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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

SiC MOSFET提高工業(yè)驅(qū)動(dòng)效率

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工業(yè)領(lǐng)域的電力應(yīng)用通常基于強(qiáng)大的電動(dòng)機(jī),用于連續(xù)運(yùn)行的風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動(dòng)器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱。工業(yè)領(lǐng)域最常見的配置是三相電動(dòng)機(jī),由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯?..

2022-07-26 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 933 0

電動(dòng)汽車中的SiC半導(dǎo)體

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電子產(chǎn)品節(jié)能的呼吁可能很難與電子產(chǎn)品節(jié)能的呼聲聯(lián)系起來,因?yàn)檫@意味著您的電費(fèi)只需減少幾美分或?qū)p少全球 CO 2排放量的貢獻(xiàn)很小,但是當(dāng)電動(dòng)汽車的效率更...

2022-07-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車MOSFETSiC 1062 0

SiC MOSFET采用S-MOS單元技術(shù)提高效率

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初創(chuàng)公司 mqSemi 推出了適用于基于功率 MOS 的器件的單點(diǎn)源 MOS (S-MOS) 單元設(shè)計(jì)。使用 Silvaco Victory 工藝和設(shè)備...

2022-07-26 標(biāo)簽:MOSFET晶體管功率器件 1065 0

高性能SiC JFET SJEP120R100A的操作和性能

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本文分析了 JFET SJEP120R100A 的操作和性能。這種 SiC JFET 適用于任何需要高功率和快速開關(guān)速度的應(yīng)用。然而,它特別適合用于音頻...

2022-07-25 標(biāo)簽:JFETSiC碳化硅 1685 0

第4世代SiC MOSFET使用時(shí)的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

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2022-07-22 標(biāo)簽:MOSFETSiC 615 0

安森美VE-Trac SiC用于主驅(qū)逆變器的優(yōu)勢(shì)

雙碳目標(biāo)正加速推進(jìn)汽車向電動(dòng)化發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過渡到電動(dòng)車,新一代半導(dǎo)體材料碳化硅(SiC)因獨(dú)特優(yōu)勢(shì)將改變電動(dòng)車的未來,如在關(guān)鍵...

2022-07-21 標(biāo)簽:MOSFET安森美逆變器 1058 0

新興解決方案增強(qiáng)電動(dòng)汽車電源管理

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電動(dòng)汽車因其在質(zhì)量、功能簡(jiǎn)單性以及最重要的能源效率方面的環(huán)保特性而變得越來越流行。功能推力由電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng),與內(nèi)燃機(jī)相比,電動(dòng)機(jī)的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。在能源效率方面,...

2022-07-21 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車電力系統(tǒng)SiC 557 0

車載充電機(jī)OBC的技術(shù)方向與碳化硅應(yīng)用方案

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車載充電機(jī)(On-Board Charger,簡(jiǎn)稱為OBC)的基本功能是:電網(wǎng)電壓經(jīng)由地面交流充電樁、交流充電口,連接至車載充電機(jī),給車載動(dòng)力電池進(jìn)行慢...

2022-07-20 標(biāo)簽:SiC碳化硅OBC 3404 0

安森美應(yīng)用于UPS的SiC方案

隨著云計(jì)算、超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、5G應(yīng)用和大型設(shè)備的不斷發(fā)展,市場(chǎng)對(duì)不間斷電源(UPS)的需求保持高位,且正在往小型化、高容量化、高效化發(fā)展,設(shè)計(jì)人員面臨...

2022-07-12 標(biāo)簽:UPSSiC碳化硅 678 0

SiC設(shè)計(jì)分享(三):onsemi同等功率的SiC與SiMOST進(jìn)行比較

本文作為系列文章的第三篇,會(huì)從SiC MOS寄生電容損耗與傳統(tǒng)Si MOS作比較,給出分析和計(jì)算過程,供設(shè)計(jì)工程師在選擇功率開關(guān)器件時(shí)參考!

2022-07-06 標(biāo)簽:MOSFETMOSSiC 2610 0

寬帶隙半導(dǎo)體GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)腐蝕

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寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性,這些特性使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種重要材料的濕法腐蝕,即ZnO、GaN和SiC。雖然ZnO在包括HN...

2022-07-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC蝕刻 2497 0

SiC MOS器件柵極氧化物可靠性的挑戰(zhàn)

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除了性能之外,可靠性和堅(jiān)固性是SiC MOSFET討論最多的話題。我們將堅(jiān)固性定義為器件承受特定的特殊壓力事件的能力,例如,短路能力或脈沖電流處理能力。

2022-06-30 標(biāo)簽:SiCFitSiC功率器件 4055 0

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2022-06-24 標(biāo)簽:UPS安森美SiC 1546 0

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在IGBT時(shí)代,門極電壓的選擇比較統(tǒng)一,無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域,還未...

2022-06-06 標(biāo)簽:電壓SiC開關(guān)頻率 3191 0

25 kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南:DC-DC級(jí)的設(shè)計(jì)考慮因素和仿真

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作者:安森美(onsemi)Karol Rendek, Stefan Kosterec ? 在“開發(fā)基于碳化硅的25 kW快速直流充電樁” [1-3] ...

2022-05-10 標(biāo)簽:仿真DC-DCSiC 1.2萬 0

SiC共源共柵在困難條件下的性能解析

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本文探討了 SiC 共源共柵在困難條件下(包括雪崩模式和發(fā)散振蕩)的性能,并研究了它們?cè)诶昧汶妷洪_關(guān)的電路中的性能。

2022-05-07 標(biāo)簽:SiC電壓開關(guān)共源共柵 2771 0

智能混合信號(hào)無橋圖騰柱PFC控制器解決AC-DC電源能效挑戰(zhàn)

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  評(píng)估板在265 VAC、395 VDC下提供300瓦。快速支路開關(guān)采用GaN HEMT,交流電同步整流器采用Si-MOSFET,在整個(gè)電源電壓范圍內(nèi)...

2022-05-06 標(biāo)簽:電源MOSFETSiC 8490 0

SiC在電動(dòng)汽車有哪些應(yīng)用

盡管電動(dòng)汽車歷史不遜于內(nèi)燃機(jī)車,但它實(shí)實(shí)在在地被全世界主要國家推廣,發(fā)生在最近十年。相比于已在市場(chǎng)中接受了數(shù)十上百年考驗(yàn)的內(nèi)燃機(jī)車,電動(dòng)汽車存在許多的不...

2022-04-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC 2457 0

功率器件SiC和GaN的電壓變化率與電流變化率

我們都知道功率半導(dǎo)體器件屬于電力電子開關(guān),開關(guān)速度非常快,1秒可以開關(guān)上千次(kHz),高速功率器件可達(dá)到幾十kHz,甚至上百kHz。開關(guān)速度越快意味著...

2022-04-22 標(biāo)簽:功率器件SiCGaN 3959 0

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在半導(dǎo)體和LED的制造中,需要研磨以使晶片的厚度變薄,以及拋光以使表面成為鏡面。在半導(dǎo)體器件的制造中,半導(dǎo)體制造工藝包括:(1)從晶體生長開始切割和拋光...

2022-04-20 標(biāo)簽:SiC硅片清洗 1.5萬 0

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