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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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相對于硅（Si）和碳化硅（SiC），GaN有哪些優勢

最終的器件是額定電壓為650 V的FET，具有4 V的高閾值，小于15mΩ的導通電阻以及類似于單芯片的封裝。

2020-12-07 標簽：晶體管 SiC GaN 3680 0

SiC如何實現比硅更好的熱管理？SiC在電子領域有哪些應用？

碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）組成的半導體化合物，屬于寬帶隙（WBG）系列材料。它的物理鍵非常牢固，使半導體具有很高的機械，化學和熱穩定性。寬...

2021-03-18 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 8205 0

寬帶隙半導體開關：緩慢的開關沿可減少過沖和EMI

在寬帶隙半導體開關的新時代，器件類型的選擇包括具有自己的特性并聲稱具有最佳性能的SiC?MOSFET和GaN HEMT單元。但是，這兩者都不是理想的開關...

2021-03-18 標簽：電容器 MOSFET 緩沖器 7914 0

如何混合Si和SiC器件實現完整SiC MOSFET轉換器相同效率的調制方案

在現代時代，隨著電動汽車（EV）和混合動力汽車（HEV）領域的所有進步對具有高功率密度和效率的轉換器的需求已經增加，尤其是在電動汽車充電點的并網系統中[...

2021-03-22 標簽：電動汽車 MOSFET 整流器 4897 0

SiC與石墨烯覆蓋層一起用于GaN膜的生長

氮化鎵（GaN）為從RF-IC到眾多功率控制IC（例如通信，能源和軍事應用中使用的大功率HEMT）等各種模擬微芯片提供了顯著的性能優勢。GaN還是高能效...

2021-04-04 標簽：led SiC 氮化鎵 1725 0

SiC MOSFET在電源轉換器設計中的優化方案

作者：英飛凌科技資深高級工程師René Mente 談起電源轉換器的設計，諸如碳化硅（SiC）等寬禁帶（WBG）技術是當今進行器件選擇時的現實考慮。65...

2021-03-25 標簽：MOSFET 電源轉換器 SiC 2491 0

SiC肖特基二極管器件設計方案解析

碳化硅（SiC）由于其固有的寬帶隙和高導熱性的材料特性而被廣泛用于中高壓電力半導體器件的制造中。如今，肖特基二極管，MOSFET和JFET是市場上最受歡...

2021-03-27 標簽：MOSFET 肖特基二極管 SiC 6208 0

基于SiC或GaN的功率半導體應用設計

工程師對電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當從基于硅的芯片過渡到碳化硅或寬帶隙器件時，需要多加注意。芯片顯示，基于硅（Si）的半導體比寬帶隙（WBG...

2021-04-06 標簽：電磁干擾 SiC 氮化鎵 3675 0

SiC MOSFET的實時結溫監控電路測量方案

本文介紹了一種新穎的測量電路，以測量用于測量SiC MOSFET的實時或實際結溫。可以看出，出于訂購和處理數據或電流傳感器的目的，不需要本質上復雜的任何算法。

2021-04-23 標簽：MOSFET 監控電路 SiC 6101 0

SiC對電力電子的挑戰碳化硅組件的制造過程

由于SiC具有高導熱性，因此它比其他半導體材料更快地散發熱量。因此，SiC器件可以在極高的功率水平下運行，并且仍然可以散發器件產生的大量多余熱量。

2021-05-13 標簽：SiC 碳化硅 2719 0

面向汽車應用的下一代高壓離散電源產品

電動汽車的激增將功率半導體性能的邊界推向了新的高度。傳統上，硅功率器件已用于控制汽車中的各種功率電子系統，例如用于主逆變器電機，泵，HVAC壓縮機，制動...

2021-05-18 標簽：電動汽車二極管 IGBT 2359 0

允許更高的功率密度的GaAs肖特基二極管

當討論諸如開關模式電源（SMPS）或功率因數校正（PFC）之類的高功率密度和高頻應用時，已知硅雙極二極管由于其反向恢復行為和由此產生的開關損耗而限制了這...

2021-05-27 標簽：升壓轉換器 PFC 肖特基二極管 2273 0

基于SiC的功率轉換器設計實現高功率密度

作者：Maurizio Di Paolo Emilio CISSOID宣布了專門為降低開關損耗或提高功率而量身定制的新型液冷模塊，屬于其三相碳化硅（Si...

2021-05-28 標簽：功率轉換器 SiC 柵極驅動器 1392 0

全面解析快速電動汽車充電技術

簡短的電動汽車部署展望電動汽車、電動動力總成和車輛電氣化技術已經存在多年。事實上，第一個?電動汽車（EV）?出現在晚19日?世紀。然而，在近年來一直...

2021-06-22 標簽：電動汽車 SiC 1.0萬 0

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人們普遍認為，SiCMOSFET可以實現非常快的開關速度，有助于顯著降低電力電子領域功率轉換過程中的能量損耗。然而，由于傳統功率半導體封裝的限制，在實際...

2021-01-27 標簽：SiC 功率半導體功率晶體管 3654 0

功率GaN出現爆炸式增長基于GaN的RF器件獨特優勢眾多

Qorvo這種新型高功率放大器MMIC是專為“商業和軍事雷達，以及電子戰應用”而設計。

2021-01-19 標簽：SiC GaN 射頻技術 2104 0

安森美半導體的SiC電源解決方案解析

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碳化硅在光伏發電逆變器上的應用案例

消費者、各行業及政府都在采取各項措施以增加對可再生能源的利用，這正在將發電和輸配電系統從中心化的電網轉換成更加智能化網格化的，支持本地發電的拓撲，并通過...

2020-12-10 標簽：智能電網太陽能光伏 SiC 7860 0

【泰克電源設計與測試】致工程師系列之四：寬禁帶半導體器件GaN、SiC設計優化驗證

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2020-08-11 標簽：SiC GaN 泰克科技 1286 0

半導體材料Si、SiC和GaN 優勢及瓶頸分析

作為半導體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經發展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導體經過一段時間的積累也正在變得很普及。

2020-09-11 標簽：SiC GaN 半導體器件 1.3萬 0

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