領(lǐng)域展...

2023-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 626 0

碳化硅器件封裝技術(shù)解析

碳化硅（ SiC ）具有禁帶寬、臨界擊穿場強(qiáng)大、熱導(dǎo)率高、高壓、高溫、高頻等優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)用于硅基器件的傳統(tǒng)封裝方式寄生電感參數(shù)較大，難以匹配 SiC 器件...

2023-12-27 標(biāo)簽：電力系統(tǒng)封裝技術(shù)SiC 2428 0

物理氣相傳輸法生長SiC晶圓中的缺陷和測試

和Si晶體拉晶工藝類似，PVT法制備SiC單晶和切片形成晶圓過程中也會引入多種缺陷。這些缺陷主要包括：表面缺陷；引入深能級的點(diǎn)缺陷；位錯(cuò)；堆垛層錯(cuò)；以及...

2023-12-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 SiC 3348 0

碳化硅功率器件的工作原理和優(yōu)勢

　　隨著科技的飛速發(fā)展，電力電子技術(shù)在各種領(lǐng)域中發(fā)揮著越來越重要的作用，從電動汽車到數(shù)據(jù)中心，再到可再生能源系統(tǒng)，其應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大。在這一領(lǐng)域，碳化硅...

2023-12-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 693 0

門極驅(qū)動器的重要性

一個(gè)良好的功率電路不僅由靜態(tài)器件如SiC和GaN MOSFETs組成，還包含了門極驅(qū)動器。這是一個(gè)獨(dú)立的元素，位于電子開關(guān)之前，確保以最佳方式為其提供驅(qū)...

2023-12-24 標(biāo)簽：SiC 開關(guān)器件門極驅(qū)動器 868 0

碳化硅離子注入和退火工藝介紹

統(tǒng)的硅功率器件工藝中，高溫?cái)U(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來說，高溫?cái)U(kuò)散工藝簡單，設(shè)備便宜，摻雜分布輪廓為等向性，且高溫?cái)U(kuò)散工...

2023-12-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 3307 0

SiC MOSFET中的交流應(yīng)力退化

本文匯集了 SiC MOSFET 最新結(jié)果的特定方面，涉及由于應(yīng)用交流柵極偏置應(yīng)力（也稱為柵極開關(guān)應(yīng)力）導(dǎo)致的閾值電壓 (VT) 退化及其影響溝槽幾何器...

2023-12-22 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 SiC 1027 0

碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景

隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高導(dǎo)...

2023-12-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1044 0

8英寸SiC晶體生長熱場的設(shè)計(jì)與優(yōu)化

碳化硅（SiC）材料被認(rèn)為已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè)。其寬帶隙、高溫穩(wěn)定性和高導(dǎo)熱性等特性將為SiC基功率器件帶來一系列優(yōu)勢。近年來，隨著新能源汽車企業(yè)...

2023-12-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 2581 0

SiC MOSFET驅(qū)動電壓尖峰的抑制方法簡析（下）

高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一，這能讓系統(tǒng)效率顯著提升，但也會在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而在驅(qū)動電壓上產(chǎn)生更大的尖峰。

2023-12-20 標(biāo)簽：MOSFET 電磁干擾 SiC 4933 2

碳化硅功率器件的技術(shù)、應(yīng)用與發(fā)展簡析

碳化硅（SiC）是一種具有優(yōu)異物理特性的半導(dǎo)體材料，其高電子飽和遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)和高電子飽和遷移率等特點(diǎn)使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

2023-12-19 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SBD 849 0

SiC MOSFET用于電機(jī)驅(qū)動的優(yōu)勢在哪里

在我們的傳統(tǒng)印象中，電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)往往采用IGBT作為開關(guān)器件，而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應(yīng)用相關(guān)聯(lián)。但在特...

2023-12-16 標(biāo)簽：MOSFET 電機(jī)驅(qū)動 IGBT 723 0

隔離式柵極驅(qū)動器的演變（IGBT/SiC/GaN）

報(bào)告內(nèi)容包含：效率和功率密度推動變革基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動器功能驅(qū)動器演進(jìn)以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）驅(qū)動器進(jìn)化以支持 ...

2023-12-18 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 579 0

碳化硅外延設(shè)備技術(shù)研究

與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅、鍺相比，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、高溫穩(wěn)定性好以及...

2023-12-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料 SiC 2719 0

SiC MOSFET驅(qū)動電壓尖峰與抑制方法分析（上）

高頻、高速開關(guān)是碳化硅(SiC) MOSFET的重要優(yōu)勢之一，這能顯著提升系統(tǒng)效率，但也會在寄生電感和電容上產(chǎn)生更大的振蕩，從而讓驅(qū)動電壓產(chǎn)生更大的尖峰。

2023-12-18 標(biāo)簽：MOSFET emc 電磁干擾 4943 1

SiC功率器件中的失效機(jī)制分析

SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用，例如電動汽車充電和牽引、儲能系統(tǒng)和工業(yè)電源。SiC 功率...

2023-12-15 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體肖特基二極管 5029 0

Boost變換器中SiC與IGBT模塊熱損耗對比研究

摘要：針對Boost變換器中SiC(碳化硅)與IGBT模塊熱損耗問題，給出了Boost電路中功率模塊熱損耗的估算方法，并提供了具體的估算公式。以30k...

2023-12-14 標(biāo)簽：變換器 IGBT Boost 1919 0

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快充技術(shù)

快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

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+關(guān)注

Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
WPC

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手機(jī)快充

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A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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USB-PD

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納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
醫(yī)療電源

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PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
系統(tǒng)電源

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
LT8705

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”

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