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NI SMU助力AI算法企業(yè)成為半導(dǎo)體測(cè)試新勢(shì)力
近日,基于美國國家儀器 (National Instruments,以下簡(jiǎn)稱“NI”) 的PXI源測(cè)量單元 (SMU),專注利用人工智能驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體測(cè)試測(cè)...
信號(hào)源測(cè)量單元概念分析 為什么需要負(fù)電壓?
IV曲線告訴我們電壓和電流如何變化,而且我們可以據(jù)此計(jì)算太陽能電池產(chǎn)生的實(shí)際功率量。圖6所示為功率 (mW) 與電池電壓的關(guān)系曲線。功率就等于V × I。
SMU_CORE 和 SMU_Stdby 的設(shè)計(jì)方式和時(shí)間安排各不相同。SMU 的兩個(gè)部分之間存在物理隔離。它們位于不同的時(shí)鐘和電源域中。這允許 SMU...
盡管電源和DMM適合某些測(cè)量,但在同一臺(tái)儀器中進(jìn)行采購和測(cè)量有許多優(yōu)點(diǎn)。但是我遇到的許多工程師都不熟悉這種方法。對(duì)于此博客文章,我已經(jīng)請(qǐng)我的同事*瑪麗·...
【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試課堂】系列之一: 納米測(cè)試(上)
納米材料的表征包括成分分析,顆粒分析,結(jié)構(gòu)分析,性能分析,分析方法以電鏡分析為主,特別是掃描隧道電鏡(SMT),在導(dǎo)體和半導(dǎo)體納米材料分析上具有優(yōu)勢(shì)。
【技術(shù)大咖測(cè)試筆記系列】之九:新型SMU克服低電流容性設(shè)置的棘手測(cè)試挑戰(zhàn)
與其他靈敏的SMU相比,新推出的Keithley 4201-SMU中等功率SMU和4211-SMU高功率SMU (選配4200-PA前置放大器)大幅度提...
【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試】系列之一:納米測(cè)試(下)
采用高內(nèi)阻的靜電計(jì)6517+數(shù)據(jù)采集儀DMM6500+納米發(fā)電采集軟件來進(jìn)行微小納米發(fā)電電流數(shù)據(jù)采集。
如何用半導(dǎo)體參數(shù)分析儀進(jìn)行斜坡法準(zhǔn)靜態(tài)C-V測(cè)量?
電容電壓(C-V)測(cè)量通常采用交流測(cè)量技術(shù)。而一些電容測(cè)量需要直流測(cè)量技術(shù),被稱為準(zhǔn)靜態(tài)C-V(或QSCV)測(cè)量,因?yàn)樗鼈兪窃诜浅5偷臏y(cè)試頻率下進(jìn)行的,...
【當(dāng)代材料電學(xué)測(cè)試】系列之四:寬禁帶材料測(cè)試
隨著電子電力的發(fā)展,功率器件的使用越來越多,SiC、GaN等被廣泛應(yīng)用于射頻與超高壓等領(lǐng)域。
數(shù)字源表也稱為源測(cè)量單元(SMU),集數(shù)字萬用表、電壓源、電流源、電子負(fù)載以及脈沖發(fā)生器、波形發(fā)生器等功能于一體,同時(shí)可精確限流保護(hù)器件不受損壞。在功率...
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