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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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碳化硅器件制造環(huán)節(jié)與硅基器件的制造工藝流程大體類(lèi)似,主要包括光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄等工藝。不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升...
寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用,包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征,并將它與其他方法進(jìn)行了對(duì)比。
2022-10-31 標(biāo)簽:存儲(chǔ)服務(wù)器數(shù)據(jù)中心 1158 0
在提高 SiC 功率器件性能方面發(fā)揮重要作用的最重要步驟之一是器件制造工藝流程。SiC功率器件在用作n溝道而不是p溝道時(shí)往往表現(xiàn)出更好的性能;為了獲得更...
眾所周知單晶材料是SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),依據(jù)器件的使用,還會(huì)要求SiC單晶片要有高的表面質(zhì)量
隨著電動(dòng)汽車(chē)(EV)制造商之間在開(kāi)發(fā)成本更低、行駛里程更長(zhǎng)的車(chē)型方面的競(jìng)爭(zhēng)日益激烈,電力系統(tǒng)工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率的壓力,這可...
SiGaNSiC-MOSFET以及Si-IGBT的工作環(huán)境
GaN 、SiC很有可能在高壓高頻方面完全取代硅基,SiC MOSFET 主打高壓領(lǐng)域;GaN MOSFET 主打高頻領(lǐng)域。
在功率器件半導(dǎo)體領(lǐng)域,越來(lái)越需要高頻高功率耐高溫的功率器件,隨著時(shí)間發(fā)展,硅材料在功率器件領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到了材料性能的極限,碳化硅憑借其材料的優(yōu)越特性開(kāi)始大放異彩
隔離比較器在電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的應(yīng)用
功率半導(dǎo)體供應(yīng)商不斷在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)速度上實(shí)現(xiàn)突破,推出更高的電流等級(jí)、更小的封裝尺寸以及更短的短路耐受時(shí)間的半導(dǎo)體器件。并且隨著寬禁帶半導(dǎo)體器件成本降...
2022-10-14 標(biāo)簽:比較器電機(jī)電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2708 0
UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器讓功率設(shè)計(jì)選擇FET和SiC變得輕而易舉
該工具可以立即計(jì)算出整體效率、動(dòng)態(tài)和導(dǎo)通導(dǎo)致的組件功耗以及電流應(yīng)力水平;甚至可以指定并聯(lián)器件、多個(gè)轉(zhuǎn)換器“支路”和外部散熱片性能,以便預(yù)測(cè)結(jié)溫。
新能源車(chē)的功率控制單元(PCU)是汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)的中樞神經(jīng),管理電池中的電能與電機(jī)之間的流向、傳遞速度。傳統(tǒng) PCU 使用硅基材料半導(dǎo)體制成,強(qiáng)電流與高壓...
使采用SiC MOSFET的高效AC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)更容易
BM2SC12xFP2-LBZ是業(yè)內(nèi)先進(jìn)*的AC/DC轉(zhuǎn)換器IC,采用一體化封裝,已將1700V耐壓的SiC MOSFET和針對(duì)其驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的控制電路內(nèi)...
2022-09-20 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器MOSFETSiC 1186 0
VE-Trac SiC如何讓主驅(qū)逆變器變得更強(qiáng)
雙碳目標(biāo)正加速推進(jìn)汽車(chē)向電動(dòng)化發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車(chē)從燃油車(chē)過(guò)渡到電動(dòng)車(chē),新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)因獨(dú)特優(yōu)勢(shì)將改變電動(dòng)車(chē)的未來(lái),如在關(guān)鍵...
VE-Trac IGBT和碳化硅(SiC)模塊如何延長(zhǎng)電動(dòng)車(chē)?yán)m(xù)航能力
因續(xù)航能力有限而導(dǎo)致的“里程焦慮”是許多消費(fèi)者采用電動(dòng)車(chē)的一個(gè)障礙。增加電池密度和提高能量轉(zhuǎn)換過(guò)程的效率是延長(zhǎng)車(chē)輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關(guān)鍵。能效至關(guān)...
2022-08-31 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOSFET逆變器 3460 0
隨著 SiC MOSFET 等新型功率晶體管越來(lái)越多地用于電力電子系統(tǒng),使用特殊的驅(qū)動(dòng)器已成為必要。通過(guò)提供對(duì) IGBT 和 MOSFET 的可靠控制,...
評(píng)估1200V SiC MOSFET在短路條件下的穩(wěn)健性
由于其極低的開(kāi)關(guān)損耗,碳化硅 (SiC) MOSFET 為最大限度地提高功率轉(zhuǎn)換器的效率提供了廣闊的前景。然而,在確定這些設(shè)備是否是實(shí)際電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的實(shí)...
碳化硅MOSFET的經(jīng)濟(jì)高效且可靠的大功率解決方案
碳化硅已被證明是高功率和高電壓設(shè)備的理想材料。但是,設(shè)備的可靠性極其重要,我們不僅指短期可靠性,還指長(zhǎng)期可靠性。性能、成本和可制造性也是其他重要因素,但...
對(duì)基于碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)的需求持續(xù)快速增長(zhǎng),以最大限度地提高效率并減小尺寸和重量,從而使工程師能夠創(chuàng)建創(chuàng)新的電源解決方案。利用 SiC 技術(shù)的應(yīng)...
隨著寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)變得越來(lái)越流行,正在執(zhí)行不同的耐久性測(cè)試來(lái)評(píng)估二極管在高溫和嚴(yán)酷電流循環(huán)條件下的運(yùn)行情況。毫無(wú)疑問(wèn),電力電子在未來(lái)幾年內(nèi)將繼續(xù)在基礎(chǔ)...
動(dòng)態(tài)測(cè)試確認(rèn)SiC開(kāi)關(guān)頻率的準(zhǔn)確性
碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)等寬帶隙材料由于其電氣特性已被證明優(yōu)于硅,因此在電力電子應(yīng)用中占據(jù)領(lǐng)先地位。盡管被廣泛接受,專(zhuān)家們?nèi)圆粩鄼z查其真實(shí)性。
2022-08-08 標(biāo)簽:MOSFETSiC動(dòng)態(tài)測(cè)試 1975 0
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