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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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如何在使用SiC MOSFET時(shí)最大限度地降低EMI和開關(guān)損耗
碳化硅 (SiC) MOSFET 的快速開關(guān)速度、高額定電壓和低導(dǎo)通 RDS(on) 使其對(duì)電源設(shè)計(jì)人員極具吸引力,這些設(shè)計(jì)人員不斷尋找提高效率和功率密...
采用4引腳封裝的SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列
SiC MOSFET:SCT3xxx xR系列是面向服務(wù)器用電源、太陽能逆變器和電動(dòng)汽車充電站等要求高效率的應(yīng)用開發(fā)而成的溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC MOSFE...
未來幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品,設(shè)計(jì)師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
確保SiC驗(yàn)證測試準(zhǔn)確度,有效測量碳化硅功率電子系統(tǒng)中的信號(hào)
在功率電子系統(tǒng)中,差分探頭和參考地電平探頭是兩種常用的電壓測量方法。差分探頭是一種流行的選擇,因?yàn)樗梢院翢o問題地添加到電路的任意節(jié)點(diǎn)中。
2021-07-13 標(biāo)簽:電子系統(tǒng)SiC碳化硅 2384 0
碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用
碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化...
面向汽車應(yīng)用的下一代高壓離散電源產(chǎn)品
電動(dòng)汽車的激增將功率半導(dǎo)體性能的邊界推向了新的高度。傳統(tǒng)上,硅功率器件已用于控制汽車中的各種功率電子系統(tǒng),例如用于主逆變器電機(jī),泵,HVAC壓縮機(jī),制動(dòng)...
2021-05-18 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車二極管IGBT 2372 0
小編在這里給大家分享一下什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)?什么是氮化鎵技術(shù)指標(biāo)體系? 以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體,具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、...
SiC驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)要點(diǎn)(變壓器部分)
在設(shè)計(jì)SiC(碳化硅)驅(qū)動(dòng)電源時(shí),需要考慮以下幾個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn):
2024-03-18 標(biāo)簽:IGBTSiC驅(qū)動(dòng)電源 2357 0
碳化硅MOSFET的經(jīng)濟(jì)高效且可靠的大功率解決方案
碳化硅已被證明是高功率和高電壓設(shè)備的理想材料。但是,設(shè)備的可靠性極其重要,我們不僅指短期可靠性,還指長期可靠性。性能、成本和可制造性也是其他重要因素,但...
SiC MOSFET溝槽結(jié)構(gòu)將柵極埋入基體中形成垂直溝道,盡管其工藝復(fù)雜,單元一致性比平面結(jié)構(gòu)差。
PCIM2024論文摘要|新型400V SiC MOSFET用于高效三電平工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
/摘要/400VSiCMOSFET技術(shù)商用化彌補(bǔ)了長期存在的200V中壓MOSFET與600V超級(jí)結(jié)MOSFET之間產(chǎn)品和技術(shù)空缺。400VSiCMOS...
2024-08-08 標(biāo)簽:MOSFET電機(jī)驅(qū)動(dòng)SiC 2325 0
在電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)控制器中,逆變控制器是實(shí)現(xiàn)能量交直流轉(zhuǎn)化的關(guān)鍵部件,用于電機(jī)的驅(qū)動(dòng)或制動(dòng)時(shí)的能量回收或是提供交流電源。市場對(duì)于逆變控制器的能量傳輸效率、功...
2023-05-11 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車控制器晶體管 2312 0
碳化硅二極管多為肖特基二極管。第一個(gè)商用 SiC 肖特基二極管是在 10 多年前推出的。從那時(shí)起,這些設(shè)備已被整合到許多電源系統(tǒng)中。二極管升級(jí)為 SiC...
如何實(shí)現(xiàn)一種7.5kW電動(dòng)汽車碳化硅逆變器的設(shè)計(jì)呢?
第三代功率半導(dǎo)體碳化硅SiC具有高耐壓等級(jí)、開關(guān)速度快以及耐高溫的特點(diǎn),能顯著提高電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率、功率密度和可靠性。
2023-12-28 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器散熱器 2306 0
當(dāng)討論諸如開關(guān)模式電源(SMPS)或功率因數(shù)校正(PFC)之類的高功率密度和高頻應(yīng)用時(shí),已知硅雙極二極管由于其反向恢復(fù)行為和由此產(chǎn)生的開關(guān)損耗而限制了這...
2021-05-27 標(biāo)簽:升壓轉(zhuǎn)換器PFC肖特基二極管 2300 0
碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料(Si、Ge)和第二代化合物半導(dǎo)體材料(GaAs、GaP、InP等)之后發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體材料。作...
第三代雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET介紹
在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中,ROHM于世界首家實(shí)現(xiàn)了溝槽柵極結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET的量產(chǎn)。這就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。溝槽...
SiC功率模塊的液冷散熱設(shè)計(jì)與節(jié)能分析
為綜合評(píng)估SiC功率模塊的液冷冷板散熱效果,設(shè)計(jì)了串聯(lián)、并聯(lián)與串并聯(lián)三種冷板流道結(jié)構(gòu), 從器件溫升、系統(tǒng)能效、散熱性能三個(gè)方面共計(jì)10項(xiàng)指標(biāo)評(píng)估了冷板性...
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