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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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深入對比SiC MOSFET vs Qorvo SiC FET
眾多終端產品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝，來開發基于雙極結型晶體管（BJT）、結柵場效應晶體管（JFET）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（M...
碳化硅具有比硅更高的熱導率、更寬的能帶寬度和更高的電子飽和漂移速度。這些特性使得SiC功率器件在高溫、高頻以及高電壓應用中表現優異。
SiC功率器件市場正處于快速增長階段，特別是在汽車電動化趨勢的推動下，其市場規模預計將持續擴大。 根據Yole Group的報告，汽車行業對SiC功...
電動汽車 (EV) 市場的快速增長推動了對下一代功率半導體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導體的需求尤為強勁。
隨著全球對能效和環保的要求日益提高，傳統硅基半導體器件逐漸暴露出其性能瓶頸，特別是在高溫、高壓和高頻應用場景中。
SiC市場格局仍由海外巨頭主導，市占率排名依次是：意法半導體、英飛凌、wolfspeed、羅姆、安森美、三菱電機等。
碳化硅功率器件的核心在于其能夠在極端條件下高效地控制電力的流動。SiC材料的寬帶隙特性意味著它在高溫下仍能維持較高的能量障礙，從而保持穩定的半導體特性。
Si-Si鍵能大小為 310 kJ/mol，可以理解鍵能是把這兩個原子拉開的力度，鍵能越大，需要拉開的力越大。 Si-C鍵原子間距為 1.89 ?，...
隨著全球對高效能源的不斷追求和電子技術的快速發展，傳統的硅基功率器件已逐漸達到其性能邊界。
電力電子技術在新能源汽車中應用廣泛，是汽車動力總成系統高效、快速、穩定、安全能量變換的基礎。
Si-MOSFET根據制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時，漂移層會變厚，導致導通電阻增加的問題。
碳化硅是一種寬帶隙(Wide Bandgap,WBG)半導體材料，與傳統的硅(Si)材料相比，具有更寬的能隙、更高的擊穿電場強度和熱導率。
SiC器件可以提高電動汽車的充電模塊性能，包括提高頻率、降低損耗、縮小體積以及提升效率等。這有助于提升電動汽車的整體性能表現。
本文采用的DTS（DieTopSystem）技術結合了芯片雙面銀燒結工藝與銅線鍵合工藝，此技術能夠避免直接在芯片上進行銅線鍵合時造成的芯片損傷。
中國碳化硅襯底價格2024年快速滑落 800V的春天看來要到了
國際半導體IDM廠商，如意法半導體、英飛凌、安森美、羅姆電子等，在中國市場仍然占據碳化硅元件的重要地位。消息人士補充，外國汽車品牌或與中國合資的汽車品牌...
雖然Infineon是歐洲五大芯片制造商之一，但他的作風一向非常低調。就連Infineon的收購行動也常常被低調處理。
碳化硅功率器件利用SiC半導體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導體材料，具有比硅（Si）更高的電子飽和漂移速度和熱導率，以及更高的臨界擊穿電場強度。
利用 SiC 功率器件開關頻率高、開關損耗低等優點, 將 SiC MOSFET 應用于水下航行器大功率高速電機逆變器模塊, 對軟硬件進行設計。
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