單片機(jī)（MicrocontrollerUnit，MCU）是一種集成電路芯片，它包含了中央處理器（CPU）、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）、MCP2515-I/ST只讀存儲(chǔ)器（ROM）、輸入輸出端口
2024-03-13 14:21:43
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光伏逆變器拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">概述及關(guān)鍵技術(shù)
2024-02-21 09:47:20198 
ram在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時(shí)存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。
2024-02-19 11:23:31570 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過電容來存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
AT28C256是一款由Atmel公司生產(chǎn)的256KB的EEPROM芯片，具有高速讀寫特性，適用于多種應(yīng)用場(chǎng)合，包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、程序存儲(chǔ)、固件升級(jí)等。
2024-02-01 17:34:53518 ，包括其結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)以及如何寫入數(shù)據(jù)。 一、STM32 Flash的結(jié)構(gòu) STM32 Flash存儲(chǔ)器通常被分為多個(gè)扇區(qū)，每個(gè)扇區(qū)大小為2KB到256KB不等，根據(jù)不同的型號(hào)有所不同。每個(gè)扇區(qū)可以獨(dú)立進(jìn)行
2024-01-31 15:46:03420 數(shù)據(jù)和指令，而ROM則用于存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)的基本操作系統(tǒng)和啟動(dòng)程序。本文將探討RAM和ROM的區(qū)別，以及它們與CPU之間的連接方式。 首先，我們來看看RAM和ROM的定義和特點(diǎn)。 RAM是指隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它的特點(diǎn)是可以隨機(jī)讀寫數(shù)據(jù)，而且數(shù)據(jù)在斷電之后會(huì)被丟失，所以它被稱為“易失性存儲(chǔ)器”。RAM由晶體管和
2024-01-31 14:14:31478 1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
：基于靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）的FPGA，其配置可以在每次上電時(shí)重新加載。這類FPGA具有較高的靈活性，但功耗較高。
Flash-based FPGA ：基于閃存的FPGA，其配置可以在斷電后保持。這類
2024-01-26 10:09:17
ROM（Read-Only Memory）是只讀存儲(chǔ)器，而RAM（Random Access Memory）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它們?cè)谟?jì)算機(jī)系統(tǒng)中扮演著不同的角色和功能。 ROM是一種非易失性存儲(chǔ)器
2024-01-25 10:46:28616 英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴(kuò)展其集成嵌入式糾錯(cuò)碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計(jì)算需求。
2024-01-24 17:11:39358 鐵電存儲(chǔ)器通常具有更快的隨機(jī)存取時(shí)間（Access Time），能夠更快地執(zhí)行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲(chǔ)器相比較為遲鈍。
2024-01-23 18:17:51518 
隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器（RAM）分為靜態(tài)RAM（SRAM）和動(dòng)態(tài)RAM（DRAM）。由于動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)非常簡(jiǎn)單，所以它能達(dá)到的集成度遠(yuǎn)高于靜態(tài)存儲(chǔ)器。但是動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的存取速度不如靜態(tài)存儲(chǔ)器快。
2024-01-19 15:47:38517 
當(dāng)電源斷開時(shí)，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）中的數(shù)據(jù)通常會(huì)丟失。這是因?yàn)镽AM是一種易失性存儲(chǔ)器，它必須以恒定的電源供應(yīng)來維持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。在斷電時(shí)，RAM中的電荷會(huì)逐漸耗盡，導(dǎo)致其中的數(shù)據(jù)丟失。在這
2024-01-16 16:30:19847 ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
是Volatile RAM（易失性存儲(chǔ)器），又稱為SRAM（Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲(chǔ)器），又稱
2024-01-12 17:27:15515 MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 14:24:03212 
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (RAM)的名稱源自 CPU 訪問它的方式，CPU對(duì)其進(jìn)行隨機(jī)掃描以獲取適當(dāng)?shù)男畔ⅲ皇亲裱瓏?yán)格的指示。這是為了均衡所有存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)位之間的訪問時(shí)間。
2024-01-06 17:51:33158 
東芝不僅是家電巨頭、消費(fèi)電子巨頭，還曾經(jīng)是全球最大的半導(dǎo)體制造商之一。1985年，東芝率先研發(fā)出1M容量動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。到了次年，東芝1M DRAM月產(chǎn)能超過100萬片，包括東芝在內(nèi)的日本廠商在 DRAM市場(chǎng)的份額則超過80%。
2023-12-21 16:19:48267 
根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，力成為合作項(xiàng)目提供必要的2.5D和3D先進(jìn)封裝服務(wù)，涵蓋Chip on Wafer、凸塊加工以及矽穿孔技術(shù)等多個(gè)環(huán)節(jié)，并優(yōu)先推薦華邦電的矽中介層和其他尖端產(chǎn)品，如動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （DRAM） 和快閃存儲(chǔ)器 （Flash） 等進(jìn)行配合
2023-12-21 10:29:45151 從存儲(chǔ)芯片的市場(chǎng)表現(xiàn)來看，兩大類別DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）與NAND Flash（閃存存儲(chǔ)器）目前的價(jià)格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。
2023-12-19 15:19:32136 其中，電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RRAM）依靠改變電阻水平來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。最近發(fā)表在《Angewandte Chemie》雜志上的一項(xiàng)研究詳細(xì)介紹了清華大學(xué)李原領(lǐng)導(dǎo)的研究小組的工作，他們開創(chuàng)了一種制造超分子憶阻器的方法，而憶阻器是構(gòu)建納米隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的關(guān)鍵部件之一。
2023-12-06 16:05:36341 
在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲(chǔ)器市場(chǎng)中，有兩種主要的類型：隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器 ( RAM ) 和只讀存儲(chǔ)器 ( ROM )。盡管都是存儲(chǔ)器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17732 
非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，提供非易失性存儲(chǔ)。
2023-12-05 10:09:56303 DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是一種高帶寬的存儲(chǔ)器，今天主要講述一下DDR4在Layout過程中的一些細(xì)節(jié)。在DDR的設(shè)計(jì)過程中，DDR的Layout是十分重要的環(huán)節(jié)。
2023-11-29 15:39:101477 
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)
2023-11-27 16:37:59
功能描述：CY7C1470BV25、CY7C1472BV25和CY7C1474BV25是2.5V 2M x 36/4M x 18/1M x 72同步流水線容發(fā)無總線延遲的SRAM(NoBL)邏輯。它們被設(shè)計(jì)成支持無限制的真正的背對(duì)背讀取或者沒有等待狀態(tài)的寫操作。CY7C1470BV25,CY7C1472BV25和CY7C1474BV25配有啟用連續(xù)讀取或需要
2023-11-24 16:10:46
GX250516Kb只添加存儲(chǔ)器可識(shí)別和存儲(chǔ)與其關(guān)聯(lián)的產(chǎn)品相關(guān)信息。可以通過最小化的接口（例如微控制器的單個(gè)端口引腳）訪問該批次或產(chǎn)品特定的信息。
2023-11-21 16:04:27191 
低功耗雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Low Power Double Data Rate SDRAM, LPDDR SDRAM)簡(jiǎn)稱為 LPDDR，是DDR SDRAM 的一種，由于廣泛用于移動(dòng)
2023-11-21 09:37:36257 
在同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM)的工作模式中，以數(shù)據(jù)讀取速率來分類，有單倍數(shù)據(jù)速率 (Single Data Rate, SDR) SDRAM、雙倍數(shù)據(jù)速率(Double Data Rate
2023-11-20 10:58:25364 
Distributed Memory Generator IP 核采用 LUT RAM 資源創(chuàng)建各種不同的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)。IP可用來創(chuàng)建只讀存儲(chǔ)器 (ROM)、單端口隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (RAM) 和簡(jiǎn)單
2023-11-17 17:00:30687 
20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時(shí)響應(yīng)控制輸入信號(hào)的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27379 ，VM）兩大類。例如，人們熟知的閃速存儲(chǔ)器 ( Flash Memory，簡(jiǎn)稱 Flash）就屬于 NVM，靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Static Random Access Memory， SRAM）和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (Dynamic Random Access Memory,DRAM)則屬于 VM。
2023-11-16 09:14:06413 根據(jù)貿(mào)易部周二公布的數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)芯片出口同比增長(zhǎng)1%，較9月份下滑了18%。多芯片封裝產(chǎn)品引領(lǐng)了反彈，增長(zhǎng)了12.2%，而利潤(rùn)豐厚的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的銷售額首次收窄至個(gè)位數(shù)。
2023-11-15 17:37:26719 后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失存儲(chǔ)器（Volatile Memory），存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作非易失存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01731 
本文將介紹芯片設(shè)計(jì)中動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的相關(guān)知識(shí)，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:34817 存儲(chǔ)器測(cè)試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 16Gb低VDDQ移動(dòng)低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
相同點(diǎn)？
感覺6116數(shù)據(jù)的存取很簡(jiǎn)單呀？設(shè)置成“寫入”狀態(tài)，在地址端0001-0101依次輸入數(shù)據(jù)0001，0010，0011，0100，0101后，把存儲(chǔ)器設(shè)置成“讀出”狀態(tài)就可以看到輸出端
2023-10-07 08:39:25
怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
眾所周知，鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）是一種融合了在斷電的情況下也能保留數(shù)據(jù)的非易失性、隨機(jī)存取兩個(gè)特長(zhǎng)的鐵電隨機(jī)存儲(chǔ)器。本文所提到的國產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在數(shù)據(jù)保持上，不僅不需要備用電池，而且
2023-09-27 10:00:51
、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、定時(shí)器以及并行接口等。微處理器執(zhí)行存放在程序存儲(chǔ)器中的各種保護(hù)程序，對(duì)由數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)輸入到隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析處理，以完成各種繼電器保護(hù)的功能。 3、數(shù)字量輸入/輸出接口 即開關(guān)量輸入/輸出
2023-09-22 16:34:33546 
存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分，用于存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲(chǔ)信息的介質(zhì)和訪問方式的不同，存儲(chǔ)器可以分為隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）、只讀存儲(chǔ)器（ROM）和硬盤存儲(chǔ)器等幾類。本文將介紹存儲(chǔ)器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272106 STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲(chǔ)器映射? 總線架構(gòu)? 存儲(chǔ)器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
微控制器的處理器類型根據(jù)不同的應(yīng)用而有所不同。可供選擇的范圍從簡(jiǎn)單的4位、8位或16位處理器到更復(fù)雜的32位或64位處理器。微控制器還可以使用不同類型的存儲(chǔ)器，包括易失性存儲(chǔ)器，如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
2023-09-07 15:54:332181
-40℃~+85℃
片上只讀存儲(chǔ)器
384KB
片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
512KB
外部閃光
8MB
封裝內(nèi) PSRAM
2MB
無線上網(wǎng)
IEEE 802.11 b/g/n，2.4Ghz 頻段
2023-09-07 10:05:03
我們知道除了只讀存儲(chǔ)器外還有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，這一篇將介紹另一種 存儲(chǔ)類IP核 ——RAM的使用方法。RAM是 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （Random Access Memory），是一個(gè)易失性存儲(chǔ)器，斷電丟失。RAM工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定的地址寫入或讀出數(shù)據(jù)。
2023-08-29 16:46:071660 
和“讀寫”段，前者包含代碼和只讀數(shù)據(jù)，后者包含初始化和未初始化或零初始化(ZI)數(shù)據(jù)。
通常，“只讀”段被放在只讀存儲(chǔ)器中，而“讀寫”段在開始執(zhí)行之前從只讀存儲(chǔ)器復(fù)制到隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
2023-08-24 08:23:51
。
SMI將AMBA高級(jí)系統(tǒng)總線(ASB)連接到AMBA微控制器的外部存儲(chǔ)器總線。
這允許連接多達(dá)8個(gè)256MB的32位寬靜態(tài)存儲(chǔ)器(SRAM、ROM等)。
并與測(cè)試接口控制器(TIC)一起提供
2023-08-21 06:22:01
技術(shù)，每種技術(shù)都具有不同的特性和高級(jí)功能。雙數(shù)據(jù)速率 (DDR) 同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SDRAM) 已成為主系統(tǒng)存儲(chǔ)器最主流的存儲(chǔ)器技術(shù)，因?yàn)樗褂秒娙萜髯鳛?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)元件來實(shí)現(xiàn)高密度和簡(jiǎn)單架構(gòu)、低延遲和高性能、無限存取耐力和低功耗。
2023-08-17 09:54:20414 
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。
2023-08-03 12:27:03649 
動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）
?片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備中已經(jīng)存在的高速鏈路。
TMC也可以作為系統(tǒng)中的先進(jìn)先出（FIFO）操作。這減少了跟蹤
通過平均跟蹤帶寬得出溢出和跟蹤端口大小
2023-08-02 14:35:05
PrimeCell靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器（SMC）是一款符合高級(jí)微控制器總線架構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備，由ARM有限公司開發(fā)、測(cè)試和許可。
SMC是一個(gè)AMBA從模塊，連接到高級(jí)高性能
2023-08-02 12:21:46
SC054 ASB靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器（SMC）是一款符合高級(jí)微控制器總線架構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)外圍設(shè)備，由ARM開發(fā)、測(cè)試和許可。SC054 ASB SMC是一個(gè)AMBA從模塊，連接到高級(jí)系統(tǒng)總線
2023-08-02 07:39:45
，用于從計(jì)算機(jī)的RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）或其他設(shè)備的內(nèi)存中提取關(guān)鍵信息，以便了解設(shè)備在特定時(shí)間點(diǎn)的狀態(tài)和活動(dòng)。內(nèi)存取證的主要目的？?jī)?nèi)存取證的主要目的是獲取在計(jì)算機(jī)或設(shè)
2023-08-01 11:21:511056 
一個(gè)可隨時(shí)存取數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，即可讀(取)或?qū)?存)的存儲(chǔ)器，簡(jiǎn)稱ram。
2023-07-25 15:28:37641 該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和嵌入式閃存、一個(gè)提供時(shí)鐘、復(fù)位和電源管理功能的模擬子系統(tǒng)以及模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)子系統(tǒng)組成。本數(shù)據(jù)手冊(cè)描述ADuCM4050 MCU的A
2023-07-17 15:08:25
和微控制器單元 (MCU) 子系統(tǒng)。ADuCM300 具有 128 kB 程序閃存/EE、4 kB 數(shù)據(jù)閃存/EE 和 6 kB 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM)
2023-07-17 13:56:20
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）用于實(shí)時(shí)存儲(chǔ)CPU正在使用的程序和數(shù)據(jù)。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器上的數(shù)據(jù)可以被多次讀取、寫入和擦除。RAM是存儲(chǔ)當(dāng)前使用的數(shù)據(jù)的硬件元素。它是一種易失性存儲(chǔ)器。
2023-07-06 14:22:271949 ，非易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)關(guān)閉后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)仍保留在計(jì)算機(jī)中。易失性存儲(chǔ)器的主要特征是它們需要電源來維持其存儲(chǔ)狀態(tài)。主要分為兩種類型：靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)。 1963年，F(xiàn)airchild發(fā)明了SRAM。作為即1959年I
2023-06-28 09:05:28874 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:181959 
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性，芯片能在常溫、沒有電場(chǎng)的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上
2023-06-20 14:19:25391 
應(yīng)用領(lǐng)域：
256KB Flash，可編程增益放大器，比較器，CAN2.0B，DAC，RTC，硬件乘除法器。廣泛適用于智慧交通、智慧城市，綠色能源及智能家居等，如智能門鎖、無線監(jiān)控設(shè)備、BMS電池
2023-06-16 10:58:23
隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)，而系統(tǒng)存儲(chǔ)器(4KB)除可作啟動(dòng)加載程序(Bootloader)外，也可一次性配置成一
般用戶程序和數(shù)據(jù)區(qū)，達(dá)到64+4KB的最大空間使用。片上還集成1個(gè)OTG控制器(設(shè)備模式支持
2023-06-08 16:10:08
鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲(chǔ)器同時(shí)擁有隨機(jī)存取記憶體(RAM)和非易失性存儲(chǔ)器的特性，芯片能在常溫、沒有電場(chǎng)的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達(dá)100年以上，鐵電
2023-06-08 09:52:17
隨機(jī)存儲(chǔ)器可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定地址中讀出數(shù)據(jù)，也可以隨時(shí)將數(shù)據(jù)寫入任何一個(gè)指定的存儲(chǔ)單元中
2023-06-05 15:49:47785 
作為一種非易失性存儲(chǔ)器，鐵電存儲(chǔ)器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的高速度與可擦除存儲(chǔ)器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)合，鐵電存儲(chǔ)器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
16-MBIT（1M X 16）靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-06-01 09:18:00
無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲，還是單純地瀏覽數(shù)碼照片，你的電腦都會(huì)定期進(jìn)入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM），今天的計(jì)算機(jī)甚至無法啟動(dòng)。
2023-05-30 15:19:55317 主存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo)
* **存儲(chǔ)容量**
存儲(chǔ)器可以容納的二進(jìn)制信息量（尋址空間，由CPU的地址線決定）
* **實(shí)際存儲(chǔ)容量：** 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。
* **存取速度：** 存取時(shí)間是指從啟動(dòng)一次存儲(chǔ)器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時(shí)間，也稱為讀寫周期；
2023-05-26 11:28:10823 
SDRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，與CPU的時(shí)鐘速度同步。SDRAM也代表SDR SDRAM（單數(shù)據(jù)速率SDRAM）。單數(shù)據(jù)速率意味著SDR SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只能讀/寫一拍數(shù)據(jù)。在傳輸下一個(gè)讀/寫操作之前，需要等待命令完成。SDR 速度從 66 MHz 到 133 MHz 不等。
2023-05-26 10:43:371535 
，并把電容放電，藉此來保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。
SRAM：
SRAM利用寄存器來存儲(chǔ)信息，所以一旦掉電，資料就會(huì)全部丟失，只要供電，它的資料就會(huì)一直存在，不需要?jiǎng)討B(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
3.產(chǎn)品應(yīng)用
2023-05-19 15:59:37
Flash的容量往往較小。NOR設(shè)備在每次寫操作時(shí)都必須以塊的方式寫入數(shù)據(jù)。并行NOR閃存利用靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)快速訪問芯片的可尋址區(qū)域，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)字節(jié)的快速訪問。與NAND Flash相比
2023-05-18 14:13:37
在定義方面它們有本質(zhì)的區(qū)別，硬盤屬于“ 非易失性存儲(chǔ)器”，而內(nèi)存是“隨機(jī)存取存儲(chǔ)器”，屬于“易失性存儲(chǔ)設(shè)備“。
2023-05-17 15:40:191542 描述? BL24C256A提供262144位串行電可擦除和可編程只讀存儲(chǔ)器（EEPROM），組織為32768字，每個(gè)8位。? 該設(shè)備被優(yōu)化用于許多工業(yè)和商業(yè)應(yīng)用，其中低功率和低壓操作是必不可少
2023-05-17 10:19:18
EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
RAM ：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”。
2023-04-25 15:58:205062 
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462547 本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
SRAM存儲(chǔ)器子系統(tǒng)：? 具有 SECDED ECC 的高達(dá) 2MB 的片上 RAM(OCSRAM)：– 可以按 256KB 的增量分成更小的存儲(chǔ)器組，多達(dá) 8 個(gè)獨(dú)立的存儲(chǔ)器組– 每個(gè)存儲(chǔ)器組可分
2023-04-14 15:42:08
XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲(chǔ)器，可直接從雙/四SPI接口執(zhí)行代碼，存儲(chǔ)語音、文本和數(shù)據(jù)，提供的靈活性和性能遠(yuǎn)超普通串行閃速存儲(chǔ)器，非常適合于
2023-04-14 10:42:553818 
SHARC 系列數(shù)字信號(hào)處理器 (DSP) 中的一款產(chǎn)品，采用 ADI 公司的超級(jí)哈佛架構(gòu)。這些 32 位/40 位/64 位浮點(diǎn)處理器已針對(duì)高性能音頻/浮點(diǎn)應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化，具有大型片內(nèi)靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
2023-04-11 17:36:45479 。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(random access memory，RAM)又稱作\"隨機(jī)存儲(chǔ)器\"。存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將
2023-04-10 16:43:04
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
/寫存儲(chǔ)器，在斷電時(shí)無需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲(chǔ)器容量。快速的寫入速度和無限的耐用性使該存儲(chǔ)器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
EPROM存儲(chǔ)器 PLCC32 256Kb
2023-04-06 17:11:41
設(shè)備基于運(yùn)行頻率高達(dá) 80 MHz 的第 2 版 ColdFire 內(nèi)核，以實(shí)現(xiàn)性能和低功耗。片上存儲(chǔ)器與處理器內(nèi)核緊密耦合，包括 512 KB 閃存和 64 KB 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (SRAM)。片
2023-03-31 08:49:25
(Flash)及32KB隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)，片上還集成了多達(dá)5個(gè)UART、2個(gè)SPI(可復(fù)用I2S)、2個(gè)I2C、1個(gè)SDIO和1個(gè)CAN接口(2.0B主動(dòng))、1個(gè)16位高級(jí)定時(shí)器、5個(gè)16位通用
2023-03-30 10:44:55308 EEPROM存儲(chǔ)器 256K I2C串行 SOIC8
2023-03-28 18:25:28
3 v 256位 串行快閃存儲(chǔ)器 雙/四spi, qpi和DTR
2023-03-27 11:55:03
ReRAM代表電阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，是一種非易失性存儲(chǔ)器，具有如低功耗和快速寫入的特長(zhǎng)。該存儲(chǔ)器在所有存儲(chǔ)器產(chǎn)品中的讀取電流都最小，特別適合于助聽器等可穿戴設(shè)備。
2023-03-25 15:49:351054 單片機(jī)程序存儲(chǔ)器64KB是外擴(kuò)的還是外擴(kuò)加內(nèi)部的呢？
2023-03-24 17:44:04
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