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SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
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國(guó)產(chǎn)SRAM存儲(chǔ)芯片EMI502HF08VM-10I介紹
靜態(tài)SRAM芯片是由晶體管組成。SRAM的速度非常快,通常能以20ns或更快的速度工作。靜態(tài)ram中所謂的“靜態(tài)”,是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存...
1Mbit國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI501NL16VM-55I介紹
偉凌創(chuàng)芯EMI501NL16VM-55I采用的是EMl先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造,位寬64Kx 16位,電源電壓為2.7V~3.6V,支持三態(tài)輸出和T...
國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI504HL08PM-55I的簡(jiǎn)單介紹
SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。靜態(tài)是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí),SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失,這與在斷電...
1Mb國(guó)產(chǎn)串口SRAM芯片EMI7001WTMI
偉凌創(chuàng)芯國(guó)產(chǎn)芯片EMI7001WTMI是一款容量為1Mb的串口SRAM,采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)設(shè)計(jì)和制造,提供高速性能和低功耗。其內(nèi)部組織為128K字,...
低功耗SRAM存儲(chǔ)器IS62WV1288DALL的特征
ISSI公司主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM存儲(chǔ)芯片。還設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售NOR閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號(hào)集成電路。主要是應(yīng)用在汽車(chē)、通信、...
國(guó)產(chǎn)SPI SRAM存儲(chǔ)器EMI7064MSMI介紹
介紹一款可用于數(shù)據(jù)采集或信號(hào)處理過(guò)程的緩沖,MCU遠(yuǎn)程升級(jí)的數(shù)據(jù)備份和緩存等等的國(guó)產(chǎn)SPI SRAM存儲(chǔ)器,EMI7064MSMI是一款具有SPI 接口...
國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI502NF08VM-10C介紹
ISSI IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND是一種高速SRAM芯片,位寬256K x 8。采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可...
STM32F407由一個(gè)Cortex-M4內(nèi)核,片上flash,片上sram,以及片上外設(shè)(uart,I2C,SPI等)組成。 內(nèi)核通過(guò)I,S,D三條數(shù)...
國(guó)產(chǎn)SRAM EMI508NL08VM-55IT的特征說(shuō)明
8Mbit國(guó)產(chǎn)低功耗SRAM芯片EMI508NL08VM-55IT采用EMI先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造。位寬1MX8bit,電源電壓為2.7V~3.6...
1Mb國(guó)產(chǎn)異步SRAM芯片EMI501HB08PM-55I特征
隨機(jī)存儲(chǔ)器最大的特點(diǎn)就是可以隨時(shí)對(duì)它進(jìn)行讀寫(xiě)操作,但當(dāng)電源斷開(kāi)時(shí),存儲(chǔ)信息便會(huì)消失。SRAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)方式是依靠一對(duì)反相器以閉環(huán)形式連接的存儲(chǔ)電路,它的...
西人馬推出為智能傳感器等應(yīng)用而生的MCU芯片CU0801A
近日,西人馬公司再次推出自研芯片,CU0801A。 CU0801A是基于RISC-V架構(gòu)的32位高性能低功耗通用微控制器。RISC-V處理器適用于低能耗...
國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI501HB08PM45I概述及特征
在過(guò)去的幾十年中,SRAM領(lǐng)域已劃分為兩個(gè)不同的產(chǎn)品系列,快速和低功耗,每個(gè)產(chǎn)品都有自己的功能,應(yīng)用程序和價(jià)格。使用SRAM的設(shè)備需要它的高速性或低功耗...
4Mbit異步快速SRAM芯片CY7C1041GN30-10ZSXIT簡(jiǎn)介
SRAM是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM),它使用基于觸發(fā)器的鎖存電路來(lái)存儲(chǔ)每個(gè)位。只要有電源,數(shù)據(jù)位就會(huì)保留在存儲(chǔ)器中。與動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)不同,SR...
低功耗SRAM存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)單描述及特征介紹
低功耗SRAM存儲(chǔ)器應(yīng)用于內(nèi)有電池供電對(duì)功耗非常敏感的產(chǎn)品,是靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器的一種類(lèi)別,靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器(SRAM)作為最重要的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,廣泛...
基于SRAM技術(shù)的Xilinx FPGA具有較高的邏輯密度
基于SRAM技術(shù)的Xilinx FPGA具有較高的邏輯密度,消耗較高功率; 基于閃存技術(shù)的Xilinx CPLD具有較低的邏輯密度,功耗也比較低。為了提...
國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI501NL16LM-55I特征介紹
ISSI IS63WV1288DBLL-10JLI是一種非常高速且低功耗的128X8位CMOS靜態(tài)SRAM。該產(chǎn)品使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。...
醫(yī)療刺激裝置如何通過(guò)外部存儲(chǔ)器來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,消費(fèi)類(lèi)、便攜式醫(yī)療設(shè)備的功能越來(lái)越強(qiáng)大,越來(lái)越完善,極大地提高了準(zhǔn)確性、可靠性、連接性和易用性,同時(shí)保證了用戶健康信息的安全性,價(jià)格...
國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI502NL16LM可替代IS61WV12816FALL
SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。靜態(tài)是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。因此SRA...
國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI502NL16VM的特征是怎樣的
EMI502NL16VM系列由EMI先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造。這些系列支持工業(yè)溫度范圍和芯片級(jí)封裝,以使用戶靈活地進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)。該系列還支持低數(shù)據(jù)保...
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