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電子發燒友網>電源/新能源>GaN和SiC功率半導體市場有望在2027年達45億美元

GaN和SiC功率半導體市場有望在2027年達45億美元

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2017-06-16 10:37:22

芯言新語 | 從技術成熟度曲線看新型半導體材料

材料的代表,寬禁帶材料SiCGaN相對于前兩代半導體材料具有可見光波段的發光特性、高擊穿場強、更好的大功率特性、更加抗高溫和高輻射等優勢,可以應用于光電器件、微波通信器件和電力電子器件。經過多年的發展
2017-02-22 14:59:09

適用于5G毫米波頻段等應用的新興SiCGaN半導體技術

  本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應用的新興SiCGaN半導體技術。通過兩個例子展示了采用這種GaN工藝設計的MMIC的性能:Ka頻段(29.5至36GHz)10W的PA和面向5G應用的24至
2020-12-21 07:09:34

重磅突發!又一家芯片公司被收購,價格57

,共同開發氮化鎵功率器件。之后,兩家企業還與富達投資(Fidelity)一道,于2021底向GaN Systems投資1.5美元,推動公司的產品研發和市場推廣。另外,公司還與車規半導體重要原廠瑞薩
2023-03-03 16:48:40

飛兆半導體公布2011第二季業績成長快

美元,這是自2000以來最高的第二季業績數據。飛兆半導體今年第二季出現3,900萬美元的活動現金流,并支付2,000萬美元債務。第二季季末,總體現金和有價證券超出債務達到創記錄的1.67美元。飛
2011-07-31 08:51:14

驅動新一代SiC/GaN功率轉換器的IC生態系統

功率開關 (SiC/GaN MOSFET) 的新技術將提高開關頻率,從而減小電感和電容尺寸,同時要求更精確、更快速、能效更高的檢測、控制和驅動IC。到2021全部電站級逆變器中,30 kW至
2018-10-22 17:01:41

功率半導體材料GaNSiC使用新趨勢

功率半導體”多被用于轉換器及逆變器等電力轉換器進行電力控制。目前,功率半導體材料正迎來材料更新換代,這些新材料就是SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵),二者的物理特性均優
2012-07-02 11:18:331387

第三代半導體材料盛行,GaNSiC如何撬動新型功率器件

,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點,與剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:529

2027年超越100億美元GaNSiC功率半導體市場規模暴增

功率半導體市場一直都處于溫溫不火的狀態的,但是隨著混合動力及電動汽車、電力和光伏(PV)逆變器的需求,GaNSiC功率半導體市場規模呈現井噴式增長。
2018-05-23 15:00:059833

2027功率半導體市場超越100億美元

新興市場碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN功率半導體預計將在2020年達到近10億美元,推動力來自混合動力及電動汽車、電力和光伏(PV)逆變器等方面的需求。
2018-11-02 15:12:233544

安森美半導體功率SiC市場的現狀與未來

安森美半導體(ON Semiconductor)是功率電子領域的市場領導者之一,在SiC功率器件領域的地位正在迅速攀升。
2019-07-30 15:40:235352

半導體材料:Si、SiCGaN

作為半導體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經發展到了一個極限,而此時以SiCGaN為主的寬禁帶半導體經過一段時間的積累也正在變得很普及。所以,出現了以Si基器件為主導,SiCGaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010156

功率半導體和5G的新寵——GaNSiC

半導體產業的發展一共分三個階段,第一代半導體材料是硅(Si),第二代半導體材料是以GaAs和SiGe為代表的微波器件,而現在最熱門的是第三代半導體材料是寬禁帶半導體材料GaNSiC,相較前兩代產品
2022-12-09 10:46:48910

SiCGaN 功率半導體市場趨勢,2019 年以來發生了什么變化?

市場收入以兩位數增長,到 2029 年將超過 50 億美元GaNSiC 功率半導體全球市場收入預測(單位:百萬美元SiC 肖特
2020-11-16 10:19:322223

SiC功率器件和GaN功率、射頻器件介紹

第三代半導體材料又稱寬禁帶半導體材料,主要包括碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等。與第一、二代半導體材料相比,第三代半導體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導率、導通阻抗小、體積小等優勢
2021-05-03 16:18:0010174

機構:化合物半導體襯底市場2027年體量將達到24億美元

研究機構Yole Intelligence日前發布對化合物半導體襯底市場的預測,認為在功率和光學應用驅動下,到2027市場規模將達到24億美元,2021-2027年間復合年增長率為16%。 該機
2022-11-21 10:31:391012

氧化鎵有望成為超越SiCGaN性能的材料

氧化鎵有望成為超越SiCGaN性能的材料,有望成為下一代功率半導體,日本和海外正在進行研究和開發。
2023-04-14 15:42:06363

半導體封裝材料市場:2024年或升至208億,2027有望達300億美元

封裝作為半導體產業核心一環,主要目的為保護芯片。近日,TECHCET也發布了針對半導體封裝材料市場的最新展望,預計2022年半導體封裝材料市場總體規模約為261億美元,到2027年將有望達到300億美元
2023-05-10 15:31:29972

功率半導體器件 氧化鎵市場正在穩步擴大

調查結果顯示,SiCGaN(氮化鎵)等寬帶隙半導體單晶主要用于功率半導體器件,市場正在穩步擴大。
2023-09-04 15:13:24365

三安宣布進軍美洲市場,為市場提供SiCGaN功率半導體產品

1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安半導體與其簽署了一項合作協議,Luminus將成為湖南三安SiCGaN產品在美洲的獨家銷售渠道,面向功率半導體應用市場
2024-01-13 17:17:561042

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