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電子發燒友網>電源/新能源>電源新聞>未來十年將是GaN和SiC功率半導體市場,將以18%速度增長

未來十年將是GaN和SiC功率半導體市場,將以18%速度增長

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適用于5G毫米波頻段等應用的新興SiCGaN半導體技術

  本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應用的新興SiCGaN半導體技術。通過兩個例子展示了采用這種GaN工藝設計的MMIC的性能:Ka頻段(29.5至36GHz)10W的PA和面向5G應用的24至
2020-12-21 07:09:34

驅動新一代SiC/GaN功率轉換器的IC生態系統

Stefano GallinaroADI公司各種應用的功率轉換器正從純硅IGBT轉向SiC/GaN MOSFET。一些市場(比如電機驅動逆變器市場)采用新技術的速度較慢,而另一些市場(比如太陽能
2018-10-22 17:01:41

功率半導體材料GaNSiC使用新趨勢

功率半導體”多被用于轉換器及逆變器等電力轉換器進行電力控制。目前,功率半導體材料正迎來材料更新換代,這些新材料就是SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵),二者的物理特性均優
2012-07-02 11:18:331387

第三代半導體材料盛行,GaNSiC如何撬動新型功率器件

,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點,與剛石等半導體材料一起,被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:529

2027年超越100億美元!GaNSiC功率半導體市場規模暴增

功率半導體市場一直都處于溫溫不火的狀態的,但是隨著混合動力及電動汽車、電力和光伏(PV)逆變器的需求,GaNSiC功率半導體市場規模呈現井噴式增長
2018-05-23 15:00:059833

RF功率半導體縮水兩年后增長迅速,5年后增長率達75%

根據Yole Développement公司最新名為“2017年RF功率市場和技術:GaN、GaAs以及LDMOS”的報告預測,隨著電信運營商投入的減少,射頻功率半導體市場在2015年和2016
2018-07-09 16:43:00879

探析意法半導體未來功率GaN路線圖

Yole電力電子技術與市場分析師Ana Villamor與意法半導體功率RF和GaN產品部經理Filippo Di Giovanni會面,討論意法半導體與CEA-Leti在GaN研發方面的合作情況,以及未來幾年功率GaN路線圖。
2018-12-24 15:14:275745

安森美半導體功率SiC市場的現狀與未來

安森美半導體(ON Semiconductor)是功率電子領域的市場領導者之一,在SiC功率器件領域的地位正在迅速攀升。
2019-07-30 15:40:235352

半導體材料:Si、SiCGaN

作為半導體材料“霸主“的Si,其性能似乎已經發展到了一個極限,而此時以SiCGaN為主的寬禁帶半導體經過一段時間的積累也正在變得很普及。所以,出現了以Si基器件為主導,SiCGaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010156

功率半導體和5G的新寵——GaNSiC

半導體產業的發展一共分三個階段,第一代半導體材料是硅(Si),第二代半導體材料是以GaAs和SiGe為代表的微波器件,而現在最熱門的是第三代半導體材料是寬禁帶半導體材料GaNSiC,相較前兩代產品
2022-12-09 10:46:48910

GaNSiC功率半導體的寬帶隙技術

尋找硅替代物的研究始于上個世紀的最后二十年,當時研究人員和大學已經對幾種寬帶隙材料進行了試驗,這些材料顯示出替代射頻,發光,傳感器和功率半導體的現有硅材料技術的巨大潛力。應用程序。在新世紀即將來臨
2021-04-01 14:10:192124

SiCGaN 功率半導體市場趨勢,2019 年以來發生了什么變化?

預計在 2021 年突破 10 億美元。 報告表示,全球 SiCGaN 功率半導體的銷售收入,預計從 2018 年的 5.71 億美元增至 2020 年底的 8.54 億美元。預計未來十年,每年
2020-11-16 10:19:322223

SiC功率器件和GaN功率、射頻器件介紹

第三代半導體材料又稱寬禁帶半導體材料,主要包括碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等。與第一、二代半導體材料相比,第三代半導體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導率、導通阻抗小、體積小等優勢
2021-05-03 16:18:0010174

一文知道GaNSiC區別

半導體的關鍵特性是能帶隙,能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實現更高功率,更高開關速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半導體
2022-04-16 17:13:015712

使用多個電流探頭研究SiCGaN功率半導體器件的電極間電容

本文介紹了使用多個電流探頭研究SiCGaN功率半導體器件的電極間電容。它分為四部分:雙電流探頭法原理、測量結果、三電流探頭法原理和測量結果。
2023-02-19 17:06:18350

淺析下一代功率半導體市場前景

由于對SiC功率半導體的強勁需求和對GaN功率半導體的強勁需求,2022年下一代功率半導體將比上年增長2.2倍。預計未來市場將繼續高速擴張,2023年達到2354億日元(約合人民幣121億元),比2022年增長34.5%,2035年擴大到54485億日元(約合人民幣2807億元),增長31.1倍。
2023-04-13 16:10:46444

功率半導體器件 氧化鎵市場正在穩步擴大

調查結果顯示,SiCGaN(氮化鎵)等寬帶隙半導體單晶主要用于功率半導體器件,市場正在穩步擴大。
2023-09-04 15:13:24365

sic功率半導體上市公司 sic功率半導體技術如何實現成果轉化

sic功率半導體上市公司 sic功率半導體上市公司有三安光電、露笑科技、楚江新材、天通股份、東尼電子、華潤微、揚杰科技、捷捷微電、華微電子、斯達半導、聞泰科技等公司,注意以上信息僅供參考,如果想了
2023-10-18 16:14:30586

SiCGaN 的興起與未來 .zip

SiCGaN的興起與未來
2023-01-13 09:06:226

三安宣布進軍美洲市場,為市場提供SiCGaN功率半導體產品

1月8日,Luminus Devices宣布,湖南三安半導體與其簽署了一項合作協議,Luminus將成為湖南三安SiCGaN產品在美洲的獨家銷售渠道,面向功率半導體應用市場
2024-01-13 17:17:561042

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