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本次實驗旨在帶您熟悉變壓器耦合放大器的阻抗匹配操作。升降壓變壓器的基本定義是一種將輸入的交流電壓轉換為比原電壓更高（升壓）或更低（降壓）的器件。此外還有可用于將電路與地隔離的變壓器，這種變壓器被稱為隔離變壓器。本文將側重討論變壓器的另一種用途，即用于匹配電路阻抗以實現 最大功率傳輸。...
本文旨在解決DC-DC開關穩壓器的功率級設計中面臨的復雜難題，重點關注功率晶體管和自舉電容。降壓轉換器用于演示忽視功率晶體管時序規范的影響，以及移除自舉電容時會發生什么情況。功率晶體管具有最小導通和關斷時間要求，以確保FET柵極電容正確充電和放電，從而保證晶體管完全導通和關斷。如果忽略這些要求（例如...
TPA267x系列產品帶寬10MHz，壓擺率達到15V/μs，產品在100KHz電源干擾下抑制比達到了80dB，降低了客戶在電源上的設計成本，廣泛適用于工業自動化、光伏儲能、電機驅動器和音頻設備等領域。...
設計測試電路，使用 F030單片機進行測試。輸入的模擬信號經過RC濾波之后，發送到 ADC的第0通道。使用兩個電阻將模擬地和電源分開。電路板上還設置了 3.3V的穩壓芯片。設計電路PCB，使其能夠適應一分鐘制板方法。...
柵極參數設計是通過理論計算或建模仿真，模擬器件的開關狀態，掌握其動態特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等，其核心還是理論計算。...
PT100是正溫度系數的熱敏電阻，顧名思義，隨著溫度的升高，電阻的阻值變大；相反，如果隨著溫度的升高，電阻的阻值變小，就是負溫度系數的熱敏電阻。...
統講法一般分三步，以NPN型為例(以下所有討論皆以NPN型硅管為例)，如示意圖A。1.發射區向基區注入電子;2.電子在基區的擴散與復合;3.集電區收集由基區擴散過來的電子?！?注1)...
暗戀就像根二極管，總是單向的電流。除非你運氣好，表白時二極管反向擊穿了，否則你就一直這樣毫無回報的付出吧，別抱怨，誰讓你選二極管呢。...
當MOS管驅動能力不足時，我們會使用推挽電路來放大電流，但是MOS管明明是壓控型器件，為什么要去考慮電流大小呢？...
低阻抗、大面積接地層對于模擬電路和數字電路都是至關重要的。接地層不僅為了給高頻電流（高速數字邏輯產生的）一個低阻抗返回路徑，而且最大限度地減少EMI / RFI輻射。...
這個主要是Drain加反偏電壓后，使得Drain/Bulk的PN結耗盡區延展，當耗盡區碰到Source的時候，那源漏之間就不需要開啟就形成了 通路，所以叫做穿通（punch through）。...
在高頻信號電路中，電阻不是單純的只有電阻R，而是還有電感，電感L模擬引線，電容Ca用于模擬電荷的分離效應，電容Cb用于模擬內部引線電容。...
1. 每個IGBT有獨立的驅動器； 2. IGBT的連接形式接近于硬并聯，兩橋臂交流輸出端通過銅排直接相連； 3. 可能存在發射極環流，但不同的IGBT門極回路間不存在耦合，IGBT的開關行為很獨立...
三極管是晶體管的一種，三極管的三個極分別是基極（Base）、發射極（Emitter）、集電極（Collector）。...
ESD保護二極管設計在信號線與GND之間，保護DUP器件免受浪涌電壓的沖擊。在正常工作模式下，ESD保護二極管幾乎沒有電流經過，只會有少量電流使反向擊穿電壓高于信號線電壓。...
從 2kHz 頻率開始，我們逐漸調小輸入信號的頻率，直至輸出信號的峰峰值降至 2.05 * 0.707 = 1.45V ，此時的頻率即為下限截止頻率：...
.通電導通性檢查 用9 V電池作為電源接至G11觸發上橋臂中的1號IGBT，用萬用表的二極管擋測量上橋臂“+”與“～”之間的導通性，顯示導通，壓降為0.379 V。...
為了保護接口，抵抗小能量電壓脈沖，防止信號脈沖損壞接口的。 舉個簡單的例子： 一個串口通訊的提示信號，當接上串口時，因為瞬間的插拔產生了一個很窄的電壓脈沖...
必須在基極和發射極之間施加電流，以在集電極中產生電流。圖1.2示出了MOSFET，當在柵極和源極端子之間施加電壓時在漏極中產生電流。...
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