SiC功率器件的主要特點(diǎn)

基于以日本、美國和歐洲為中心對生長、材料特性和器件加工技術(shù)的廣泛研究，SiC SBD和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的生產(chǎn)已經(jīng)開始。然而，...

2022-11-02 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 2133 0

恒普科技突破性解決了碳化鉭涂層技術(shù)（CVD）

采用碳化鉭TaC涂層, 是解決邊緣問題，提高晶體生長質(zhì)量，是“長快、長厚、長大”的核心技術(shù)方向之一。為了推動(dòng)行業(yè)技術(shù)發(fā)展，解決關(guān)鍵材料“進(jìn)口”依賴，恒普...

2022-11-02 標(biāo)簽：核心技術(shù)SiC碳化硅 4125 0

SiC時(shí)代加快”碳達(dá)峰”的腳步

當(dāng)前，全球主要國家和地區(qū)都已經(jīng)宣布了“碳達(dá)峰”的時(shí)間表。在具體實(shí)現(xiàn)的過程中，軌道交通將是一個(gè)重要領(lǐng)域。由于用能方式近乎100%為電能，且?guī)?dòng)大量基礎(chǔ)設(shè)施...

2022-11-02 標(biāo)簽：元器件逆變器SiC 994 0

中電化合物總投資10.5億元建設(shè)的寬禁帶半導(dǎo)體材料項(xiàng)目

根據(jù)公告，中電化合物將分二期建設(shè)該項(xiàng)目：一期計(jì)劃投資2.2億元，租用杭州灣數(shù)字產(chǎn)業(yè)園1萬平方米廠房，二期征用土地70畝，形成年產(chǎn)8萬片4-6寸碳化硅襯底...

2022-10-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料SiC 3385 0

測不對SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)波形六大原因

很多電源工程師剛剛接觸SiC MOSFET不久，往往會(huì)在驅(qū)動(dòng)電壓測量上遇到問題，即測得的驅(qū)動(dòng)電壓震蕩幅值較大、存在與理論不相符的尖峰，導(dǎo)致搞不清楚是器件...

2022-10-28 標(biāo)簽：MOSFETSiC 1116 0

貿(mào)澤電子開售UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

2022-10-27 標(biāo)簽：FETSiC貿(mào)澤電子 1104 0

在沒有散熱器的情況下，SA310 3相SiC模塊能做什么？

在供電電壓、供電電流和開關(guān)頻率這三個(gè)參數(shù)中，一個(gè)參數(shù)越高，其他兩個(gè)參數(shù)就必須越低，才能將內(nèi)部功耗保持在安全程度內(nèi)（或者說，才能讓SA310外殼和結(jié)溫保持...

2022-10-26 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器散熱器SiC 691 0

功率器件Power Cycling測試與數(shù)據(jù)后處理分析

日前，貝思科爾舉辦了《功率器件Power Cycling測試與數(shù)據(jù)后處理分析》線上直播活動(dòng)。 本次直播主要針對各種先進(jìn)封裝工藝的功率器件和模塊的快速發(fā)展...

2022-10-21 標(biāo)簽：測試MOSFETIGBT 3470 0

安森美11月電源在線直播亮點(diǎn)前瞻

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，將主辦一系列面向工程師的電源在線直播，以提高他們的電源設(shè)計(jì)敏銳性，從而...

2022-10-20 標(biāo)簽：電源安森美SiC 394 0

平創(chuàng)半導(dǎo)體與CISSOID共建高功率密度和高溫應(yīng)用中心

來源：CISSOID公司 比利時(shí)蒙-圣吉貝爾和中國重慶 – 2022年10月17日 –提供基于碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的耐高溫、長壽命、高效率...

2022-10-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC高功率密度 929 0

融資看點(diǎn) 威兆半導(dǎo)體完成C輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資 世禹精密完成數(shù)億元戰(zhàn)略股權(quán)融資

威兆半導(dǎo)體完成C輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資，將投入第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品研發(fā)等 近日，深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司完成C輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資，本次戰(zhàn)略融資由北汽、AT...

2022-10-18 標(biāo)簽：SiC融資封測 490 0

AFE拓?fù)涞膽?yīng)用優(yōu)勢

　針對任何應(yīng)用領(lǐng)域的工程師都加入了他們對效率、功率密度和成本的擔(dān)憂。而且，即使他們還沒有用它進(jìn)行設(shè)計(jì)，他們也意識(shí)到解決方案可能在于碳化硅（SiC）技術(shù)。...

2022-10-18 標(biāo)簽：AFESiC半導(dǎo)體器件 3244 0

三安光電碳化硅傳獲車規(guī)級(jí)質(zhì)量認(rèn)證 通過IATF 16949:2016質(zhì)量管理體系認(rèn)證

三安光電碳化硅傳獲車規(guī)級(jí)質(zhì)量認(rèn)證 通過IATF 16949:2016質(zhì)量管理體系認(rèn)證 行業(yè)內(nèi)有標(biāo)準(zhǔn)如果要進(jìn)入一級(jí)汽車電子大廠供應(yīng)鏈，必須取得對應(yīng)的認(rèn)證，...

2022-10-17 標(biāo)簽：汽車電子SiCGaN 1937 0

SiC車規(guī)級(jí)應(yīng)用的電壓高壓化解決方案

■目前問題：新能源汽車發(fā)展不及預(yù)期；800V架構(gòu)產(chǎn)品量產(chǎn)不及預(yù)期；SiC技術(shù)難度大，產(chǎn)品研發(fā)、量產(chǎn)不及預(yù)期；SiC滲透率不及預(yù)期。

2022-10-14 標(biāo)簽：新能源電動(dòng)車SiC 1745 0

安森美SiC方案如何助力電動(dòng)汽車發(fā)展

嚴(yán)格的排放法規(guī)、更全面的電動(dòng)汽車(以下簡稱“EV”)選擇、易于使用直流快速充電(以下簡稱“DCFC”)基礎(chǔ)設(shè)施以及總體擁有成本的降低，推動(dòng)了電動(dòng)汽車市場...

2022-10-13 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車安森美SiC 780 0

安森美擴(kuò)建的碳化硅工廠落成 將使該基地SiC產(chǎn)能提高16倍

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON），慶祝在捷克共和國Roznov擴(kuò)建的碳化硅 （以下簡稱“SiC”） 工廠...

2022-09-28 標(biāo)簽：安森美SiC碳化硅 1019 0