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分立SIC器件在電驅系統中的應用
- 控制器(170264)
- SiC(61351)
- 碳化硅(47293)
- 電驅系統(2274)
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SiC功率器件和模塊！
在很寬的范圍內實現對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產。
2022-11-22 09:59:26
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13732023年中國半導體分立器件銷售將達到4,428億元?
分立器件行業概況
半導體分立器件是半導體產業的基礎及核心領域之一，其具有應用領域廣闊、高成品率、特殊器件不可替代等特性。
從市場需求看，分立器件受益于物聯網、可穿戴設備、智能家居、健康護理、安防電子
2023-05-26 14:24:29
SiC MOSFET的器件演變與技術優勢
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SiC SBD的器件結構和特征
二極管（FRD:快速恢復二極管），能夠明顯減少恢復損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅動實現電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應用于空調、電源、光伏發電系統中的功率調節器、電動汽車
2019-03-14 06:20:14
SiC SBD的正向特性
二極管（FRD:快速恢復二極管），能夠明顯減少恢復損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅動實現電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應用于空調、電源、光伏發電系統中的功率調節器、電動汽車
2019-04-22 06:20:22
SiC-MOSFET器件結構和特征
通過電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。 SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
SiC-MOSFET有什么優點
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
SiC-MOSFET的應用實例
。 首先，在SiC-MOSFET的組成中，發揮了開關性能的優勢實現了Si IGBT很難實現的100kHz高頻工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2個晶體管并聯組成了1個開關
2018-11-27 16:38:39
SiC-SBD的發展歷程
-SBD的發展，整理一下當前實際上供應的SiC-SBD。電源IC等通過不同的架構和配置功能比較容易打造出品牌特色，而二極管和晶體管等分立元器件，功能本身是一樣的，因此是直接比較幾乎共通的特性項目來選型的。此時
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SiC器件在新能源電力系統中的發展分析和展望
推動電網柔性半導體化進程，SiC器件在新型電力系統中應用前景廣闊。在可預見的未來，電力電子器件將向高頻、高效、高功率密度方向快速發展。 在電力系統領域，隨著對高電壓、大電流SiC器件需求的不斷增長
2023-02-27 14:22:06
SiC功率器件SiC-MOSFET的特點
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
SiC功率器件概述
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內控制必要的p型、n型
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SiC功率器件概述
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
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SiC功率器件的封裝技術研究
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SiC功率元器件的開發背景和優點
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點
2018-11-29 14:35:23
SiC大規模上車，三原因成加速上車“推手”
電驅系統將在2023年搭載上車。 SiC更適合電動汽車快充目前電動汽車續航里程已經普遍達到500公里以上，基本可以解決大部分人的出行需求，但充電補能問題仍是新能源汽車普及的最大阻礙。截至2021年底
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分立器件封裝技術及產品的主要發展狀況
和雙極型功率晶體管的特點，現已開發出第5代技術的產品，在600V以上中等電壓范圍內成為主流功率器件，從模塊化封裝轉向分立單管封裝，做成塑封器件，應用于空調器、洗衣機、微波爐、電飯煲、電磁灶等白色家電中
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分立器件的功能范圍/環境要求/技術指標
，分析，并上傳數據至后臺數據庫實時監控比對。 在測試過程中，如有的測試單元有故障，可手動結束測試。 實現計算機的指令信息以及來自測試平臺的狀態信息的綜合處理功能。 當被測器件短路時，系統具有短路
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?概述負載開關電路日常應用比較廣泛，主要用來控制后級負載的電源開關。此功能可以直接用IC也可以用分立器件搭建，分立器件主要用PMOS加三極管實現。本文主要討論分立器件的實現的細節。電路分析如下圖所示R5模擬后級負載，Q1為開關，當R3端口的激勵源為高電平時，Q2飽和導通，MOS管Q1的VGS
2021-10-28 08:28:45
分立器件綜合設計實驗
分立器件綜合設計實驗1、實驗目的① 掌握二極管的單向導電特性和二極管的鉗位作用；② 掌握三極管的開關作用和放大作用；③ 掌握發光二極管LED的應用；2、實驗題目線間短路檢測電路的設計
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在功率二極管中損耗最小的SiC-SBD
SiC-SBD的特征，下面將介紹一些其典型應用。主要是在電源系統應用中，將成為代替以往的Si二極管，解決當今的重要課題——系統效率提高與小型化的關鍵元器件之一。＜應用例＞PFC（功率因數改善）電路電機驅動器電路
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DCT1401半導體分立器件靜態參數測試系統
DCT1401半導體分立器件靜態參數測試系統西安天光測控DCT1401半導體分立器件靜態參數測試系統能測試很多電子元器件的靜態直流參數（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs
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GaN和SiC區別
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Microsem美高森美用于SiC MOSFET技術的極低電感SP6LI封裝
的低電感封裝具有出色的開關特性，使客戶能夠開發更高性能的高可靠性系統，幫助他們從競爭中脫穎而出。” 市場研究機構Technavio指出，面向全球半導體應用的SiC市場預計在2021年前達到大約
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ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業設備功率模塊系列
，很高興能與APEX Microtechnology開展合作。ROHM作為SiC功率元器件的先進企業，能夠提供與柵極驅動器IC相結合的功率系統解決方案，并且已經在該領域取得了巨大的技術領先優勢。我們將與
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Si功率元器件前言
所擁有的特性和特征的應用事例。均分別包含基礎內容。如果是幾十瓦的電源，有內置功率元器件，可減少個別地選擇MOSFET或工作確認。然而，在大功率電路中，切實地純熟掌握分立元器件極為重要。后文將詳細
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eDM電驅模塊概述
及電動商用車。eDM電驅模塊是驅動電機和 eGearDrive 系統的集成，將變速和驅動模塊集成在一起，同樣具備輕量化、高效率、小尺寸、低噪音等特點，已經在各大整車廠得到廣泛應用。在
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【直播邀請】羅姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領先企業，自上世紀 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】SiC MOSFET元器件性能研究
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】特種電源開發
項目名稱：特種電源開發試用計劃：在I項目開發中，有一個關鍵電源，需要在有限空間，實現高壓、大電流脈沖輸出。對開關器件的開關特性和導通電阻都有嚴格要求。隨著SIC產品的技術成熟度越來越高，計劃把IGBT開關器件換成SIC器件。
2020-04-24 17:57:09
【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗連載】風電伺服驅動控制器SiC器件試用
項目名稱：風電伺服驅動控制器SiC器件試用試用計劃：申請理由本人在工業控制領域有十余年的產品開發經驗，目前正在從事風電機組變槳控制系統伺服驅動器的開發，是一個國產化項目，也是SiC器件應用的領域
2020-04-24 18:03:59
【論文】基于1.2kV全SiC功率模塊的輕型輔助電源
700VDC以上。另一方面，由于系統回路內雜散電感的存在，在功率器件開關時會在模塊主端子上產生尖峰電壓，因此在傳統的APS系統中不得已采用1.7kV的混合SiC模塊，該模塊由普通IGBT和SiC SBD組成
2017-05-10 11:32:57
【轉帖】華潤微碳化硅/SiC SBD的優勢及其在Boost PFC中的應用
EMI
如前文所說，反向恢復電流會流經開關器件，從而增加開關器件開啟過程的尖峰電流。在系統工作過程中，變化的電壓信號和電流信號之間相互轉換，在回路中形成干擾源，造成系統電磁兼容的問題。改善電磁兼容問題通常
2023-10-07 10:12:26
為SiC mosfet選擇柵極驅動IC時的關鍵參數
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應用領域，如電動汽車快速充電、數據中心電源、可再生能源、能源等存儲系統、工業和電網基礎設施。具有更高的效率
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為何使用 SiC MOSFET
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
了解一下SiC器件的未來需求
引言：前段時間，Tesla Model3的拆解分析在行業內確實很火，現在我們結合最新的市場進展，針對其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到：目前
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什么是基于SiC和GaN的功率半導體器件？
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導體生產中采用的主要半導體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導體工作溫度。此外，SiC 的導熱性和 GaN 器件中穩定的導通電
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使用SiC-SBD的優勢
應用，實際上已經在HV/EV/PHV的板上充電電路中采用并發揮著SiC-SBD的優勢。關鍵要點:?ROHMSiC-SBD已經發展到第3代。?第3代產品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到改善，并進一步降低了第2代達成的低VF。＜ 相關產品信息 ＞SiC-SBDSi-SBDSi-PND
2018-11-29 14:33:47
全SiC功率模塊介紹
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
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創建一個簡單分立元器件的步驟
第一步，按照我們前面的問答中詳細介紹，新建一個庫文件，如圖2-11所示，填寫名稱為RES，起始名稱為R，PCB封裝那一欄先可以不用填寫，分立器件，Part選擇1即可，其它按照默認設置
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功率器件在工業應用中的解決方案
功率器件在工業應用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業電源中的應用和總結八個部分。
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有些人的印象中是使用在大功率的特殊應用上的，但是實際上，它卻是在我們身邊的應用中對節能和小型化貢獻巨大的功率元器件。SiC功率元器件關于SiC功率元器件，將分以下4部分進行講解。何謂SiC？物理特性
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圖騰柱無橋PFC中混合碳化硅分立器件的應用
75A的混合碳化硅分立器件，并同時推出了TO-247-3和TO-247-4封裝（如上圖），使得客戶在不需要更改電源電路和PCB的基礎上，直接進行Pin To Pin替換驗證測試及使用，在同樣的設計系統中
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/Simulink 直驅式永磁風力發電系統的建模與仿真趙立鄴，孟 鎮(沈陽農業大學信息與電氣工程學院，沈陽 110161)摘 要：直驅式風力發電系統不需要電勵磁、噪聲小、維護費用低、控制簡單，在風力發電系統中越來...
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如何改良SiC器件結構
的高性價比功率芯片和模塊產品。 傳統的平面型碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管（Planar SiC MOSFET，例如垂直雙擴散金屬氧化物晶體管VDMOS）由于器件尺寸較大，影響了器件的特征導通電
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雖然電動和混合動力電動汽車（EV]從作為功率控制器件的標準金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）襯底和工藝技術的FET的轉變代表了提高EV的效率和整體系統級特性的重要步驟
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`①未來發展導向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。在科技發展道路上的，“小型化”和“節能化
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正在漲價！這些分立器件廠商你都知道嗎？
較低端，汽車占比15%。2014年中國分立器件應用最大的領域為計算機與外設，約30%；預計隨著國內企業的研發與創新能力提升、以及產能轉移帶來的壓強系數的快速加強，未來國內汽車等高端應用占比也將向全球
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淺析SiC-MOSFET
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
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淺析SiC功率器件SiC SBD
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混合電驅傳輸系統詳解
作者：麥總前段時間的漢諾威展上，ACOPOStrak 官方就旗下電驅軌道產品做了最新的功能發布，宣稱 ACOPOStrak 現在已經能和普通的傳輸技術整合在一起，集成到設備的物料輸送系統中了。話說
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直驅和雙饋風機技術流派大比對
“直驅 VS 雙饋” 風機技術流派大比對在風電技術的選擇方面，隨著國內風機大型化趨勢的升級，業內對于直驅與雙饋技術孰優孰劣的討論也越加激烈。今天我們就從發展歷史、運維情況、發展趨勢等方面來比對一下
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碳化硅SiC技術導入應用的最大痛點
成本方面，采用新技術可以為汽車制造商節省很多金錢。” 他的理由是：當采用SiC時，開關頻率可以設計得更高，這將提高器件的能效，降低無源元件的尺寸和成本，因為無源器件在應用系統總成本中占比很高。此外，當
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第三代半導體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件
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請教關于Guarding 回路的在測試PCBA上的分立元件詳細應用設計和元器件選型？
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集成柔性功率器件在FPGA或SoC電源中的應用
室內空間對比，PMIC解決方案必須的線路板室內空間低10％。第三，集成器件必須的外界部件低于公司分立解決方案，這進一步減少了總體規格和成本費。降低物料（BOM）器件總數能夠提升可信性。 因而，在設計方案必須好幾個電源軌的系統軟件時，尤其是在必須FPGA或SoC電源的運用中，請考慮到集成柔性功率器件。
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永磁同步電機，新能源車用驅器
電機電驅適配流程指的是將電機與電驅動系統相匹配的過程。在實際應用中，電機和電驅動器可能具有不同的特性，例如電壓、功率、轉速范圍等。因此，為了實現最佳性能、效率和穩定性，需要對它們進行適當
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分立器件詳述
安森美半導體（ON）是一家高產量、低成本的分立半導體器件生產商--提供廣泛的產品系列，包括6，000種以上不同的可靠獨立式和小尺寸集成分立器件滿足電信、消費電子、汽車、
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美國半導體分立器件型號命名方法
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美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業協會半導體分立器件命名方法如下：
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2010-01-16 10:11:141137
1137日本半導體分立器件型號命名方法
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日本生產的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到前五個部分，其各部分的符號意義如下：
&nbs
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SiC半導體材料及其器件應用
分析了SiC半導體材料的結構類型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長技術及器件工藝技術， 簡要討論了SiC 器件的主要應用領域和優勢
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81SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述
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分立器件行業概況，分立器件行業現狀
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25830SiC FET器件的特征
寬帶隙半導體是高效功率轉換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進行了對比。
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666SIC功率器件的發展現狀！
近年來，SiC功率器件結構設計和制造工藝日趨完善，已經接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續完善來提高裝置與系統性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發展現狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
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2020DCT1401分立器件參數測試儀系統
DCT1401 分立器件參數測試儀系統 DCT1401 分立器件參數測試儀系統 能測試很多電子元器件的靜態直流參數 （ 如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs
2023-02-24 09:56:480
0分立器件是什么？
分立器件是指獨立的電子元件，通常由一個或多個電子器件組成。這些器件可以單獨使用，也可以與其他器件組合使用，以完成特定的電路功能。常見的分立器件包括二極管、晶體管、場效應管、電容器、電阻器和電感器等。
2023-02-24 15:26:5312993
12993功率半導體分立器件你了解多少呢？
功率半導體分立器件的應用十分廣泛，幾乎覆蓋了所有的電子制造業，傳統應用領域包括消費電子、網絡通信、工業電機等。近年來，新能源汽車及充電系統、軌道交通、智能電網、新能源發電、航空航天及武器裝備等也逐漸成為了功率半導體分立器件的新興應用領域。
2023-05-26 09:51:40573
573一文看懂SiC功率器件
一、什么是SiC半導體？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:581145
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碳化硅SiC功率器件，全球市場總體規模，前三十大廠商排名及市場份額
本文研究SiC碳化硅功率模塊及分立器件，功率模塊主要包括碳化硅MOSFET模塊（SiC MOSFET Module），分立器件包括碳化硅MOSFET分立器件和碳化硅二極管（主要是碳化硅肖特二極管）。
2023-09-08 11:30:451806
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電子元器件里的半導體分立器件
半導體分立器件是電子元器件中的重要組成部分，它們在電子設備中發揮著重要的作用。本文將介紹半導體分立器件的基本概念、分類、應用和發展趨勢。
2023-11-23 10:12:56796
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工商網監
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