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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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碳化硅 MOSFET 取代電動(dòng)汽車(chē)雙向充電器中的 IGBT

電動(dòng)汽車(chē) (EV) 以及更普遍的電動(dòng)汽車(chē)的成功在很大程度上取決于為電池充電所需的時(shí)間。長(zhǎng)期以來(lái)，電動(dòng)汽車(chē)一直被認(rèn)為是弱點(diǎn)之一，充電時(shí)間逐漸縮短，采用快速...

2022-08-03 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 IGBT 2779 0

碳化硅嵌入式漏極 MOSFET 助力“登月火星”任務(wù)

晶圓鍵合是一種廣泛用于開(kāi)發(fā)和成功生產(chǎn)微機(jī)械傳感器和執(zhí)行器 (MEMS) 的工藝。由于它能夠通過(guò)多個(gè)晶片的精確和牢固附著來(lái)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的微納米結(jié)構(gòu)，因此它肯定...

2022-08-03 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體嵌入式 732 0

用1,700V SiC MOSFET替換IGBT

Microchip 的新 SiC 產(chǎn)品系列通過(guò)采用具有更少部件和更簡(jiǎn)單控制方案的兩電平拓?fù)淇朔?IGBT 的困難。沒(méi)有開(kāi)關(guān)限制，功率轉(zhuǎn)換單元可以減小尺...

2022-08-03 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 1351 0

改進(jìn)碳化硅晶圓工藝

碳化硅在電動(dòng)汽車(chē)和新能源等市場(chǎng)的重要性促使許多公司重新審視和投資晶圓技術(shù)，以制定符合需求的發(fā)展計(jì)劃。 X-Trinsic 是一家旨在改進(jìn)制造工藝并專注于...

2022-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓設(shè)計(jì) 2086 0

擴(kuò)大碳化硅晶圓供應(yīng)

在環(huán)境問(wèn)題、國(guó)家法規(guī)和消費(fèi)者壓力的推動(dòng)下，全球汽車(chē)電氣化競(jìng)賽正在進(jìn)行。碳化硅 (SiC)是一種寬帶隙半導(dǎo)體，一直是電動(dòng)汽車(chē)(EV)的技術(shù)加速器，因?yàn)樗?..

2022-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 313 0

SiC MOSFET柵極漏電流估計(jì)的原位方法

根據(jù)實(shí)際測(cè)量的柵極電流計(jì)算柵極漏電流是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。柵極電容器的充電和放電瞬態(tài)過(guò)程支配著柵極電流。電感器引入了二階振鈴，這使得計(jì)算過(guò)程更加復(fù)雜。上述挑戰(zhàn)的解...

2022-08-03 標(biāo)簽：MOSFET SiC 漏電流 3244 0

SiC FET實(shí)現(xiàn)更高水平的設(shè)計(jì)靈活性的解決方案

為了滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高性能、更高效系統(tǒng)的需求，UnitedSiC 宣布了新的 SiC FET，可實(shí)現(xiàn)更高水平的設(shè)計(jì)靈活性，最顯著的是 750 V、6 m...

2022-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 SiC 1232 0

使用1,200V碳化硅數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器降低開(kāi)關(guān)損耗

在工業(yè)應(yīng)用中，碳化硅半導(dǎo)體在效率、外形尺寸和工作溫度方面提供尖端技術(shù)。SiC 技術(shù)現(xiàn)在被廣泛接受為可靠的硅替代品。一些功率模塊和功率逆變器制造商已在其產(chǎn)...

2022-08-03 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)器 SiC 911 0

從硅到碳化硅(SiC) 有哪些好處和應(yīng)用？

碳化硅 (SiC) 具有提高電動(dòng)汽車(chē)整體系統(tǒng)效率的潛力。在太陽(yáng)能行業(yè)，碳化硅逆變器優(yōu)化在成本節(jié)約方面也發(fā)揮著很大的作用。在這個(gè)與俄亥俄州立大學(xué)電氣與計(jì)算...

2022-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 1796 0

碳化硅技術(shù)的挑戰(zhàn)與未來(lái)展望

碳化硅 (SiC) 是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料，用于制造用于高壓應(yīng)用的功率器件，例如電動(dòng)汽車(chē) (EV)、電源、電機(jī)控制電路和逆變器。與傳統(tǒng)的硅基功率...

2022-08-03 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1584 0

用于SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)器

STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-...

2022-08-03 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器控制器 1981 0

一家全新的碳化硅創(chuàng)新公司

正海集團(tuán)與羅姆已同意組建合資公司，創(chuàng)建新的功率模塊公司。新公司名為“HAIMOSIC”，將于2021年12月在中國(guó)成立，正海集團(tuán)旗下的上海正海半導(dǎo)體科技...

2022-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 958 0

GaN和SiC功率器件的基礎(chǔ)知識(shí)

在基本半導(dǎo)體特性（帶隙、臨界電場(chǎng)和電子遷移率）的材料比較中，GaN 被證明是一種優(yōu)異的材料。“Si 的帶隙略高于一個(gè)電子伏特，臨界電子場(chǎng)為 0.23 M...

2022-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC GaN 3651 0

UnitedSiC 750V第4代SiC FET的性能解析

UnitedSiC（現(xiàn)為Qorvo）擴(kuò)展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過(guò)采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC F...

2022-08-01 標(biāo)簽：FET SiC UnitedSiC 1631 0

寬禁帶材料測(cè)試

寬禁帶材料是指禁帶寬度大于2.3eV的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料，SiC等最為常見(jiàn)。隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來(lái)越多，SiC、GaN等被廣泛應(yīng)...

2022-08-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 1163 0

SiC扎根汽車(chē)領(lǐng)域

由于具備的多種屬性，碳化硅（SiC）成為了電動(dòng)車(chē)（EV）領(lǐng)域中重要的半導(dǎo)體技術(shù)，碳化硅器件的性能勝過(guò)傳統(tǒng)硅（Si）器件。它的優(yōu)勢(shì)包括提高了電壓額定值、功...

2022-08-09 標(biāo)簽：SiC 汽車(chē) 251 0

富昌電子SiC設(shè)計(jì)分享（四）：SiC MOSFET Desat設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個(gè)性化的解決方案，進(jìn)而縮短產(chǎn)品的設(shè)計(jì)周期、加快行業(yè)發(fā)展的步伐。在第...

2022-08-01 標(biāo)簽：富昌電子 SiC 2719 0

SiC 功率堆棧參考設(shè)計(jì)加速HV系統(tǒng)開(kāi)發(fā)

電動(dòng)汽車(chē)和可再生能源系統(tǒng)的電源管理解決方案必須降低性能和成本，同時(shí)縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間。

2022-07-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)驅(qū)動(dòng)器 SiC 603 0

SiC 技術(shù)：采訪 X-Trinsic 的 Robert Rhoades

半導(dǎo)體是電子電路中最常用的元件之一，具有高性能、可靠性和低成本。通常用于制造集成電路的半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)包括一系列照相和化學(xué)處理步驟，最終在純半導(dǎo)體材料晶...

2022-07-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 SiC 517 0

SiC功率器件降低成本以推動(dòng)采用

雖然包括開(kāi)關(guān)速度和高溫能力在內(nèi)的技術(shù)優(yōu)勢(shì)現(xiàn)已廣為人知，但成本仍然是一個(gè)爭(zhēng)論點(diǎn)。PGC Consultancy 分析了 SiC 裸片成本，在本文和未來(lái)的文...

2022-07-29 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體 SiC 1494 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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手機(jī)快充

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
醫(yī)療電源

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
系統(tǒng)電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
LT8705

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”

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