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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。
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澎芯半導(dǎo)體主驅(qū)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)出良率達(dá)到75%
近日,澎芯半導(dǎo)體在產(chǎn)品開(kāi)拓方面取得了多項(xiàng)進(jìn)展
AlN單晶襯底以其優(yōu)異的性能和潛在的應(yīng)用前景引起了人們的廣泛研究興趣. 物理氣相輸運(yùn)(PVT)是最適合AIN襯底制備的方法。
2023-12-28 標(biāo)簽:SiC 1046 0
華大半導(dǎo)體旗下中電化合物榮獲“2023年度SiC襯底/外延最具影響力產(chǎn)品獎(jiǎng)”
近期,由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)知名媒體與產(chǎn)業(yè)研究機(jī)構(gòu)“行家說(shuō)三代半”主辦的“2023年行家極光獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)典禮在深圳正式拉開(kāi)帷幕,數(shù)家SiC&GaN企業(yè)代...
導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過(guò)在導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層,得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成,品種包括SBD(肖特基二極管)、MOSFET(金屬氧化物...
2023-12-27 標(biāo)簽:IGBT場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 474 0
SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢(shì),SiC溝槽MOSFET(UMOSFET)具有高溫工作能力、低開(kāi)關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗、快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)
濰柴動(dòng)力發(fā)布SiC項(xiàng)目招標(biāo),SiC進(jìn)軍已指日可待
值得關(guān)注的是,根據(jù) Statista 數(shù)據(jù)庫(kù)的統(tǒng)計(jì),2020年全球工程機(jī)械市場(chǎng)規(guī)模約為 1363 億美元,預(yù)計(jì)2030年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 2346 億美元...
又有車(chē)規(guī)SiC大單,助力理想汽車(chē)800V平臺(tái)
理想汽車(chē)致力于為家庭用戶(hù)提供超預(yù)期的豪華電動(dòng)車(chē)。本次與 ST 的 SiC 供貨協(xié)議簽署印證了理想汽車(chē)開(kāi)發(fā)純電動(dòng)車(chē)產(chǎn)品的堅(jiān)定決策。
SiC材料具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性、耐腐蝕性、熱導(dǎo)性能和機(jī)械強(qiáng)度等優(yōu)勢(shì),因此受到廣泛關(guān)注和應(yīng)用。
2023-12-26 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)MOS管功率器件 1649 0
一種面向5G/Wi-Fi 6異質(zhì)集成雙模SAW射頻濾波器技術(shù)方案
近日,第69屆國(guó)際電子器件大會(huì)(IEDM 2023)在美國(guó)舊金山召開(kāi)。中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所(簡(jiǎn)稱(chēng):上海微系統(tǒng)所)歐欣研究員課題組以口頭報(bào)...
?Wolfspeed榮獲2023第二屆電源行業(yè)配套品牌大獎(jiǎng)
由世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的 2023 第二屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)典禮于 12 月 23 日在深圳圓滿(mǎn)落幕。
瞻芯電子榮獲2項(xiàng)電源行業(yè)配套品牌獎(jiǎng)
目前瞻芯電子已發(fā)布量產(chǎn)過(guò)百款碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品,包括碳化硅(SiC) MOSFET,SBD和SiC模塊產(chǎn)品,電壓平臺(tái)涵蓋650V-1700V...
碳化硅快速測(cè)試套件Wolfspeed SpeedVal Kit研討會(huì),帶您詳細(xì)了解這個(gè)高效的平臺(tái)
以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前在電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表,也是目前晶體生產(chǎn)技...
瑤芯微榮獲“國(guó)際先進(jìn)”好評(píng)的高可靠SiC MOSFET產(chǎn)品
瑤芯微此次參評(píng)的專(zhuān)注于“車(chē)規(guī)級(jí)低比導(dǎo)通電阻SiC MOSFET”,專(zhuān)家們一致贊賞該產(chǎn)品具有卓越的研究成果,堪稱(chēng)行業(yè)翹楚。憑借諸多優(yōu)點(diǎn),經(jīng)過(guò)嚴(yán)謹(jǐn)評(píng)鑒,評(píng)委...
普興電子:200mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長(zhǎng)
當(dāng)前,SiC器件已廣泛應(yīng)用在新能源車(chē)的主驅(qū)、OBC等關(guān)鍵部件,有效的降低了提升了開(kāi)關(guān)速度,降低了能量損耗,使得整車(chē)的重量得到減少,續(xù)航里程得到提升。
碳化硅(SiC)廠商瞻芯電子獲得環(huán)境與職業(yè)健康安全管理體系認(rèn)證
近日,浙江瞻芯電子科技有限公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“浙江瞻芯“)通過(guò)了環(huán)境和職業(yè)健康安全管理體系認(rèn)證,分別獲得ISO 14001與ISO 45001證書(shū)。浙江瞻芯作為...
2023-12-25 標(biāo)簽:SiC功率半導(dǎo)體碳化硅 891 0
意法半導(dǎo)體與理想汽車(chē)簽署碳化硅長(zhǎng)期供貨協(xié)議助力800V平臺(tái)
12 月 22 日消息,據(jù)意法半導(dǎo)體官微消息,該公司與理想汽車(chē)簽署了一項(xiàng)碳化硅(SiC)長(zhǎng)期供貨協(xié)議。
2023-12-24 標(biāo)簽:MOSFET電動(dòng)車(chē)意法半導(dǎo)體 849 0
增強(qiáng)GaN/3C-SiC/金剛石結(jié)構(gòu)的散熱性能以適應(yīng)實(shí)際器件應(yīng)用
熱管理在當(dāng)代電子系統(tǒng)中至關(guān)重要,而金剛石與半導(dǎo)體的集成提供了最有前途的改善散熱的解決方案。
碳化硅功率器件在新能源電能變換中的應(yīng)用和挑戰(zhàn)
SiC器件在擊穿場(chǎng)強(qiáng)、熱導(dǎo)率、熔點(diǎn)、禁帶寬度、電子飽和漂移速度等方面具有優(yōu)勢(shì)。
2023-12-24 標(biāo)簽:變換器SiC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 1200 0
SiC器件在電能質(zhì)量控制產(chǎn)品中的應(yīng)用
電能質(zhì)量控制產(chǎn)品的性能指標(biāo)不僅與控制系統(tǒng)的性能指標(biāo)及控制算法密不可分,也與電力電子功率器件的性能指標(biāo)密切相關(guān)。
2023-12-24 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)IGBTSiC 1458 0
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