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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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SiC MOSFET和SiC SBD的區別

SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）和SiC SBD（碳化硅肖特基勢壘二極管）是兩種基于碳化硅（SiC）材料的功率半導體器件，它們...

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什么是SiC功率器件？它有哪些應用？

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2024-09-10 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 3425 0

SiC二極管的工作原理和結構

SiC二極管，即碳化硅二極管，作為第三代半導體材料的重要應用之一，其工作原理和結構在電力電子領域具有獨特的重要性。以下將詳細闡述SiC二極管的工作原理和...

2024-09-10 標簽：二極管半導體 SiC 1795 0

SiC二極管在大功率電源上的應用

SiC（碳化硅）二極管在大功率電源上的應用，正逐漸成為電力電子領域的一項重要技術革新。其憑借高能效、高功率密度、高溫穩定性以及優越的電氣特性，在多個大功...

2024-09-10 標簽：二極管 SiC 碳化硅 725 0

SiC二極管概述和技術參數

SiC二極管，全稱SiC碳化硅勢壘二極管，也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管（SiC SBD），是碳化硅（SiC）功率器件的一種，屬于第三代半導體材料的應...

2024-09-10 標簽：二極管 SiC 碳化硅 2014 0

離網場景下SiC MOSFETs應用于三相四橋臂變流器的優勢

*本論文摘要由PCIM官方授權發布/摘要/工商業側儲能正以其經濟性，電網友好性等特點蓬勃發展，其中離網應用場景下，不平衡負載帶載能力，諧波畸變度等都是其...

2024-08-30 標簽：MOSFET SiC 變流器 877 0

GaN和SiC在工業電子領域的優勢

提高工業能源效率是制造業關鍵趨勢，聚焦于優化電力電子設備。MOSFET作為主流電子元件，雖控制高效但壽命短、對過載敏感。新材料如氮化鎵與碳化硅的出現，通...

2024-08-30 標簽：MOSFET SiC GaN 620 0

SiC FET在固態斷路器應用中的沖擊電流處理能力

固態斷路器(SSCB)相比于傳統的電機械斷路器具有多種優勢。基于寬帶隙(WBG)器件如碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)的SSCB可以在許多應用中擴大其...

2024-08-20 標簽：固態斷路器 SiC 582 0

SiC器件在電源中的應用

SiC（碳化硅）器件在電源中的應用日益廣泛，其獨特的物理和化學特性使得SiC成為提升電源效率、可靠性及高溫、高頻性能的關鍵材料。以下將詳細探討SiC器件...

2024-08-19 標簽：電源 SiC 碳化硅 1315 0

提升傳統基于IGBT模塊的電力組件性能的SiC模塊

近年來，1200V和1700V的碳化硅(SiC)MOSFET已成為當前使用IGBT的電力轉換器設計師的真正替代方案。到目前為止，大多數SiCMOSFET...

2024-08-19 標簽：IGBT SiC IGBT模塊 550 0

GaN晶體管和SiC晶體管有什么不同

GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進的功率半導體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應用等領域展現出了顯著的優勢。然而，它們在材料...

2024-08-15 標簽：晶體管 SiC GaN 1393 0

DTS技術提高功率模塊可靠性方面發揮的關鍵作用

派恩杰半導體，中國第三代半導體功率器件的領先品牌，主營碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵HEMT等功率器件產品。在新能源汽車、光伏儲能、白色家電、...

2024-08-12 標簽：半導體功率器件 SiC 1652 0

Qorvo在SiC領域的戰略布局

SiC領域正在迎來群雄逐鹿的新時代，而射頻芯片巨頭Qorvo亦在電源應用領域耕耘多年，已占據自己的一席之地。

2024-08-12 標簽：半導體 SiC 射頻芯片 724 0

CAN SIC收發器助力復雜CAN網絡高效可靠通信（2）

SIC的作用機理在CAN總線上，通過CAN_H和CAN_L兩根線上的電位差來表示CAN信號。CAN總線上的電位差分為兩種：顯性電平(DominantVo...

2024-08-09 標簽：收發器 CAN 通信 2649 0

SiC 技術相對于 Si 具有不可否認的優勢

在逆變器、電機驅動和充電器等應用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、降低的冷卻需求和更低的整體系統成本等優勢。盡管SiC器件的成本高于硅器件，但...

2024-08-08 標簽：MTTF SiC GaN 462 0

PCIM2024論文摘要｜新型400V SiC MOSFET用于高效三電平工業電機驅動

/摘要/400VSiCMOSFET技術商用化彌補了長期存在的200V中壓MOSFET與600V超級結MOSFET之間產品和技術空缺。400VSiCMOS...

2024-08-08 標簽：MOSFET 電機驅動 SiC 2312 0

碳化硅器件的應用領域和技術挑戰

　　碳化硅（SiC）是一種以碳和硅為主要成分的半導體材料，近年來在電子器件領域的應用迅速發展。相比傳統的硅材料，碳化硅具有更高的擊穿電場、更高的熱導率和...

2024-08-07 標簽：半導體 SiC 碳化硅 801 0

碳化硅功率器件的優勢和分類

碳化硅（SiC）功率器件是利用碳化硅材料制造的半導體器件，主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應用。相比傳統的硅（Si）基功率器件，碳化硅功率器件具有...

2024-08-07 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 993 0

碳化硅晶體的生長原理

碳化硅晶體的生長原理在自然界中，晶體不勝枚舉，其分布及應用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體；此外，半導體晶體、激光晶體、...

2024-08-03 標簽：晶體 SiC 襯底 3894 0

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電機控制器是新能源汽車中的重要組成部分，負責控制電機的運轉，而柵極驅動器則是電機控制器中的關鍵元件之一。今天就給大家推薦一款國產車規級智能隔離柵極驅動器...

2024-08-01 標簽：MOSFET SiC 柵極驅動器 1041 1

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