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標(biāo)簽 > V-NAND
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三星宣布量產(chǎn)第九代V-NAND芯片,位密度提升50%
在技術(shù)層面,第九代V-NAND無疑展現(xiàn)出了三星的卓越技術(shù)實力。它采用了雙重堆疊技術(shù),在原有的旗艦V8閃存236層的基礎(chǔ)上,再次實現(xiàn)了技術(shù)上的重大突破,堆...
很少人會想到 NAND快閃記憶體已經(jīng)快要消失在地平線上、即將被某種新技術(shù)取代,筆者最近參加了一場IBM/Texas Memory Systems關(guān)于快...
在舊金山的閃存峰會上,三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒,容量高達1Tb,用于消費級產(chǎn)品。
三星目前已完成32層堆疊第二代V-NAND的研發(fā)作業(yè),計劃第3季推出48層堆疊第三代V-NAND產(chǎn)品后,于2016年生產(chǎn)64層堆疊的V-NAND產(chǎn)品。
三星電子量產(chǎn)最高存儲密度的1Tb 第8代V-NAND
1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度,可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存
三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9...
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