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SRAM（Static Random Access Memory），即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。

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具有內(nèi)置AES的FPGA保護(hù)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

編程狀態(tài)探測(cè)也用于攻擊基于反熔絲的 FPGA。技術(shù)包括聚焦離子束（FIB）技術(shù)和掃描電子顯微鏡（SEM）。

2022-06-15 標(biāo)簽：fpga 寄存器 sram 1466 0

Serial SRAM芯片23LC512：可增加應(yīng)用程序

傳統(tǒng)上，有兩種方法可以增加應(yīng)用程序的ram：使用更大的微控制器（MCU）：如果必須購(gòu)買更大、更昂貴的MCU以獲得更多RAM，則此選項(xiàng)的吸引力較小使用...

2022-06-10 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 microchip sram 500 0

NV-SRAM是什么，它的主要特征是什么

NV-SRAM（非易失性 SRAM 或NVRAM）是一種獨(dú)立的非易失性存儲(chǔ)器，業(yè)界最快的 NV-SRAM，具有無限的耐用性。能夠在斷電時(shí)立即捕獲 SRA...

2022-06-10 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 1073 0

Microchip微芯串行SPI SRAM芯片簡(jiǎn)述

串行SRAM是一種獨(dú)立的易失性存儲(chǔ)器，它提供了一種簡(jiǎn)單且便宜的方式來為您的應(yīng)用程序添加更多RAM。這些8引腳低功耗、高性能SRAM器件具有無限的耐用性和...

2022-05-30 標(biāo)簽：microchip sram 1878 0

只需1-Wire即可操作I2C/SPI端點(diǎn)

　　DS28E18 的 GPIO、I 2 C 和 SPI 接口在四個(gè)引腳上復(fù)用，如圖 5所示。I 2 C 接口可配置為以 100kHz、400kHz 或...

2022-05-30 標(biāo)簽：傳感器 sram SPI 1763 0

256Kb串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器EMI7256概述及特征

國(guó)產(chǎn)SRAM芯片廠商偉凌創(chuàng)芯EMI7256器件是256Kb串行靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，內(nèi)部組織為32K字，每個(gè)字8位。最大時(shí)鐘20MHz，采用最先進(jìn)的CMO...

2022-04-24 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 787 0

MCU單片機(jī)外擴(kuò)的國(guó)產(chǎn)串口SRAM簡(jiǎn)介

靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機(jī)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器（SRAM）是指這類存儲(chǔ)器要是維持接電源，里邊存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息就可以恒常維持。SRAM不用更新電源電路即能儲(chǔ)存它內(nèi)部?jī)?chǔ)存的數(shù)據(jù)信息...

2022-04-18 標(biāo)簽：mcu 存儲(chǔ)器 sram 2254 0

并口FRAM vs SRAM—并口FRAM與SRAM的比較

鐵電存儲(chǔ)器FRAM是一種具有快速寫入速度的非易失性存儲(chǔ)器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，F(xiàn)RAM不需要備用電池來保留數(shù)據(jù)，并且具有更高的讀/寫耐久性，更快...

2022-03-15 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram fram 1003 0

Microchip模擬嵌入式SuperFlash?技術(shù)助力存算一體創(chuàng)新企業(yè)成功解決邊緣語音處理難題

SuperFlash memBrain?存儲(chǔ)器解決方案使知存科技片上系統(tǒng)（SoC）能夠滿足最苛刻的神經(jīng)處理成本、功耗和性能要求。

2022-03-01 標(biāo)簽：嵌入式存儲(chǔ)器 microchip 1028 0

串行接口SRAM芯片帶來無限的可能性

物聯(lián)網(wǎng)及穿戴設(shè)備還未出世前，Serial SRAM的利潤(rùn)并不能吸引主流到SRAM廠商的關(guān)注。隨著串行SRAM的商機(jī)不斷增多，傳統(tǒng)的SRAM廠商進(jìn)軍串行S...

2022-02-11 標(biāo)簽：芯片電路板 sram 1337 0

用于替換IS62WV51216EBLL-45TLI的國(guó)產(chǎn)SRAM芯片

IS62WV51216EBLL-45TLI SRAM芯片是一個(gè)8M容量，組織結(jié)構(gòu)為512K*16的高速率低功耗靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。采用高性能CMOS工藝制...

2022-01-26 標(biāo)簽：芯片存儲(chǔ)器 sram 2061 0

存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)分類介紹

根據(jù)組成元件的不同，ROM內(nèi)存可以分類為掩模型只讀存儲(chǔ)器(MASK ROM)、可編程只讀存儲(chǔ)器(PROM)、可擦可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)、電可擦...

2022-01-20 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 內(nèi)存 4780 0

使用非易失性FRAM替換SRAM時(shí)的問題和解決方案

? ? ? ?FRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品，具有讀寫耐久性高、寫入速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn)。 ? ? ? ? ?富士通并行接口的8Mbit?FRAM?M...

2022-01-12 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 826 0

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)16M異步SRAM芯片EMI516NF16LM

快速異步型SRAM，存取時(shí)間為35ns（或更短）的異步型SRAM可被歸類為“快速”異步型SRAM。國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI516NF16LM-10I是容...

2022-01-07 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 2081 0

EMI502NL16LM可替代IS61WV12816DBLL

SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。 ? ? ? ??...

2021-12-24 標(biāo)簽：sram 943 0

ISSI低功耗SRAM芯片IS62WV12816DBLL

低功耗SRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品，作為靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的一種類別，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（SRAM）作為最重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，廣...

2021-12-21 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram ISSI 1547 0

單片機(jī)外擴(kuò)專用SPI SRAM存儲(chǔ)芯片

? ? ? ST內(nèi)核M3的32位MCU產(chǎn)品STM32F1xxx這一系列的MCU內(nèi)置 SRAM 資源非常有限，在應(yīng)用中如果遇到數(shù)據(jù)需要擴(kuò)容的情況下，需要外...

2021-12-21 標(biāo)簽：單片機(jī)存儲(chǔ)器 sram 1557 0

偉凌創(chuàng)芯異步SRAM芯片EMI504WF16VA-10I

快速異步型SRAM，存取時(shí)間為35ns（或更短）的異步型SRAM可被歸類為“快速”異步型 SRAM 。這些存儲(chǔ)器通常應(yīng)用于老式系統(tǒng)中，且功耗較高。其典型...

2021-12-21 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram 1353 0

可作為MCU外擴(kuò)SRAM芯片的型號(hào)推薦

世界上最早的全電子化存儲(chǔ)器是1947年誕生的，其原理是用陰極射線管在屏幕表面上留下記錄數(shù)據(jù)的“點(diǎn)”。從那時(shí)起，計(jì)算機(jī)內(nèi)存開始使用磁存儲(chǔ)技術(shù)并經(jīng)歷了數(shù)代演...

2021-10-28 標(biāo)簽：sram SRAM芯片 1064 0

SRAM芯片適用于智能穿戴應(yīng)用

自2016年智能穿戴新興行業(yè)的崛起及火爆程度,一度將所有有關(guān)于智能穿戴產(chǎn)品中的零件推進(jìn)了新的高潮.其中便包含了SRAM.在所有可用的存儲(chǔ)器中，SRAM是...

2021-10-28 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器 sram SRAM芯片 1290 0

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云儲(chǔ)存

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云存儲(chǔ)是在云計(jì)算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個(gè)新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲(chǔ)存，云數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，免費(fèi)云存儲(chǔ)哪個(gè)好，云儲(chǔ)存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)和實(shí)力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會(huì)。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財(cái)政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還都是個(gè)問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲(chǔ)芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲(chǔ)空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價(jià)。
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非易失性存儲(chǔ)器

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非易失性存儲(chǔ)器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲(chǔ)器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中，依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
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合肥長(zhǎng)鑫

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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。
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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個(gè)邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
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　　sram存儲(chǔ)器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對(duì)之下，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失，這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個(gè)概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫(kù)，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫(kù)，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個(gè)人提供信息的儲(chǔ)存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲(chǔ)的特點(diǎn)。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲(chǔ)品牌。
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2016年5月，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動(dòng)。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片（DRAM）的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動(dòng)終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場(chǎng)需求巨大并持續(xù)增長(zhǎng)。

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