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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)有望在2027年達(dá)45億美元

全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長(zhǎng)前景。2020年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為7億美...

2021-05-21 標(biāo)簽：SiC GaN 功率半導(dǎo)體 2430 0

碳化硅正在成為汽車領(lǐng)域冉冉升起的新星

作為第三代半導(dǎo)體的代表，碳化硅材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場(chǎng)、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大...

2021-05-18 標(biāo)簽：新能源車半導(dǎo)體材料 SiC 3125 0

火熱的投資環(huán)境以及政策保障下，我國SIC產(chǎn)業(yè)已完成基本布局

隨著5G、新能源汽車、光伏發(fā)電、航空航天等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展，產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)紛紛跑步入場(chǎng)。在巨大的潛在市場(chǎng)需求增長(zhǎng)、火熱的投資環(huán)境以及政策保障下，我...

2021-05-11 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 4361 0

新能源汽車SiC MOSFET芯片漏電失效分析

本文以金鑒自研發(fā)的顯微紅外定位系統(tǒng)來定位漏電失效的SiC MOSFET芯片，并與OBIRCH對(duì)比定位效果，然后用FIB做定點(diǎn)截面切割，觀察到金屬化薄膜鋁...

2021-07-16 標(biāo)簽：芯片漏電 SiC 1984 0

簡(jiǎn)述碳化硅外延技術(shù)突破或改變產(chǎn)業(yè)格局

碳化硅外延領(lǐng)域捷報(bào)連連！我國碳化硅產(chǎn)業(yè)或迎來史詩級(jí)利好進(jìn)入2021年以來，在碳化硅外延領(lǐng)域，國內(nèi)外企業(yè)紛紛捷報(bào)連連。 ? 2021年3月1日，日本豐...

2021-05-07 標(biāo)簽：納米 SiC 晶片 1.3萬 0

英飛凌與日本圓晶制造商簽供應(yīng)合同確保芯片基材碳化硅供應(yīng)安全

5月7日消息日前，據(jù)外媒報(bào)道，英飛凌科技股份有限公司（Infineon Technologies AG）與日本晶圓制造商昭和電工（Showa Denk...

2021-05-07 標(biāo)簽：英飛凌晶圓 SiC 1649 0

碳化硅在下一代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器中的作用

SiC肖特基勢(shì)壘二極管不使用反并聯(lián)硅二極管，可集成到系統(tǒng)中。硅基二極管有反向恢復(fù)電流，會(huì)造成開關(guān)損耗（以及產(chǎn)生電磁干擾，或EMI），而SiC二極管的反向...

2021-04-27 標(biāo)簽：MOSFET 安森美半導(dǎo)體 SiC 1802 0

CISSOID推出適用于航空應(yīng)用的SiC智能功率模塊，以滿足其對(duì)自然冷卻的需求

CISSOID 實(shí)現(xiàn)了功率模塊和柵極驅(qū)動(dòng)器的整體融合設(shè)計(jì)，且可通過仔細(xì)調(diào)整dv/dt去實(shí)現(xiàn)控制，通過快速切換所固有的電壓過沖來優(yōu)化IPM，從而將開關(guān)能量...

2021-04-27 標(biāo)簽：功率轉(zhuǎn)換器晶體管 CISSOID 1029 0

SiC的驅(qū)動(dòng)電壓多少才合適？

過去的一年，作為第三代半導(dǎo)體的典型代表，碳化硅（SiC）器件著實(shí)火了一把，其高工作溫度、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高耐壓、高熱導(dǎo)率、高功率密度以及高可靠性，為設(shè)計(jì)師打...

2021-04-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體安森美 SiC 4338 0

Ga2O3器件仿真技術(shù)面臨哪些難點(diǎn)

目前，以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、臨界電場(chǎng)高和電子飽和漂移速度快等優(yōu)勢(shì)，突破了硅與傳統(tǒng)化合物材料（GaAs、InP等）技術(shù)發(fā)...

2021-04-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC GaN 875 0

我們將見證功率電子行業(yè)一個(gè)非凡SiC時(shí)代的開啟！

過去的2020年，功率電子行業(yè)的明星莫過于SiC（碳化硅）開始加快了進(jìn)入汽車行業(yè)的腳步。電動(dòng)汽車包括三種功率轉(zhuǎn)換器：主逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和OBC（...

2021-04-19 標(biāo)簽：逆變器光伏 SiC 2928 0

一文帶你從功率MOS入門到精通！

一、功率MOSFET的正向?qū)ǖ刃щ娐?(1)等效電路 (2)說明：功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變...

2021-04-09 標(biāo)簽：MOSFET 功率 SiC 3614 0

簡(jiǎn)述4H-SiC無線無源高溫壓力傳感器設(shè)計(jì)

高溫壓力傳感器研制的主要目的是解決高溫惡劣環(huán)境下的壓力測(cè)量問題，SiC是制造高溫壓力傳感器的理想材料，結(jié)合

2021-04-06 標(biāo)簽：諧振電路 SiC 高溫壓力傳感器 5568 0

2021年將是氮化鎵+碳化硅PD爆發(fā)元年

氮化鎵+碳化硅PD 方案的批量與國產(chǎn)氮化鎵和碳化硅SIC技術(shù)成熟密不可分，據(jù)悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案產(chǎn)品體積更小，散熱更好，效率比超快恢復(fù)管提...

2021-04-01 標(biāo)簽：封裝 SiC 碳化硅 1662 1

關(guān)于SiC的十個(gè)基礎(chǔ)小知識(shí)

碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙（WBG）系列材料。它的物理鍵非常牢固，使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械，化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...

2021-03-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體 SiC 9835 0

簡(jiǎn)述仿真看世界之650V混合SiC單管的開關(guān)特性

前言背景：英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管...

2021-03-26 標(biāo)簽：二極管電流 IGBT 2752 0

賦能未來，勇往直前---科銳聯(lián)合創(chuàng)始人發(fā)表SiC MOSFET十周年文章

在2011年，在經(jīng)過了將近二十年的研發(fā)之后，科銳推出了全球首款SiC MOSFET。盡管業(yè)界先前曾十分懷疑這是否可能實(shí)現(xiàn)。

2021-03-17 標(biāo)簽：MOSFET Cree SiC 794 0

電源設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)：組件的絕對(duì)最大額定值的測(cè)量和控制

盡管電壓和電流完全在最大允許值之內(nèi)，但晶體管在消耗200 W功率時(shí)將立即燃燒。該組件實(shí)際上只能承受65 W的功率。

2021-03-12 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)PSPICE SiC 1292 0

SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性分析

關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。這篇微信文章將延續(xù)“仿真看世界”系列一貫之風(fēng)格，借助器件S...

2021-03-11 標(biāo)簽：電路 SiC 3823 0

創(chuàng)新工藝可以消除SiC襯底中的缺陷

日本關(guān)西學(xué)院大學(xué)和豐田通商于3月1日宣布，他們已開發(fā)出“動(dòng)態(tài)AGE-ing”技術(shù)，這是一種表面納米控制工藝技術(shù)，可以消除使SiC襯底上的半導(dǎo)體性能變差的缺陷。

2021-03-06 標(biāo)簽：晶圓 SiC 3408 0

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
醫(yī)療電源

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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
系統(tǒng)電源

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
LT8705

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”

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