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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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APEX微技術發布碳化硅SiC半橋集成電源模塊：SA111

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2023-10-18 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 1229 0

碳化硅功率器件的優勢和應用領域

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SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必...

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什么是碳化硅SiC？碳化硅的特性分析

近年來，使用“功率元器件”或“功率半導體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。這是因為，為了應對全球共通的“節...

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SiC器件如何顛覆不間斷電源設計?

不間斷電源 (UPS) 和其他基于電池的儲能系統可以確保住宅、電信設施、數據中心、工業設備、醫療設備和其他關鍵設備的持續供電。憑借先進的半導體技術，這些...

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IGBT和SiC封裝用的環氧材料

IGBT和SiC功率模塊封裝用的環氧材料在現代電子器件中起著至關重要的作用。以下是從多個角度對這些環氧材料的詳細分析：1.熱管理導熱性能：環氧樹脂需要具...

2024-10-18 標簽：封裝 IGBT SiC 1222 0

寬禁帶半導體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里？

碳化硅襯底是新近發展的寬禁帶半導體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領域，處于寬禁帶半導體產業鏈的前端，是前沿、基礎的核心關鍵材料。

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Lattice Parameters：晶格參數。確保襯底的晶格常數與將要生長的外延層相匹配，以減少缺陷和應力。

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使采用SiC MOSFET的高效AC/DC轉換器設計更容易

BM2SC12xFP2-LBZ是業內先進*的AC/DC轉換器IC，采用一體化封裝，已將1700V耐壓的SiC MOSFET和針對其驅動而優化的控制電路內...

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理想的太陽能光伏逆變器如何造？

全球能源行業正處在一場持續而深刻的變革之中——即從化石燃料能源，向可再生能源的轉變。這個過程盡管曲折，但是對于大趨勢大家早已有了共識，加之近年來智能電網...

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SiC MOSFET柵-源電壓測量方法

本文的關鍵要點?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進行測量，在開關速度較快時，觀察到的波形會發生明顯變化。?受測量時所裝的延長電纜的影響，觀察...

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碳化硅器件功率循環測試解決方案

以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導體，可在更高溫度、電壓及頻率環境正常工作，同時消耗電力更少，持久性和可靠性更強，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、...

2023-06-12 標簽：二極管半導體 SiC 1206 0

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