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開關(guān)電源調(diào)試時常見的十種問題及解決辦法

在高壓或低壓輸入下開機(包含輕載，重載，容性負載)，輸出短路，動態(tài)負載，高溫等情況下，通過變壓器(和開關(guān)管)的電流呈非線性增長

2023-05-25 標簽：變壓器開關(guān)電源 VDS 2878 0

共源極放大器的設計方法

計算場效應管的直流轉(zhuǎn)移特性曲線，并將特性曲線描繪在方格紙上，在曲線上確定出 MOS 管的飽和區(qū)，確定輸入電壓、輸出電壓的范圍。

2023-07-06 標簽：場效應管 VDS 直流偏置電源 2823 0

MOS管的相關(guān)參數(shù)

MOS管數(shù)據(jù)手冊上的相關(guān)參數(shù)有很多，以MOS管VBZM7N60為例，下面一起來看一看，MOS管的數(shù)據(jù)手冊一般會包含哪些參數(shù)吧。

2023-09-27 標簽：MOS管參數(shù)柵極 2562 0

總電壓采樣電路中使用MOS作為開關(guān)的問題

使用高壓MOS作為開關(guān)，例如下圖（來自于ADI官網(wǎng)）LTC2949的典型應用電路中，使用高壓MOS作為絕緣檢測的橋臂開關(guān)；選用高壓MOS的原因是成本相對...

2023-07-06 標簽：三極管 MOS管 VDS 2451 0

采用副邊同步整流解決方案降低開關(guān)電源過熱（二）

本文是探索如何為超小型快充適配器設計副邊同步整流器的系列文章的第二部分。第一部分討論了同步整流器的拓撲設計和電源。第二部分將回顧同步整流器如何打開和...

2023-08-02 標簽：開關(guān)電源 MOS管 VDS 2070 0

SiC MOSFET：通過波形的線性近似分割來計算損耗的方法

首先，計算開通和關(guān)斷時間內(nèi)消耗的功率損耗Pton和Ptoff。波形使用圖1中的示例波形。功率損耗使用表1中的近似公式來計算。由于計算公式會因波形的形狀而...

2024-05-29 標簽：MOSFET 導通電阻 SiC 1952 0

Linux內(nèi)核特性之VDSO

往往內(nèi)核添加了一個功能，glibc要花很久才會用上。本來linux那邊為這個功能是否進入內(nèi)核已經(jīng)吵半天了，glibc這邊又要為是否使用這個內(nèi)核新特性再次...

2019-04-26 標簽：Linux VDS 1724 0

MOS管基礎知識：輕松理解MOS管工作原理

MOS管基礎知識：輕松理解MOS管工作原理。MOS管是一種利用電場效應來控制其電流大小的半導體三端器件，很多特性和應用方向都與三極管類似。這種器件不僅體...

2023-06-13 標簽：MOS管 VDS 1540 0

MOS學習筆記-模型及工作原理

最近在公司做電動車控制器壞機解析的工作中碰到了一些MOS損壞的機子。在以前的工作中雖然對MOS有一些應用，但是其中的工作原理還沒有仔細的學習過，希望能通...

2023-10-16 標簽：放大電路 MOS管 NMOS 1491 0

橋式電路的開關(guān)產(chǎn)生的電流和電壓

本文將介紹在SiC MOSFET這一系列開關(guān)動作中，SiC MOSFET的VDS和ID的變化會產(chǎn)生什么樣的電流和電壓。

2022-12-05 標簽：MOSFET SiC VDS 1279 0

超結(jié)MOSFET開關(guān)特性2-理想二極管模型

寄生電容和開關(guān)時間：功率MOS具有極快的開關(guān)速度，器件導通或關(guān)斷前需要對寄生電容進行充放電，而電容的充放電需要一定時間

2023-07-13 標簽：MOS管電源電壓寄生電容 1129 0

功率MOSFET選型的幾點經(jīng)驗分享

和小功率MOSFET類似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類;每個大類又分為增強型和耗盡型兩種。

2023-10-25 標簽：三極管 MOSFET VDS 915 0

SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極-源極間電壓的動作-低邊開關(guān)導通時的Gate-Source間電壓的動作

上一篇文章中，簡單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動電路的開關(guān)工作帶來的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細介紹SiC MOS...

2023-02-08 標簽：MOSFET 柵極 SiC 844 0

超結(jié)MOSFET的開關(guān)特性

寄生電容和開關(guān)時間：功率MOS具有極快的開關(guān)速度，器件導通或關(guān)斷前需要對寄生電容進行充放電，而電容的充放電需要一定時間，其開關(guān)速度要受器件的寄生電容限制。

2023-07-13 標簽：MOS管電源電壓 VDS 729 0

最大限度地減少SIC FETs EMI和轉(zhuǎn)換損失

2023-09-27 標簽：emi SiC VDS 679 0

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