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融資看點(diǎn) 威兆半導(dǎo)體完成C輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資 世禹精密完成數(shù)億元戰(zhàn)略股權(quán)融資

A6v0_World_2078?來源: AI芯天下?作者: AI芯天下? 2022年10月18日 11:48 ? 次閱讀

威兆半導(dǎo)體完成C輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資,將投入第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品研發(fā)等

近日,深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司完成C輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資,本次戰(zhàn)略融資由北汽、ATL聯(lián)合領(lǐng)投,深重投、昆橋資本、中金浦成、南山戰(zhàn)新投、高易資本等合投,英特爾資本追加投資。威兆半導(dǎo)體消息稱,本次戰(zhàn)略融資資金將繼續(xù)用于“研發(fā)技術(shù)、供應(yīng)鏈技術(shù)、品質(zhì)管理、技術(shù)行銷”4大半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司核心能力提升,重點(diǎn)投入汽車電子新產(chǎn)品研發(fā)和現(xiàn)有汽車電子產(chǎn)品提升、第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品研發(fā)、高端人才引入、硬件設(shè)施投入等。

此前威兆半導(dǎo)體已獲得包括英特爾、OPPO、小米、華勤技術(shù)、元禾璞華、動(dòng)平衡等多家產(chǎn)業(yè)和專業(yè)機(jī)構(gòu)戰(zhàn)略投資。本次戰(zhàn)略融資由北汽、ATL 聯(lián)合領(lǐng)投,深重投、昆橋資本、中金浦成、南山戰(zhàn)新投、高易資本等合投,老股東英特爾資本追加投資。

半導(dǎo)體封測(cè)設(shè)備企業(yè),世禹精密完成數(shù)億元戰(zhàn)略股權(quán)融資

近日,世禹精密宣布完成數(shù)億元戰(zhàn)略股權(quán)融資,由IDG資本領(lǐng)投,水木梧桐、東證資本、高信資本、復(fù)容投資等機(jī)構(gòu)聯(lián)合參與投資。世禹精密本輪所籌資金將用于進(jìn)一步擴(kuò)充產(chǎn)品研發(fā)、擴(kuò)建生產(chǎn)基地與自動(dòng)化產(chǎn)線、加強(qiáng)國(guó)際市場(chǎng)和國(guó)內(nèi)銷售開拓與布局等。 ? ?

30.27億元!隆利科技與德國(guó)博世簽署車載Mini-LED背光顯示模組供應(yīng)合同

隆利科技發(fā)布公告稱,公司擬將與德國(guó)博世集團(tuán)簽署《Multi-annual Contract》《長(zhǎng)期合同》,公司擬為德國(guó)博世提供 2025-2033 年所需的車載 Mini-LED 背光顯示模組產(chǎn)品,合同金額約 4.21 億美元,約折合人民幣 30.27 億元。

麥肯錫:5G與邊緣計(jì)算引領(lǐng)汽車產(chǎn)業(yè)進(jìn)入四大趨勢(shì)

隨著車聯(lián)網(wǎng)生態(tài)系統(tǒng)的發(fā)展,它將影響多個(gè)行業(yè)包括汽車、電信、軟件和半導(dǎo)體的價(jià)值鏈。麥肯錫最新發(fā)布了一份報(bào)告,探討了一些重塑該行業(yè)的最重要的變化,被統(tǒng)稱為ACES趨勢(shì)的四大趨勢(shì)是自動(dòng)駕駛、連接性、電氣化和共享移動(dòng)性—如汽車共享服務(wù)。

特別分析了5G和邊緣計(jì)算的不斷發(fā)展帶來的機(jī)會(huì)。報(bào)告還提出,如果半導(dǎo)體公司愿意重新審視其產(chǎn)品、產(chǎn)能、組織和運(yùn)營(yíng)能力以及進(jìn)入市場(chǎng)的方法,那他們?cè)谖磥韼啄昕赡軙?huì)獲得更高的價(jià)值。 ?
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發(fā)表于 2024-08-08 11:00? 569次閱讀
今日看點(diǎn)丨英飛凌全球最大SiC芯片廠啟動(dòng)生產(chǎn);傳...

SiC 技術(shù)相對(duì)于 Si 具有不可否認(rèn)的優(yōu)勢(shì)

在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和充電器等應(yīng)用中,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、降低的冷卻需求和更低的整....
發(fā)表于 2024-08-08 10:46? 146次閱讀
SiC 技術(shù)相對(duì)于 Si 具有不可否認(rèn)的優(yōu)勢(shì)

經(jīng)濟(jì)晚報(bào):第九屆“創(chuàng)客中國(guó)”上饒賽區(qū)開賽,萬年芯...

8月1日,由上饒市工信局、市財(cái)政局、市促進(jìn)非公有制經(jīng)濟(jì)發(fā)展領(lǐng)導(dǎo)小組辦公室聯(lián)合主辦的第九屆“創(chuàng)客中國(guó)”....
發(fā)表于 2024-08-08 10:16? 277次閱讀
經(jīng)濟(jì)晚報(bào):第九屆“創(chuàng)客中國(guó)”上饒賽區(qū)開賽,萬年芯...

CAN SIC收發(fā)器助力復(fù)雜CAN網(wǎng)絡(luò)高效可靠通...

現(xiàn)在的汽車通過豐富多項(xiàng)功能來提升其安全性、性能和舒適性。從動(dòng)力總成到高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng),從車身電子控制....
發(fā)表于 2024-08-08 08:37? 511次閱讀
CAN SIC收發(fā)器助力復(fù)雜CAN網(wǎng)絡(luò)高效可靠通...

PCIM2024論文摘要|新型400V SiC ...

/摘要/400VSiCMOSFET技術(shù)商用化彌補(bǔ)了長(zhǎng)期存在的200V中壓MOSFET與600V超級(jí)結(jié)....
發(fā)表于 2024-08-08 08:14? 1850次閱讀
PCIM2024論文摘要|新型400V SiC ...

日月光完成收購(gòu)英飛凌兩座封測(cè)廠

近日,半導(dǎo)體行業(yè)傳來重要消息,歐洲芯片巨頭英飛凌成功將其位于菲律賓甲米地和韓國(guó)天安的兩家后端制造工廠....
發(fā)表于 2024-08-07 16:48? 375次閱讀
日月光完成收購(gòu)英飛凌兩座封測(cè)廠

碳化硅器件的應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)挑戰(zhàn)

  碳化硅(SiC)是一種以碳和硅為主要成分的半導(dǎo)體材料,近年來在電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用迅速發(fā)展。相比傳....
發(fā)表于 2024-08-07 16:42? 224次閱讀
碳化硅器件的應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)挑戰(zhàn)

碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和分類

碳化硅(SiC)功率器件是利用碳化硅材料制造的半導(dǎo)體器件,主要用于高頻、高溫、高壓和高功率的電子應(yīng)用....
發(fā)表于 2024-08-07 16:22? 277次閱讀
碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)和分類

預(yù)計(jì)2025年中國(guó)SiC芯片市場(chǎng)將迎來大幅降價(jià)

在中國(guó)SiC(碳化硅)產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的浪潮下,行業(yè)前景正經(jīng)歷著變革。最新市場(chǎng)預(yù)測(cè)揭示,得益于本土生產(chǎn)能....
發(fā)表于 2024-08-06 11:02? 195次閱讀
預(yù)計(jì)2025年中國(guó)SiC芯片市場(chǎng)將迎來大幅降價(jià)

萬年芯:中美較量從奧運(yùn)到科技,積極破局SiC器件

“冠軍是我們了!不滿意的應(yīng)該是別人,不會(huì)是我們。”2024巴黎奧運(yùn)會(huì)游泳男子4×100米混合泳接力比....
發(fā)表于 2024-08-06 09:22? 141次閱讀
萬年芯:中美較量從奧運(yùn)到科技,積極破局SiC器件

國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體原廠上市即遭大廠訴訟,產(chǎn)業(yè)前景如...

電子發(fā)燒友網(wǎng)(文/梁浩斌)最近國(guó)內(nèi)的首個(gè)第三代半導(dǎo)體芯片原廠提出了在港交所IPO上市的申請(qǐng),不出意外....
發(fā)表于 2024-08-05 18:17? 3353次閱讀
國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體原廠上市即遭大廠訴訟,產(chǎn)業(yè)前景如...

碳化硅晶體的生長(zhǎng)原理

碳化硅晶體的生長(zhǎng)原理 在自然界中,晶體不勝枚舉,其分布及應(yīng)用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見的鹽、....
發(fā)表于 2024-08-03 18:01? 3166次閱讀
碳化硅晶體的生長(zhǎng)原理

把SiC價(jià)格打下來!兩年內(nèi)擬降30%,市場(chǎng)加速滲...

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃山明)作為第三代半導(dǎo)體,SiC(碳化硅)相比傳統(tǒng)硅在高耐壓厚度、功率損耗、系....
發(fā)表于 2024-08-03 00:59? 4066次閱讀
把SiC價(jià)格打下來!兩年內(nèi)擬降30%,市場(chǎng)加速滲...

關(guān)于GeneSiC高速高壓SiC驅(qū)動(dòng)大功率創(chuàng)新

GeneSiC高速高壓SiC驅(qū)動(dòng)大功率創(chuàng)新
發(fā)表于 2023-06-16 11:08? 323次閱讀
關(guān)于GeneSiC高速高壓SiC驅(qū)動(dòng)大功率創(chuàng)新

SiC和GaN在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用介紹

客戶了解如何從使用WBG中充分獲益?可靠性和質(zhì)量?為解決方案提供最好的WBG技術(shù)?解決供應(yīng)鏈問題?成本路線圖?...
發(fā)表于 2023-06-16 10:41? 303次閱讀
SiC和GaN在電動(dòng)汽車中的應(yīng)用介紹

3.3kV Sic MOSFET加速并網(wǎng)儲(chǔ)能

電網(wǎng)從發(fā)電機(jī)中提供能量,并通過傳輸和傳輸將其輸送給客戶配電網(wǎng)絡(luò)。在美國(guó),利用電力存儲(chǔ)來支持和優(yōu)化輸配電已經(jīng)成為...
發(fā)表于 2023-06-16 10:04? 251次閱讀
3.3kV Sic MOSFET加速并網(wǎng)儲(chǔ)能

具有溫度不變勢(shì)壘高度和理想因數(shù)的GeneSiC 1200V SiC肖特基二極管

本產(chǎn)品說明展示了接近理論的理想因素和勢(shì)壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管,設(shè)計(jì)用于工作溫度> 225°C...
發(fā)表于 2023-06-16 06:15? 255次閱讀
具有溫度不變勢(shì)壘高度和理想因數(shù)的GeneSiC 1200V SiC肖特基二極管

為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)

Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可為各種器件提供高效率的功率傳輸應(yīng)用領(lǐng)域,如電動(dòng)汽車快速充電、數(shù)據(jù)中心...
發(fā)表于 2023-06-16 06:04? 544次閱讀
為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱“SiC...
發(fā)表于 2023-03-29 15:06? 864次閱讀
ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應(yīng)用于Apex Microtechnology的工業(yè)設(shè)備功率模塊系列

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

  碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×...
發(fā)表于 2023-02-28 16:34? 1408次閱讀
碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

迄今為止最堅(jiān)固耐用的晶體管—氮化鎵器件

  在IEEE SPECTRUM中文版《科技縱覽》2002年5月刊中,已故的萊斯特?F.伊斯曼(Lester F. East-man...
發(fā)表于 2023-02-27 15:46? 970次閱讀
迄今為止最堅(jiān)固耐用的晶體管—氮化鎵器件

碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點(diǎn)

       更新?lián)Q代,SiC并不例外   新一代半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍...
發(fā)表于 2023-02-27 14:28? 840次閱讀
碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點(diǎn)

SiC器件在新能源電力系統(tǒng)中的發(fā)展分析和展望

  01   引 言   隨著我國(guó)的能源占比和能源消費(fèi)方式由以化石能源為主轉(zhuǎn)變?yōu)橐噪娔堋淠艿惹鍧嵞茉礊橹鳎?020年...
發(fā)表于 2023-02-27 14:22? 659次閱讀
SiC器件在新能源電力系統(tǒng)中的發(fā)展分析和展望
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