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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

關(guān)于特斯拉電動化路徑總結(jié)

特斯拉自研BMS系統(tǒng)設(shè)計(jì)采用主從架構(gòu)，主控制器 (BMU) 負(fù)責(zé)高壓、絕緣測試、高壓互鎖、接觸器控制、對外部通信等功能，從控制器 (BMB) 負(fù)責(zé)單體...

2023-06-07 標(biāo)簽：接觸器特斯拉功率器件 346 0

SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記：各家SiC廠商的MOSFET結(jié)構(gòu)

當(dāng)前量產(chǎn)主流SiC MOSFET芯片元胞結(jié)構(gòu)有兩大類，是按照柵極溝道的形狀來區(qū)分的，平面型和溝槽型。

2023-06-07 標(biāo)簽：芯片 MOSFET JFET 1.4萬 0

SiC MOSFET模塊串?dāng)_問題及應(yīng)用對策

針對SiC MOSFET模塊應(yīng)用過程中出現(xiàn)的串?dāng)_問題，文章首先對3種測量差分探頭的參數(shù)和測量波形進(jìn)行對比，有效減小測量誤差；然后詳細(xì)分析串?dāng)_引起模塊柵...

2023-06-05 標(biāo)簽：三極管 MOSFET 探頭 6559 0

如何利用TRENCHSTOP? 5 IGBT和SiC二極管搭建更小更輕的PFC

緊湊的尺寸和不斷降低的系統(tǒng)成本是電力電子設(shè)計(jì)的開發(fā)者一直追求的目標(biāo)。

2023-06-04 標(biāo)簽：二極管 IGBT PFC 662 0

DPC陶瓷基板及其關(guān)鍵技術(shù)

良好的器件散熱依賴于優(yōu)化的散熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、封裝材料選擇（熱界面材料與散熱基板）及封裝制造工藝等。

2023-06-04 標(biāo)簽：太陽能電池 IGBT LED封裝 1635 0

分立3.3 kV SiC MOSFET關(guān)鍵指標(biāo)的分析

理由相信潮流正在轉(zhuǎn)變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產(chǎn)品公告和亮點(diǎn)博客[4]文章中所討論的那樣，英飛凌宣...

2023-06-03 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 1109 0

淺談碳化硅流程的核心技術(shù)

一種是通過生長碳化硅同質(zhì)外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領(lǐng)域的導(dǎo)電型襯底，外延層上制造各類功率器件；另一種是通過生長氮化鎵異質(zhì)外延...

2023-06-03 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵碳化硅 1853 0

如何實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET的短路檢測及保護(hù)？

SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充電樁及太陽能逆變器等高頻應(yīng)用中日益得到重視。因?yàn)镾iC MOSFET開關(guān)頻率高達(dá)幾百K赫茲，門極驅(qū)動的設(shè)...

2023-06-01 標(biāo)簽：英飛凌變壓器 MOSFET 2594 0

SiC外延工藝基本介紹

外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)...

2023-05-31 標(biāo)簽：MOSFET 晶圓工藝 7718 0

碳化硅的閾值電壓穩(wěn)定性

碳化硅SiC MOSFET的閾值電壓穩(wěn)定性相對Si材料來講，是比較差的，對應(yīng)用端的影響也很大。

2023-05-30 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 SiC 2841 0

討論下電動汽車的發(fā)電模式

功率模塊在電動汽車內(nèi)部工作時，是兩種模式；

2023-05-30 標(biāo)簽：電動汽車二極管 MOSFET 1779 0

SiC MOSFET學(xué)習(xí)筆記2：短路保護(hù)—軟關(guān)斷

想象一個場景：一輛高端新能源車行駛在高速公路上，作為把電池中的直流電轉(zhuǎn)化為交流電送到電機(jī)的核心部件，SiC MOSFET的上管和下管都工作得好好的，你關(guān)...

2023-05-30 標(biāo)簽：MOSFET 比較器 SiC 7041 1

功率半導(dǎo)體分立器件你了解多少呢？

功率半導(dǎo)體分立器件的應(yīng)用十分廣泛，幾乎覆蓋了所有的電子制造業(yè)，傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)電機(jī)等。近年來，新能源汽車及充電系統(tǒng)、軌道交通、智...

2023-05-26 標(biāo)簽：分立器件 SiC 功率半導(dǎo)體 1229 0

優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動的方法

在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。

2023-05-26 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源 SiC 946 0

大族半導(dǎo)體SiC晶圓激光切割整套解決方案

改質(zhì)切割是一種將半導(dǎo)體晶圓分離成單個芯片或晶粒的激光技術(shù)。該過程是使用精密激光束在晶圓內(nèi)部形成改質(zhì)層，使晶圓可以通過輕微外力沿激光掃描路徑精確分離。

2023-05-25 標(biāo)簽：晶圓 SiC 激光切割 2195 0

基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET功率最新進(jìn)展

近期，美國南卡羅來納大學(xué)報道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶...

2023-05-25 標(biāo)簽：充電器晶體管場效應(yīng)晶體管 1372 0

是時候從Si切換到SiC了嗎？

在過去的幾年里，碳化硅(SiC)開關(guān)器件，特別是SiC MOSFET，已經(jīng)從一個研究課題演變成一個重要的商業(yè)化產(chǎn)品。

2023-05-25 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 SiC 156 0

碳化硅的極端耐用性

碳化硅（SiC）是一種陶瓷材料，出于半導(dǎo)體應(yīng)用的目的，通常以單晶形式生長。其固有的材料特性，加上作為單晶生長，使其成為市場上最耐用的半導(dǎo)體材料之一。這種...

2023-05-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1378 0

碳化硅的獨(dú)特性能和應(yīng)用

SiC，也稱為碳化硅，是硅和碳化物在晶體結(jié)構(gòu)中的組合，大約有250種不同的晶體形式可以找到SiC。碳化硅可以采取許多不同的形式：單個SiC晶粒可以燒結(jié)在...

2023-05-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2285 0

碳化硅肖特基二極管的基本原理

在典型的二極管中，p-n結(jié)由p型和n型半導(dǎo)體組合而成。然而，肖特基二極管是不同的：使用金屬代替p型半導(dǎo)體。然后，你有一個被稱為肖特基勢壘的m-s結(jié)，而不...

2023-05-24 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 SiC 1219 0

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快充技術(shù)

快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數(shù)。如描述場發(fā)射的特性時，電流達(dá)到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

寧德時代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
快充

快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
WPC

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手機(jī)快充

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電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
A4WP

A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
USB-PD

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PWM信號

PWM信號

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”
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