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標(biāo)簽 > sram
SRAM(Static Random Access Memory),即靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
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安森美半導(dǎo)體推出最新的高分辨率音頻處理系統(tǒng)級(jí)芯片
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出最新的高分辨率音頻處理系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC),具有1656KB 靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)和高電源能效...
聯(lián)華電子攜手智原交付40nm工藝3億邏輯門SoC
聯(lián)華電子攜手智原已經(jīng)完成并交付3億邏輯門(300-million gate count)系統(tǒng)單芯片解決方案。此款3億邏輯門SoC是采用聯(lián)華電子40nm工...
隨著制程邁向5nm甚至3nm,半導(dǎo)體工藝復(fù)雜性劇增導(dǎo)致高密度SRAM在先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)處的縮小變得更為有限。為減少面積和能耗,STT-MRAM存儲(chǔ)器已成為替...
1Mbit國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI501NL16VM-55I介紹
偉凌創(chuàng)芯EMI501NL16VM-55I采用的是EMl先進(jìn)的全CMOS工藝技術(shù)制造,位寬64Kx 16位,電源電壓為2.7V~3.6V,支持三態(tài)輸出和T...
SRAM存儲(chǔ)芯片即是靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它具有靜止存取功能的存儲(chǔ)器芯片,它不需要刷新電路便能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的所有數(shù)據(jù)。 SRAM存儲(chǔ)芯片主要應(yīng)用于需要緩...
2020-04-28 標(biāo)簽:sramISSISRAM存儲(chǔ)器 1422 0
國(guó)產(chǎn)星憶高速異步X型隨機(jī)存儲(chǔ)芯片XM8A01M16V33A功能上等效于異步SRAM
XRAM是一種旨在以具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格提供高密度和高性能ram的新型內(nèi)存體系結(jié)構(gòu).XRAM使用先進(jìn)的DRAM技術(shù)和自刷新體系結(jié)構(gòu)顯著提高了內(nèi)存密度并簡(jiǎn)化了...
單片機(jī)外擴(kuò)ram數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器
一個(gè)可隨時(shí)存取數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器,即可讀(取)或?qū)?存)的存儲(chǔ)器,簡(jiǎn)稱ram。
在使用SRAM時(shí)如何才能有效節(jié)省芯片的面積
SRAM存儲(chǔ)器是一款不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。而DRAM每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則就會(huì)出現(xiàn)內(nèi)部數(shù)據(jù)會(huì)消失,因此SRA...
國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI502NL16LM可替代IS61WV12816FALL
SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的一種。靜態(tài)是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電,里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。因此SRA...
使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)
使用新SRAM工藝實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)...
一年一度的“國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議”(ISSCC)將在明年2月舉行,幾乎所有重要的晶片研發(fā)成果都將首度在此公開發(fā)布,讓業(yè)界得以一窺即將面世的最新技術(shù)及其發(fā)展趨勢(shì)。
ISSI IS61/64WV5128EDBLL描述 ISSI IS61/64WV5128EDBLL是高速異步SRAM,4,194,304位靜態(tài)RAM,組...
偉凌創(chuàng)芯異步SRAM芯片EMI504WF16VA-10I
快速異步型SRAM,存取時(shí)間為35ns(或更短)的異步型SRAM可被歸類為“快速”異步型 SRAM 。這些存儲(chǔ)器通常應(yīng)用于老式系統(tǒng)中,且功耗較高。其典型...
基于FPGA與SRAM的大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的設(shè)計(jì)
1 前言 針對(duì)FPGA中內(nèi)部BlockRAM有限的缺點(diǎn),提出了將FPGA與外部SRAM相結(jié)合來(lái)改進(jìn)設(shè)計(jì)的方法,并給出了部分VHDL程序。 2...
2010-09-16 標(biāo)簽:SRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 1347 0
ROM、RAM、DRAM和SRAM都是計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)技術(shù)的術(shù)語(yǔ),它們代表了不同類型的存儲(chǔ)器,各自有不同的特性和用途
簡(jiǎn)述推動(dòng)FPGA關(guān)鍵的汽車傳動(dòng)和安全系統(tǒng)
AEC-Q100 Grade 2 和 Grade 1標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,即通過(guò)了一系列專為確保汽車應(yīng)用中半導(dǎo)體器件的質(zhì)量、可靠性和耐久性的臨界壓力
國(guó)產(chǎn)SRAM芯片EMI502NF08VM-10C介紹
ISSI IS61WV2568EDBLL-10TLI-ND是一種高速SRAM芯片,位寬256K x 8。采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可...
物聯(lián)網(wǎng)及穿戴設(shè)備還未出世前,Serial SRAM的利潤(rùn)并不能吸引主流到SRAM廠商的關(guān)注。隨著串行SRAM的商機(jī)不斷增多,傳統(tǒng)的SRAM廠商進(jìn)軍串行S...
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