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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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消費者、各行業(yè)及政府都在采取各項措施以增加對可再生能源的利用,這正在將發(fā)電和輸配電系統(tǒng)從中心化的電網(wǎng)轉(zhuǎn)換成更加智能化網(wǎng)格化的,支持本地發(fā)電的拓?fù)洌⑼ㄟ^...
2020-12-10 標(biāo)簽:智能電網(wǎng)太陽能光伏SiC 7762 0
【泰克電源設(shè)計與測試】致工程師系列之四:寬禁帶半導(dǎo)體器件GaN、SiC設(shè)計優(yōu)化驗證
選擇TIVH差分探頭的基本原則是以驅(qū)動信號的上升時間為依據(jù),儀器系統(tǒng)對被測點的影響小于3%。上管信號測量考慮因素:帶寬、電壓范圍(共模和差模)、CMRR和連接。
半導(dǎo)體材料Si、SiC和GaN 優(yōu)勢及瓶頸分析
作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限,而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體器件 1.3萬 0
三相1200V/450A SiC MOSFET電動汽車智能功率模塊
該智能功率模塊是為高熱環(huán)境的穩(wěn)定性應(yīng)用而設(shè)計的,額定的 最高結(jié)溫為 175℃。柵極驅(qū)動器本身具備在最高環(huán)境工作溫度為 125℃的情況下、長時間工作的增強(qiáng)...
2020-06-12 標(biāo)簽:電動汽車MOSFET電機(jī)驅(qū)動 2809 0
碳化硅(SiC)是最成熟的WBG寬帶隙半導(dǎo)體材料, 它已經(jīng)廣泛用于制造開關(guān)器件,例如MOSFET和晶閘管。氮化鎵(GaN)具有作為功率器件半導(dǎo)體的潛力,...
長距離電動汽車應(yīng)用中 SiC 功率器件的有效實現(xiàn)
內(nèi)燃機(jī) (IC)、EV 和 HEV 等所有汽車對動力子系統(tǒng)的需求一直呈指數(shù)級增長,以支持高級輔助駕駛系統(tǒng) (ADAS)、電動車窗、車門和后視鏡、內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)...
汽車、工業(yè)、太空和國防領(lǐng)域越來越需要能提升系統(tǒng)效率、穩(wěn)健性和功率密度的SiC功率產(chǎn)品。
干貨 | 一文了解 SiC/GaN 功率轉(zhuǎn)換器驅(qū)動
基于碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體的新型高效率、超快速功率轉(zhuǎn)換器已經(jīng)開始在各種創(chuàng)新市場和應(yīng)用領(lǐng)域攻城略地——這類應(yīng)用包括太陽...
第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場及應(yīng)用分析
SiC主要用于實現(xiàn)電動車逆變器等驅(qū)動系統(tǒng)的小量輕化。SiC器件相對于Si器件的優(yōu)勢之處在于,降低能量損耗、更易實現(xiàn)小型化和更耐高溫。
ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出實現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全...
歷經(jīng)Formula E三季的磨礪,羅姆SiC功率元器件與文圖瑞車隊一同走過了怎樣的歷程?在香港站文圖瑞車隊勇奪冠軍,這背后離不開技術(shù)人員的默默付出。
碳和硅都這么優(yōu)秀了,可是怎么還出了一個碳化硅(SiC)?
你可能沒見過莫桑石,但你一定聽說過金剛砂,這個類似“金剛石”的名稱已經(jīng)霸氣側(cè)露的表示出了它的硬度。常見的作為磨料、耐火材料的金剛砂分黑色和綠色兩種。但是...
基于SiC技術(shù)的碳化硅襯底提升LED的發(fā)光度
大多數(shù)現(xiàn)代LED由氮化銦鎵(InGaN)和藍(lán)寶石襯底組成。該架構(gòu)運行良好,并使LED制造商能夠提供效率超過150流明/瓦的產(chǎn)品。然而,該架構(gòu)確實存在一些...
在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU的WInSiC4AP專案所要達(dá)成的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI攜手為該專案提供...
SiC MOSFET進(jìn)入主流市場,功率器件新局面正式開啟
進(jìn)一步提高切換頻率會導(dǎo)致硅基解決方案效率與最大輸出功率迅速降低,但SiC MOSFET的低切換損耗不會有此問題。透過此范例的證明,工作頻率高達(dá)72kHz...
淺談SiC技術(shù)和封裝的創(chuàng)新 SiC如何應(yīng)對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)
在開始討論技術(shù)和開發(fā)目標(biāo)前,先看一下圖1的電動汽車概念的簡單示意圖。在這種情況下,功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)和牽引電機(jī)所用的電子元器件是本項目的研究方向。
為了充分利用新型功率轉(zhuǎn)換技術(shù),必須在轉(zhuǎn)換器設(shè)計中實施完整的 IC 生態(tài)系統(tǒng),從最近的芯片到功率開關(guān)和柵極驅(qū)動器。
2018-11-28 標(biāo)簽:功率轉(zhuǎn)換器SiCGaN 8692 0
如何通過調(diào)整門極驅(qū)動負(fù)壓,來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法
由于寬禁帶半導(dǎo)體SiC的固有特征,以及不同于Si材料的半導(dǎo)體氧化層界面特性,會引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異,解釋這些差異與材料本身特性...
在現(xiàn)實世界中,沒有理想的開關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn),既能實現(xiàn)低開關(guān)損耗,又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換,并支持超快...
2018-10-30 標(biāo)簽:天線DC-DC轉(zhuǎn)換器SiC 6489 0
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,熱導(dǎo)率是Si的3倍,所以被認(rèn)為是...
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