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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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隨著全球對更高效、更可持續能源解決方案的需求不斷增加，碳化硅（SiC）功率器件因其卓越的物理和電氣特性而成為電力電子領域的一個重要進展。
SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數產品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，G...
一個良好的功率電路不僅由靜態器件如SiC和GaN MOSFETs組成，還包含了門極驅動器。這是一個獨立的元素，位于電子開關之前，確保以最佳方式為其提供驅...
碳化硅（SiC）功率元器件是一種半導體器件，具有許多獨特的特性，使其在高性能電力電子應用中具有優勢。以下是SiC功率元器件的一些主要特征： 碳化硅（Si...
使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例 小結
此前共用19個篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例”，本文將作為該系列的最后一篇進行匯總。該設計案例中有兩個關鍵要點。一個...
機械斷路器損耗小，但速度很慢，且容易磨損。本博文概述如何通過采用 SiC FET 的固態解決方案解決這些問題，并且損耗也會持續降低。
無線電技術不斷發展，以應對通信挑戰。例如，UHF信號作現場的障礙物（例如墻壁和建筑物）衰減。現代戰術無線電通過使用多進多出（MIMO）方法克服了這一挑戰...
絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時日，事實上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發布了其首款IGBT產品。從那時起，IGBT成為了中壓和高壓（...
碳化硅（SiC）是一種具有優異物理特性的半導體材料，其高電子飽和遷移率、高熱導率、高擊穿場強和高電子飽和遷移率等特點使其在功率器件領域具有廣泛的應用前景。
SiC MOSFET：橋式結構中柵極-源極間電壓的動作-SiC MOSFET的柵極驅動電路和Turn-on/Turn-off動作
本文將針對上一篇文章中介紹過的SiC MOSFET橋式結構的柵極驅動電路及其導通(Turn-on)/關斷( Turn-off)動作進行解說。
SiC單晶是一種硬而脆的材料，切片加工難度大，磨削精度要求高，因此晶圓制造是一個長時間且難度較高的過程。本文介紹了幾種SiC單晶的切割加工技術以及近年來...
硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應用行業占據主導地位，這些應用包括不間斷電源、工業電機驅動、泵以及電動汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產...
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 可顯著降低開關損耗和提高功率密度。這些特性對于數字電源轉換...
SA111采用碳化硅（SiC）技術和領先的封裝設計，突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。
第一代半導體材料以傳統的硅（Si）和鍺（Ge）為代表，是集成電路制造的基礎，廣泛應用于低壓、低頻、低功率的晶體管和探測器中，90%以上的半導體產品 是用...
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅動器電源必須滿足這些寬帶隙半導體的獨特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應用中設計柵極驅...
下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特...
SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型...
來幾年將看到電子設備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產品和半導體滲透到新的行業和產品，設計師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢，以及如何權衡利弊。主要權衡因素之一是開關損耗，開關損耗會被...
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