美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V肖特基二極管系列
2012-11-22 14:09:06
1242 在很寬的范圍內(nèi)實現(xiàn)對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:261373 碳化硅（SiC）材料被認為已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè)。其寬帶隙、高溫穩(wěn)定性和高導熱性等特性將為SiC基功率器件帶來一系列優(yōu)勢。近年來，隨著新能源汽車企業(yè)將SiC基MOSFET模塊應用于高端汽車
2023-12-20 13:46:36834 
提升，都需要SiC器件的深度參與。 ? 但SiC器件的生產(chǎn)流程和生產(chǎn)工藝其實門檻還挺高的，一般來說，SiC生產(chǎn)流程主要涉及以下五個過程： 一是單晶生長，以高純硅粉和高純碳粉作為原材料形成SiC晶體； 二是襯底環(huán)節(jié)，SiC晶體經(jīng)過切割、研磨、拋光、
2022-03-14 07:34:003491 新的SiC晶體制備技術(shù)。 ? 成本低質(zhì)量還高，液相法會是未來SiC 降本的核心？ ? 目前SiC單晶制備主流都是通過物理氣相傳輸PVT法生長，核心的步驟包括將SiC粉料進行高溫加熱，加熱后SiC粉料升華成氣體，氣體移動到籽晶表面緩慢生長成晶體。 ? 但
2023-07-12 09:00:19829 3D圖像的主流技術(shù)有哪幾種？Bora傳感器的功能亮點是什么？
2021-05-28 06:37:34
晶體生長和器件加工技術(shù)的額外動力。在20世紀80年代后期，世界各地正在進行大量努力，以提高SiC襯底和六方SiC外延的質(zhì)量 - 垂直SiC功率器件所需 - 從日本的京都大學和AIST等機構(gòu)到俄羅斯
2023-02-27 13:48:12
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等
2018-11-30 11:34:24
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展，性能有望進一步提升。從下一篇開始，將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關(guān)鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結(jié)構(gòu)而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
作的。全橋式逆變器部分使用了3種晶體管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介紹的第三代溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET），組成相同尺寸的移相DCDC轉(zhuǎn)換器，就是用來比較各產(chǎn)品效率的演示機
2018-11-27 16:38:39
-SBD的發(fā)展，整理一下當前實際上供應的SiC-SBD。電源IC等通過不同的架構(gòu)和配置功能比較容易打造出品牌特色，而二極管和晶體管等分立元器件，功能本身是一樣的，因此是直接比較幾乎共通的特性項目來選型的。此時
2018-11-30 11:51:17
WInSiC4AP的主要目標是什么？SiC技術(shù)在WInSiC4AP中有什么應用？
2021-07-15 07:18:06
在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項目提供資金支持，實現(xiàn)具有重大經(jīng)濟和社會影響的優(yōu)勢互補的研發(fā)活動。
2019-07-30 06:18:11
工作等SiC的特征所帶來的優(yōu)勢。通過與Si的比較來進行介紹。”低阻值”可以單純解釋為減少損耗，但阻值相同的話就可以縮小元件（芯片）的面積。應對大功率時，有時會使用將多個晶體管和二極管一體化的功率模塊
2018-11-29 14:35:23
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
Transistor : 絕緣柵極雙極型晶體管）等少數(shù)載流子器件（雙極型器件），但是卻存在開關(guān)損耗大 的問題，其結(jié)果是由此產(chǎn)生的發(fā)熱會限制IGBT的高頻驅(qū)動。SiC材料卻能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的多數(shù)
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與Si相比，它在應用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
：快充和換電。換電是蔚來汽車主推的，而大多數(shù)車企主導的是快充方式。快充分為大電流和高電壓兩種。目前，電動汽車快充主流產(chǎn)品，即傳統(tǒng)硅基IGBT功率器件，正在逼近材料特性極限，而下一代半導體材料SiC
2022-12-27 15:05:47
Sic mesfet工藝技術(shù)研究與器件研究針對ＳｉＣ 襯底缺陷密度相對較高的問題，研究了消除或減弱其影響的工藝技術(shù)并進行了器件研制。通過優(yōu)化刻蝕條件獲得了粗糙度為２?０７ ｎｍ的刻蝕表面；犧牲氧化
2009-10-06 09:48:48
馬上即將畢業(yè)了，就自己在學校做的項目中包含有幾種主流數(shù)控系統(tǒng)需要進行數(shù)據(jù)采集，總結(jié)一下之前的一些經(jīng)驗和開發(fā)工作，也希望后面再做相關(guān)技術(shù)研究的時候少踩點坑，同時也算是一個階段的總結(jié)吧，畢竟馬上要從事一
2021-07-02 06:38:32
半導體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
基于SiC HEMT技術(shù)的GaN輸出功率> 250W預匹配的輸入阻抗極高的效率-高達80％在100ms，10％占空比脈沖條件下進行了100％RF測試IGN0450M250功率晶體
2021-04-01 10:35:32
的寬帶隙使其可以用于藍色/紫外線發(fā)光二極管和激光二極管，并且由于其固有載流子濃度低，可以在非常高的溫度下工作。 氧化鋅是一種具有纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)的直接寬帶隙材料，可用于氣體傳感器、透明電極、液晶顯示
2021-10-14 11:48:31
重復排列成非常固定的結(jié)構(gòu)，這種材料稱為晶體。原子沒有固定的周期性排列的材料被稱為非晶體或無定形。塑料就是無定形材料的例子。晶體生長半導體晶圓是從大塊的半導體材料切割而來的。這種半導體材料，或稱為硅錠
2018-07-04 16:46:41
應用領(lǐng)域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續(xù)應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統(tǒng)硅
2021-09-23 15:02:11
重要考量是SiC二極管/ MOSFET的設計。SiC能夠應對高場應力，因此很多設計都是為了應對這些高應力條件。例如，終端結(jié)構(gòu)需要很多心思，才能確保器件的耐用性。利用寬帶隙（WBG）材料的獨特特性，SiC技術(shù)
2018-10-29 08:51:19
改變，從而影響錫須的生長速度。本文討論在電子設備工程聯(lián)合委員會（JEDEC）推薦的三個測試條件下進行的測試。在一定程度上，這些測試代表一些常見的實地應用條件。在測試結(jié)果的基礎上研制減輕錫須生長的技術(shù)
2015-03-13 13:36:02
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測晶體管的性能？怎樣去檢測特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
隨著雷達應用需求的不斷擴展，作為關(guān)鍵部件的天線，尤其是主流的有源相控陣天線的發(fā)展日新月異。為適應現(xiàn)代雷達的高設計指標要求，新的解決方案、設計理論、材料以及微波器件正不斷涌現(xiàn)，天線微波領(lǐng)域面臨著
2019-07-17 06:43:32
的機遇和挑戰(zhàn)等方面，為從事寬禁帶半導體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應用的專業(yè)人士和研究生提供了難得的學習和交流機會。誠摯歡迎大家的參與。1、活動主題寬禁帶半導體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應用2
2017-07-11 14:06:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
`①未來發(fā)展導向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的，“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
，避免故障。表1總結(jié)了三種晶體管類型參數(shù)以及GaN、Si和SiC的物理材料。對于Si SJ MOS，選擇了最新的具有本征快速體二極管的Si基MOSFET。GaN和SiC是最新一代的寬帶隙晶體管，更適合
2023-02-27 09:37:29
應用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國內(nèi)品牌誰先成功掌握這種技術(shù)，那它就會呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
電容觸摸感應技術(shù)已經(jīng)成為汽車設計中的主流技術(shù)
2021-05-12 07:03:29
地殼表面找到。能夠再生：石英晶體可以進行人工合成。石英原礦在高壓釜中經(jīng)過加工，生長成高純度和完美的石英晶體條。重復處理技術(shù)：先進的制造技術(shù)及嚴格的誤差控制確保極高的精度。硬而不脆：這種材料的獨特性在于
2008-11-24 16:20:40
更新?lián)Q代，SiC并不例外 新一代半導體開關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級階段，有望進一步改善許多應用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術(shù)的進步，未來還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
的一種最具有優(yōu)勢的半導體材料.并且具有遠大于Si材料的功率器件品質(zhì)因子。SiC功率器件的研發(fā)始于20世紀90年代.目前已成為新型功率半導體器件研究開發(fā)的主流。2004年SiC功率MOSFET不僅在高
2017-06-16 10:37:22
緯湃科技選擇羅姆為其SiC技術(shù)的首選供應商
2021-03-11 08:01:56
化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）為代表的化合物半導體材料和以石墨烯為代表的碳基材料。了解每種新型材料及其應用在技術(shù)成熟度曲線的位置，對我們研發(fā)、投資切入有著極其重要的意義。作為
2017-02-22 14:59:09
行業(yè)內(nèi)主流的識別技術(shù)有哪幾種？
2021-05-17 06:20:42
，采用特別是模塑或三維立體封裝技術(shù)，開發(fā)新一代功率模組，如圖6所示。圖6 : 新一代功率模組（here 3D）考量到SiC是一種相對較新的材料，SiC元件的工作溫度和輸出功率高于矽，有必要在專案內(nèi)開發(fā)
2019-06-27 04:20:26
NaCLO3溶液晶體生長是我國載人航天工程中的一項重要空間科學實驗項目，為了確保NaCLO3晶體生長實驗在空間微重力環(huán)境下的成功進行，必須進行充分、有效的地基模擬實驗，包括
2009-12-23 14:09:32
12 為了獲得優(yōu)質(zhì)的碲鋅鎘單晶體，采用工控機和組態(tài)王６?５３開發(fā)了一種晶體生長參數(shù)的檢測優(yōu)化系統(tǒng)．實現(xiàn)對晶體生長爐內(nèi)各個溫區(qū)的溫度、籽晶桿的旋轉(zhuǎn)方式及各個時段的旋轉(zhuǎn)速
2010-03-01 16:30:1616 SiC,SiC是什么意思
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構(gòu)類型。其典型結(jié)構(gòu)可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構(gòu)的立方SiC晶型，稱為3C
2010-03-04 13:25:266541 基于嵌入式Linux的晶體生長控徑系統(tǒng)的研究
1 引言
隨著單晶硅片制造向大直徑化發(fā)展，直拉法單晶硅生長技術(shù)在單晶硅制造中逐漸顯出其主導地位。為使
2010-03-12 11:14:29435 
分析了SiC半導體材料的結(jié)構(gòu)類型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長技術(shù)及器件工藝技術(shù)， 簡要討論了SiC 器件的主要應用領(lǐng)域和優(yōu)勢
2011-11-01 17:23:2081 運用圖形化編程語言對采集的單晶硅生長信息圖進行圖像處理,對部分釋熱光環(huán)進行圓弧擬合,由擬合出的圓進行晶體生長直徑檢測。實驗表明,該設計能夠很好地完成圓弧擬合,實現(xiàn)對單晶
2011-11-03 15:42:2621 GT Advanced Technologies Inc.日前推出全新的 DSS450 MonoCast 晶體生長系統(tǒng)。
2012-02-05 10:44:22588 一種新型4H_SiC雙極結(jié)型晶體管的研究_仇坤
2017-01-07 21:45:572 SiC作為寬禁帶半導體材料，與Si相比具有擊穿場強高、導熱系數(shù)高、載流能力大、開關(guān)速度快、可高溫工作等優(yōu)點，適用于高壓、高溫、高頻等領(lǐng)域的應用。
2018-05-17 09:27:124668 近日，在中國電子科技集團公司第二研究所（簡稱中國電科二所）生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺碳化硅（SiC）單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。
2018-06-07 14:49:007568 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
沙子轉(zhuǎn)變?yōu)榘雽w級硅的制備，再將其轉(zhuǎn)變成晶體和晶圓，以及生產(chǎn)拋光晶圓要求的工藝步驟。這其中包括了用于制造操作晶圓的不同類型的描述。生長450mm直徑的晶體和450mm晶圓的制備存在的挑戰(zhàn)性。
2018-07-19 10:09:3113334 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是半導體制造教程之工藝晶體的生長資料概述
一、襯底材料的類型1.元素半導體 Si、Ge…。2. 化合物半導體 GaAs、SiC 、GaN…
2018-11-19 08:00:0040 瑞典的研究人員在碳化硅（SiC）上生長出更薄的IIIA族氮化物結(jié)構(gòu)，以期實現(xiàn)高功率和高頻薄層高電子遷移率晶體管（T-HEMT）和其他器件。
2019-02-02 17:29:003593 本發(fā)明提供一種 PVT 法生長 SiC 晶體的籽晶固定方法，包括，將所述籽晶晶片邊緣通過粘結(jié)劑粘接于具有一定寬度以能可靠粘結(jié)固定所述籽晶的環(huán)形連接件的一端面 ；將所述連接件套裝在端部周邊邊緣開槽
2020-04-09 08:00:0017 本實用新型公開一種適用于 PVT 法生長 SiC 晶體系統(tǒng)的測溫結(jié)構(gòu)，所述系統(tǒng)具有用坩堝圍成的晶體生長用晶體生長室，配置于生長室室內(nèi)頂部的籽晶托，和在所述晶體生長室外圍的保溫層 ；所述的測溫結(jié)構(gòu)包括
2020-04-09 08:00:003 雖然在商用化學氣相沉積設備中可以在一次運行中實現(xiàn)多片4H－SiC襯底的同質(zhì)外延生長，但是必須將晶片裝載到可旋轉(zhuǎn)的大型基座上，這導致基座的直徑隨著數(shù)量或者外延晶片總面積的增加而增加。
2020-12-26 03:52:29492 碳化硅（SiC）在設計大功率電子器件方面優(yōu)于傳統(tǒng)硅，開發(fā)者們對SiC材料的物理特性還有性能有較多的認識，這種高性能化合物半導體的被廣泛采用，但在應用中如何控制晶體的缺陷密度仍是一個挑戰(zhàn)。
2022-04-16 17:07:542689 基于以日本、美國和歐洲為中心對生長、材料特性和器件加工技術(shù)的廣泛研究，SiC SBD和金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的生產(chǎn)已經(jīng)開始。然而，SiC功率MOSFET的性能仍遠未達到材料的全部潛力。
2022-11-02 15:04:281551 這次，合作團隊使用 Air Water 開發(fā)的 3C-SiC 晶體，評估了熱導率并進行了原子級分析。具體而言，首先，在硅(Si)基板上形成厚度100μm的3C-SiC。之后，去除 Si 以制造 3C-SiC 自支撐襯底。
2022-12-21 10:19:271802 純SiC晶體是通過Lely升華技術(shù)生長的。晶體主要是6H-SiC，但包括其它多型體。1978年，Tairov和Tsvetkov發(fā)明了一種可復制的SiC晶塊生長方法。
2022-12-28 11:44:13717 本實驗通過以自主研發(fā)的由c軸偏向<11-20>方向4°的6英寸4H-SiC襯底作為籽晶和擴徑生長的起始點，采用物理氣相傳輸(physical vapor transport, PVT)法進行擴徑生長獲得直徑放大的SiC單晶。
2023-01-17 14:10:101194 介紹了SIC碳化硅材料的特性，包括材料結(jié)構(gòu)，晶體制備，晶體生長，器件制造工藝細節(jié)等等。。。歡迎大家一起學習
2023-03-31 15:01:4817 碳化硅單晶襯底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下簡稱SiC襯底）也是晶體材料的一種，屬于寬禁帶半導體材料，具有耐高壓、耐高溫、高頻、低損耗等優(yōu)勢，是制備大功率電力電子器件以及微波射頻器件的基礎性材料。
2023-05-18 09:54:341934 
由于GaN在高溫生長時N的離解壓很高，很難得到大尺寸的GaN單晶材料，因此，為了實現(xiàn)低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人員經(jīng)過幾十年的不斷研究，并不斷嘗試利用不同的外延生長方法在Si
2023-06-10 09:43:44682 8.2.10.34H-SiC反型層遷移率的實驗結(jié)果8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件
2022-03-05 10:43:22266 
6.3.7遷移率限制因素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-21 09:37:00736 6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.3.5.5界面的不穩(wěn)定性∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-21 09:35:56706 8.2.11氧化層可靠性8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：8.2.10.34H-SiC
2022-03-07 09:51:01285 6.5總結(jié)第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》6.4.2.2n型SiC
2022-01-27 09:16:44861 8.2.12MOSFET瞬態(tài)響應8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：8.2.11氧化層可靠性
2022-03-07 09:38:20455 7.1.1阻斷電壓7.1SiC功率開關(guān)器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.5總結(jié)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件
2022-02-07 16:12:08568 和載流子濃度2.2.2光吸收系數(shù)和折射率2.2.1能帶結(jié)構(gòu)2.1晶體結(jié)構(gòu)第３章碳化硅晶體生長3.9總結(jié)3.8切片及拋光3.7化學氣相淀積法生長3C-SiC晶圓3.6溶液
2022-05-09 17:19:452152 
6.4.1.2SiC上的肖特基接觸6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-24 10:22:28480 6.3.4.1SiC特有的基本現(xiàn)象6.3.4電學表征技術(shù)及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.3.3熱氧化氧化
2022-01-05 13:59:37493 6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.4.1.2SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-24 10:09:121034 6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-25 09:18:08743 5.3.2.1壽命控制5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：5.3.2載流子壽命“殺手
2022-01-06 09:38:25510 5.3.2載流子壽命“殺手”5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：5.3.1.2雜質(zhì)∈《碳化硅
2022-01-06 09:37:40535 5.3.1.2雜質(zhì)5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技術(shù)
2022-01-06 09:30:23552 5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能
2022-01-06 09:27:16693 6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸
2022-01-26 10:08:16636 5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能的影響5.2SiC的擴展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內(nèi)容：5.2.1SiC主要的擴展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:55621 科友半導體突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。2023年4月，科友半導體8英寸SiC中試線正式貫通并進入中試線生產(chǎn)，打破了國際在寬禁帶半導體關(guān)鍵材料的限制和封鎖。
2023-06-25 14:47:29342 SiC 生產(chǎn)過程分為 SiC 單晶生長、外延層生長及器件制造三大步驟，對應的是產(chǎn)業(yè)鏈襯底、外延、器件與模組四大環(huán)節(jié)。 主流制造襯底的方式首先以物理氣相升華法，在高溫真空環(huán)境下將粉料升華，通過溫場的控制在籽晶表面生 長出碳化硅晶體。
2023-08-04 11:32:13398 
SiC，作為發(fā)展最成熟的寬禁帶半導體材料之一，具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場高、熱導率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強等特點。
2023-09-28 16:54:261287 
Crystals Group Ltd.執(zhí)行總裁Yuri MAKAROV做了“利用碳化鉭的坩堝中物理氣相傳輸生長SiC和AlN晶體”的主題報告。
2023-12-09 14:47:15567 
在接下來的一個章節(jié)里面，我們將主要介紹用砂子制備半導體級硅的方法，以及后續(xù)如何將其轉(zhuǎn)化為晶體和晶圓片(材料制備階段)，以及如何來生產(chǎn)拋光晶圓的過程(晶體生長和晶圓制備)。
2023-12-18 09:30:21217 
浮區(qū)晶體生長是本文所解釋的幾個過程之一，這項關(guān)鍵性的技術(shù)是在歷史早期發(fā)展起來的技術(shù)，至今仍用于特殊用途的需求。
2023-12-28 09:12:07153 
在晶體生長的過程中，由于某些條件的引入將會導致結(jié)構(gòu)缺陷的生成。
2024-01-05 09:12:33123 
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