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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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SiC功率元器件的開發背景和優點

前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件...

2023-02-22 標簽：轉換器元器件 SiC 699 0

何謂碳化硅

表中黃色高亮部分是Si與SiC的比較。藍色部分是用于功率元器件時的重要參數。如數值所示，SiC的這些參數頗具優勢。另外，與其他新材料不同，它的一大特征是...

2023-02-22 標簽：半導體 SiC 功率元器件 3167 0

介紹SiC肖特基二級管在充電機AC-DC和DC-DC電路中的應用

車載充電機是電動汽車內部的核心部件，其功能是按照電池管理系統的指令，動態調節充電電流和電壓參數，完成電動汽車的充電過程。

2023-02-21 標簽：PFC SiC LLC 677 0

SiC器件的優缺點！

在逆變器、電機驅動器和電池充電器等應用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統成本等優勢。

2023-02-21 標簽：逆變器 IGBT SiC 3882 0

用更多選擇回應積極的反饋

為了提供這種靈活性，UnitedSiC 提供了額外的第 4 代 750V SiC FET，導通電阻為 23、33 和 44 毫歐，以及 6、9 和 11...

2023-02-21 標簽：FET SiC 計算器 283 0

最大限度降低SiC FET的EMI的開關損耗

對高效率、高功率密度和系統簡單性的需求增加，使得碳化硅（SiC） FET 因其快速開關速度、低 R 而成為電源工程師的有吸引力的選擇DS（開啟）和高壓額定值。

2023-02-21 標簽：MOSFET emi SiC 980 0

SiC FET導通電阻隨溫度變化

比較SiC開關的數據手冊可能很困難。SiC MOSFET在導通電阻溫度系數較低的情況下似乎具有優勢，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗...

2023-02-21 標簽：轉換器 MOSFET SiC 1413 0

UnitedSiC FET射流計算機消除SiC FET選擇中的猜忌

電源設計工具在不斷改進，仿真越來越能夠在調節、效率和由此產生的損耗方面輸出準確的波形和性能。不過有一個小問題：模擬器只能使用你告訴它的內容——軟件很聰明...

2023-02-21 標簽：轉換器 DC-DC SiC 317 0

碳化硅在高溫下能與氧發生反應嗎？

　碳化硅的應用主要在于它的半導體性能與力學性能兩個方面。高溫下與氧反應。

2023-02-20 標簽：半導體 SiC 碳化硅 3396 0

分立SIC器件在電驅系統中的應用

更高的效率，省電池，省電費碳化硅控制器具有更高的能量轉換效率，在不同的應用工況下可使能耗降低3%~6% -同樣的電池容量，增加續航里程 -同樣的...

2023-02-20 標簽：控制器 SiC 碳化硅 362 0

更多SiC FET選項意味著經濟高效的解決方案具有更大的靈活性

生活中的一切都是平衡行為，這可能會使決定變得困難。如果涉及金錢，它會帶來另一個維度——如果我購買電動汽車，額外的成本會得到回報嗎？在什么時間？減少二氧化...

2023-02-20 標簽：轉換器充電器 SiC 263 0

使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導體器件的電極間電容

本文介紹了使用多個電流探頭研究SiC和GaN功率半導體器件的電極間電容。它分為四部分：雙電流探頭法原理、測量結果、三電流探頭法原理和測量結果。

2023-02-19 標簽：SiC GaN 功率半導體器件 890 0

碳化硅跟石墨怎樣分辨？哪個比較好？

碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

2023-02-17 標簽：SiC 電阻爐碳化硅 6675 0

中國SiC碳化硅器件行業技術情況研究報告

公司在IGBT的技術基礎上不斷發展以SiC和主的寬禁帶功率半導體器件關鍵技術。斯達作為國內車規級SiC模塊的重要供應商，車規級SiC模塊已獲得了國內外多...

2023-02-17 標簽：SiC 碳化硅 323 0

圖騰柱PFC電路中的SiC FET可以實現承諾的效率增益

互聯網不知道是誰首先創造了“無橋圖騰柱功率因數校正階段”一詞，但它一定是在異想天開和靈感的時刻發明和命名的——在 AC/DC 電源中，該電路可以實現功率...

2023-02-17 標簽：MOSFET PFC SiC 633 0

圖騰柱PFC階段隨著SiC FET的成熟而成熟

這種布置的要點是，它可以被解構為相當于一個全橋交流整流器，然后是一個功率因數校正升壓電路，但實際上與功率流一致的元件更少，損耗更低。圖騰柱電路中只需要兩...

2023-02-17 標簽：轉換器 MOSFET SiC 2274 0

找到你的高壓電源設計最佳平衡點

當 750V 第 4 代 SiC FET 與第 3 代 650V 的比較令人吃驚——例如，6 毫歐器件顯示兩個 R 的強度幾乎減半DS?品質因數和體二極...

2023-02-17 標簽：電源 SiC 氮化鎵 252 0

使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例小結

此前共用19個篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例”，本文將作為該系列的最后一篇進行匯總。該設計案例中有兩個關鍵要點。一個...

2023-02-17 標簽：轉換器 MOSFET IC 1041 0

使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的設計案例-PCB板布局示例

截至上一篇文章，結束了部件選型相關的內容，本文將對此前介紹過的PCB電路板布局示例進行總結。使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉換器的PCB布局示例

2023-02-17 標簽：PCB MOSFET SiC 857 0

SiC FET改進和應用程序挑戰

從人類的角度來看，幾代人過得很慢，在人們的記憶中，從“嬰兒潮一代”到X到千禧一代（Y？）和Z，現在奇怪的是“A”。我想他們只是用完了字母。然而，在半導體...

2023-02-17 標簽：FET SiC GaN 388 0

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