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標簽 > vdd
Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因為主流芯片結構是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結構Vcc就為負了。建議選用芯片時一定要看清電氣參數
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NVIDIA Jetson 作為開發者套件是最簡單的入門方法之一，可以將高性能 Arm 內核與NVIDIA 自己的高級 GPU 引擎結合在一起，使其功能...
同步整流技術就是采用低導通電阻的功率MOS管代替開關變換器快恢復二極管，起整流管的作用，從而達到降低整流損耗，提高效率的目的。
DCpower一般是指帶實際電壓的源，其他的都是標號(在有些仿真軟件中默認的把標號和源相連的)VDD:電源電壓(單極器件);電源電壓(4000系列數字電...
I2C通訊協議具有運行可靠、成本低廉、占用IO資源少等優點，廣泛應用于多級通訊中；中穎芯片硬件TWI（兩線串行接口）接口完全兼容I2C總線協議。
大家首先要了解在DCM工作模式下，高壓浮地Buck工作模態包括：勵磁模態、消磁模態和振蕩模態。
調整PG structure，讓電源地間隔放置?；蛘吆侠頊p少power，不要打太多、不要打太寬。
我們在設計電路的時候經常會在電路中VDD, VCC 引腳旁邊放置一些電容，比如1nF,10nF, 100nF, 1uF等。
對于物理驗證中的LVS，需要對各種物理器件進行SpiceVsGDS的比對，基于現在流行的std-cell的庫的設計方法，LVS需要對CMOS器件多相應的處理
從理論上講，單片機每次上電復位所需的最短延時應該不小于treset。這里，treset等于上電延時taddrise與起振延時tosc之和。從實際上講，延...
innovus里邊有不少physical DRC檢查工具，其中的verifyConnectivity 別有一番有趣的用法，借此機會，一起來看看其中的一個亮點。
FB系統反饋管腳。輔助繞組電壓經電阻分壓后送至FB管腳，用于CV模式輸出電壓控制及CC模式輸出電流控制。
本文通過分析低側柵極驅動器的等效電路來計算如何合理的選取RGATE電阻的阻值，既要保持MOS管的良好開關性能，還要有效抑制振鈴的產生。
在數字集成電路設計中，SoC（System on Chip）是一種將多個模塊集成在單個芯片上的技術。
其實像這些基本的電路、比如D觸發器、Schmitt Trigger，MUX等這些電路在PDK中很多工藝都是有的，但是很多情況下我們需要自己設計有某些功能...
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