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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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本文匯集了 SiC MOSFET 最新結(jié)果的特定方面,涉及由于應(yīng)用交流柵極偏置應(yīng)力(也稱為柵極開關(guān)應(yīng)力)導(dǎo)致的閾值電壓 (VT) 退化及其影響溝槽幾何器...
寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用,包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征,并將它與其他方法進行了對比。
2022-10-31 標簽:存儲服務(wù)器數(shù)據(jù)中心 1193 0
功率半導(dǎo)體分立器件的應(yīng)用十分廣泛,幾乎覆蓋了所有的電子制造業(yè),傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域包括消費電子、網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)電機等。近年來,新能源汽車及充電系統(tǒng)、軌道交通、智...
2023-05-26 標簽:分立器件SiC功率半導(dǎo)體 1191 0
過去,仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型,它們主要適用于簡單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是,當涉及到功率器件時,這些簡單的模型通常無法預(yù)測與為優(yōu)化器件...
針對氮化鎵的優(yōu)化KABRA工藝,可使產(chǎn)能提升近40%!
切割出片數(shù)量方面,以2英寸、5mm的氮化鎵晶錠為例,在切割指定厚度為400微米的襯底時,KABRA工藝可切11片,相比之下出片數(shù)量增加了37.5%。
熱設(shè)計在電力電子系統(tǒng)中起著決定性的作用,以便設(shè)計高功率密度,從而設(shè)計緊湊的系統(tǒng)。
當然,(近乎)完美的電氣開關(guān)已經(jīng)存在很長時間了,但我們在這里不是在談?wù)摍C械。 現(xiàn)代電源轉(zhuǎn)換依賴于理想情況下沒有電阻的半導(dǎo)體開關(guān),當打開時沒有電阻,關(guān)閉時...
碳化硅技術(shù)助力綠色環(huán)保替代方案進入良性循環(huán)
大幅提高可再生能源(尤其是太陽能和風能)的投資回報率(ROI),意味著需要提升儲能系統(tǒng)(ESS)的效率、容量、功率密度和成本效益。由于不斷增長的電動汽車...
碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高導(dǎo)...
安森美VE-Trac SiC用于主驅(qū)逆變器的優(yōu)勢
雙碳目標正加速推進汽車向電動化發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過渡到電動車,新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)因獨特優(yōu)勢將改變電動車的未來,如在關(guān)鍵...
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