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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術

碳化硅上的氮化鎵還是硅上的氮化鎵？

SiC上的GaN的主要優(yōu)點是其導熱性優(yōu)勢。SiC上的GaN的導熱性是Si上的GaN的三倍，允許器件在更高的電壓和更高的功率密度下運行。Palmour解釋...

2023-05-24 標簽：SiC GaN 5G 674 0

使用碳化硅基MOSFET提高功率轉(zhuǎn)換效率

碳化硅（SiC）已經(jīng)成為一個明確的選擇，因為它已經(jīng)成熟并且是第三代。基于 SiC 的 FET 具有許多性能優(yōu)勢，特別是在效率、更高的可靠性、更少的熱管理...

2023-05-24 標簽：MOSFET FET SiC 1350 0

碳化硅解決方案滿足快速充電基礎設施設計要求

基于 SiC 的解決方案具有靈活性和適應性，有助于滿足當今對快速電動汽車充電基礎設施日益增長的需求，無論它是否是雙向充電站。無論如何，它們在任何情況下都...

2023-05-24 標簽：電動汽車 SiC 790 0

基于碳化硅的解決方案實現(xiàn)公交車的電氣化

像任何其他電動汽車一樣，公共汽車必須克服里程焦慮，因為它們必須能夠在不需要充電的情況下行駛最短的距離。他們還必須能夠找到距離合理的充電站并能夠快速充電。...

2023-05-24 標簽：電動汽車充電器 SiC 824 0

使用表面貼裝功率器件處理熱量

隨著電子應用繼續(xù)以更小的設備尺寸實現(xiàn)更高的性能，組件也朝著更高的功率密度邁進。反過來，這意味著我們的應用產(chǎn)生的熱量比以往任何時候都多。不受控制或管理不善...

2023-05-24 標簽：電動汽車 SMD SiC 1160 0

使用Wolfspeed碳化硅MOSFET對常見拓撲進行建模

現(xiàn)在，工程師比以往任何時候都更多地選擇基于碳化硅（SiC）的產(chǎn)品，因為它們比基于硅（Si）的組件具有更高的效率、功率密度和更好的整體系統(tǒng)成本效益...

2023-05-24 標簽：二極管 MOSFET SiC 2298 0

半導體工藝與制造裝備技術發(fā)展趨勢

摘要：針對半導體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢進行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術發(fā)展的角度，分析半導體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢，重點介紹集成電路...

2023-05-23 標簽：集成電路半導體工藝 1641 0

如何通過實時可變柵極驅(qū)動強度更大限度地提高SiC牽引逆變器的效率

牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級別可達 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程...

2023-05-23 標簽：電動汽車德州儀器柵極 830 0

柵極驅(qū)動器以及SiC MOSFET柵極驅(qū)動

碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多個應用的高效率電力輸送，比如電動車快速充電、電源、可再生能源以及電網(wǎng)基礎設施。

2023-05-22 標簽：MOSFET IGBT SiC 1837 0

借助SpeedFit設計仿真軟件縮短比較分析的時間

相較于基于硅（Si）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）之類的傳統(tǒng)技術，碳化硅（SiC）元件擁有明顯的優(yōu)點，因此很多應用都能從運用 SiC 器件中獲益。

2023-05-22 標簽：IGBT 晶體管 SiC 658 0

AC/DC 拓撲：SpeedFit 示例

Wolfspeed SpeedFit 2.0 Design Simulator 是一款快速且實用的仿真工具，可快速比較不同的系統(tǒng)規(guī)格、拓撲、器件甚至熱參...

2023-05-22 標簽：二極管變換器 PFC 1306 0

超共源共柵簡史

這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭...

2023-05-22 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 347 0

碳化硅與工業(yè)應用的未來

首先，讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么，以及它與傳統(tǒng)硅的一些不同之處。關于SiC的一個有趣的事實是，碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物質(zhì)。事實上，碳化...

2023-05-20 標簽：電源轉(zhuǎn)換器 SiC 974 0

解析適用于SiC柵極驅(qū)動的PCB布局方法

在為任一高功率或高電壓系統(tǒng)設計印刷電路板 (PCB) 布局時，柵極驅(qū)動電路特別容易受到寄生阻抗和信號的影響。對于碳化硅 (SiC) 柵極驅(qū)動，更需認真關...

2023-05-20 標簽：MOSFET SiC PCB 1767 0

使用行業(yè)標準無底板封裝的碳化硅技術實現(xiàn)系統(tǒng)升級

本文探討了全新的 Wolfspeed WolfPACK 系列無碳化硅無基板功率模塊，并展示了這種多功能且可擴展的模塊方法如何實現(xiàn)當前硅（Si）設計的...

2023-05-20 標簽：SiC 碳化硅 936 0

現(xiàn)代戰(zhàn)術無線電需要氮化鎵

無線電技術不斷發(fā)展，以應對通信挑戰(zhàn)。例如，UHF信號作現(xiàn)場的障礙物（例如墻壁和建筑物）衰減。現(xiàn)代戰(zhàn)術無線電通過使用多進多出（MIMO）方法克服了這一挑戰(zhàn)...

2023-05-20 標簽：MIMO 無線電 SiC 878 0

碳化硅MOSFET在6.6kW高頻高功率密度功率變換器中的應用

本文介紹了碳化硅（SiC）器件在高頻LLC諧振DC/DC轉(zhuǎn)換器中的應用，該轉(zhuǎn)換器可用于總線轉(zhuǎn)換器、電動汽車充電器、服務器電源和儲能。在高開關頻率下，LL...

2023-05-20 標簽：轉(zhuǎn)換器 SiC 2202 1

為什么在新一代雙向OBC設計中選擇SiC而非Si？

硅 (Si) 基功率器件由于其技術的成熟性和相對容易的可獲性，長期占據(jù)著電力電子行業(yè)的主導地位。然而，碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大優(yōu)勢能夠很好...

2023-05-20 標簽：電源太陽能逆變器 2604 0

集成的專業(yè)知識為X波段PA提供最佳的氮化鎵解決方案

氮化鎵是在高頻應用中實現(xiàn)高效運行的無可爭議的技術，例如 X 波段（8–12 GHz）的應用。SiC器件上的GaN可以為這些應用提供急需的高溫可靠性和...

2023-05-20 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 743 0

有效測量碳化硅信號

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2023-05-20 標簽：晶體管 SiC 碳化硅 1012 0

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