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低噪聲電源必備：選擇最佳LDO的5大關(guān)鍵

在對(duì)噪聲敏感的應(yīng)用中，如無(wú)線基站、射頻放大器、醫(yī)療設(shè)備和工業(yè)應(yīng)用，低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）在濾除開(kāi)關(guān)電源噪聲和外部干擾方面至關(guān)重要。立锜提供多款工業(yè)用低噪聲 LDO，具備以下特性： ? 1. 高精度、低輸出電壓：立锜工業(yè)用 LDO 系列支持 1.1V 至 6.5V 輸入范圍，單一輸入，無(wú)需額外...

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邁巨推出高集成度鋰電池安全管理芯片AMG8816

邁巨微電子隆重推出新產(chǎn)品： AMG8816 ，該產(chǎn)品是一款專(zhuān)為 3-16 串鋰電池包設(shè)計(jì)的高集成度智能電池管理（BMS）主控芯片，以高集成度、多層級(jí)的全面保護(hù)機(jī)制、高精度數(shù)據(jù)采集、靈活電源管理、低功耗與智能管理模式為核心，兼顧性能、成本與可靠性，能為鋰電池系統(tǒng)提供了一站式解決方案。 AMG8816產(chǎn)...

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深度排查恩智浦MCX N系列支持的六種電源模式

前言在上周文章-MCX N系列之電源管理中，小編帶大家了解了MCX N系列的電源架構(gòu)以及不同的電源配置，本篇文章將介紹MCX N系列支持的六種電源模式，分別為： Active Sleep Deep Sleep Power Down Deep Power Down VBAT 任意的復(fù)位行為都會(huì)使芯...

686次閱讀 · 0評(píng)論 mcu恩智浦電源模式

ADALM2000實(shí)驗(yàn)：變壓器

變壓器還可以升高電壓以實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)距離傳輸，并降低電壓以實(shí)現(xiàn)安全配電。如果沒(méi)有變壓器，配電網(wǎng)絡(luò)中已經(jīng)很?chē)?yán)重的電力浪費(fèi)將大到驚人。也可以將直流(DC)電壓升壓或降壓，但這些技術(shù)比交流變壓器更復(fù)雜，而且在操作過(guò)程中涉及到將直流電壓轉(zhuǎn)換為某種形式的交流信號(hào)。此外，這樣的轉(zhuǎn)換通常效率低下且/或成本高昂。交流電的...

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如何在沒(méi)有軟啟動(dòng)方程的情況下測(cè)量和確定軟啟動(dòng)時(shí)序？

問(wèn)題: 如果DC-DC器件具有兩個(gè)輸出，但用作單路兩相輸出，這會(huì)如何影響軟啟動(dòng)時(shí)序？答案: 如果器件有兩個(gè)獨(dú)立的軟啟動(dòng)引腳，每個(gè)引腳都有各自的電流源，現(xiàn)在將二者并聯(lián)連接，形成單路輸出設(shè)計(jì)，此時(shí)電流源值會(huì)加倍，相同的輸出電容將表現(xiàn)出原來(lái)一半的時(shí)序。為了實(shí)現(xiàn)相同的軟啟動(dòng)時(shí)序，軟啟動(dòng)電容值也需要加倍。...

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WBG 器件給柵極驅(qū)動(dòng)器電源帶來(lái)的挑戰(zhàn)

碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅(qū)動(dòng)器電源必須滿足這些寬帶隙半導(dǎo)體的獨(dú)特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應(yīng)用中設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)器電源時(shí)需要考慮的關(guān)鍵因素。圖 1：RECOM 眾多 DC/DC 模塊針對(duì) WBG 柵極驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化中的一部分 SiC 和 GaN 是寬帶...

1004次閱讀 · 0評(píng)論驅(qū)動(dòng)器SiCGaN柵極驅(qū)動(dòng)器寬帶隙半導(dǎo)體

開(kāi)關(guān)模式電源問(wèn)題分析及其糾正措施：檢測(cè)電阻器違規(guī)

本文旨在解決DC-DC開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的反饋級(jí)設(shè)計(jì)中面臨的復(fù)雜難題，重點(diǎn)關(guān)注檢測(cè)電阻器(RSENSE)元件。RSENSE對(duì)于確保反饋網(wǎng)絡(luò)（負(fù)責(zé)維持輸出電壓）接收來(lái)自電感電流的準(zhǔn)確信號(hào)而言至關(guān)重要。失真的信號(hào)可能會(huì)使電感紋波看起來(lái)比實(shí)際更大或更小，從而導(dǎo)致反饋網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)意外行為。...

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高性能電壓監(jiān)控器詳解—-- 第一部分

本文闡述了高性能電壓監(jiān)控器的價(jià)值，討論了其基本定義、工作原理、技術(shù)規(guī)格、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和極性。某些高性能電壓監(jiān)控器旨在幫助基于微處理器的系統(tǒng)提升可靠性，防止掉電狀況下系統(tǒng)出錯(cuò)。本文提供了一些示例。...

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實(shí)現(xiàn)不間斷能源的智能備用電池第四部分：基于MAX32625的BBU架的操作

摘要本文詳細(xì)介紹了ADI公司用于開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目開(kāi)放機(jī)架第3版(OCP ORV3)備用電池單元(BBU)架的硬件和軟件。其主要功能是建立BBU模塊之間的通信，并通過(guò)為此類(lèi)應(yīng)用精心打造的圖形用戶界面(GUI)向用戶呈現(xiàn)可讀數(shù)據(jù)和信息。引言備用電池架是OCP ORV3架構(gòu)和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中電源管理系統(tǒng)的...

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必易微高性能連續(xù)導(dǎo)通模式PFC控制器KPE2851X/KPE2852

在現(xiàn)代電力系統(tǒng)中，功率因數(shù)校正（Power Factor Correction，簡(jiǎn)稱(chēng) PFC）已經(jīng)成為電源設(shè)計(jì)中不可忽視的重要因素之一，直接關(guān)系到電網(wǎng)的穩(wěn)定性、能效以及對(duì)環(huán)境的影響。 2023 年，必易微推出了臨界導(dǎo)通模式 (CRM) 的高性能 PFC 控制器 KP2806(A)。PFC 工作在臨界...

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AI數(shù)據(jù)中心電力飆升，安森美高能效MOSFET如何見(jiàn)招拆招？

安森美的中低壓 T10 PowerTrench MOSFET 采用了新型屏蔽柵極溝槽技術(shù)，降低了開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗，并進(jìn)而顯著降低了其 Qg，RDS(ON) 也降至 1mOhm 以下。...

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瑞薩電子RA2L1微控制器雙向3KW UPS電源方案帶來(lái)不間斷電力供應(yīng)能力

在現(xiàn)代企業(yè)的運(yùn)營(yíng)中，電力供應(yīng)的穩(wěn)定與連續(xù)是至關(guān)重要的。無(wú)論是數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療設(shè)施還是工業(yè)制造環(huán)境，片刻的電力中斷都可能引發(fā)數(shù)據(jù)丟失、設(shè)備損壞甚至安全事故，因此，不間斷電源（UPS）十分重要，其可確保業(yè)務(wù)的連續(xù)性，從而避免因突然斷電而造成的經(jīng)濟(jì)損失和潛在的風(fēng)險(xiǎn)。針對(duì)這一趨勢(shì)，瑞薩推出雙向3KW UP...

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400nA超低功耗升壓DC/DC轉(zhuǎn)換器大幅提升電池驅(qū)動(dòng)時(shí)間

這次介紹適用于一次電池驅(qū)動(dòng)時(shí)間應(yīng)用的超低功耗升壓DC/DC。 XC9145： 400nA超低功耗升壓DC/DC轉(zhuǎn)換器由于超低功耗，無(wú)論MCU在休眠模式還是活躍模式下，都可以在無(wú)需開(kāi)關(guān)控制的情況下始終保持高效率。 XC9145系列通過(guò)超低功耗電路將消耗電流降低至400nA，并采用PWM/PFM控制方...

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2.1 3.3V Vbus電源靜電保護(hù)方案

方案優(yōu)點(diǎn)：用于滿足IC VCC 3.3V的靜電浪涌保護(hù)，根據(jù)電源所處環(huán)境選擇合適保護(hù)電流的ESD器件；高速傳輸接口選擇超低電容ULC0511CDN，保證信號(hào)完整性的同時(shí)，通過(guò)靜電測(cè)試。滿足IEC61000-4-2，等級(jí)4，接觸放電30KV，空氣放電30KV。...

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1.0 1.8V VCC電源靜電保護(hù)方案

方案優(yōu)點(diǎn)：用于滿足IC VCC 1.8V的靜電浪涌保護(hù)，根據(jù)電源所處環(huán)境選擇合適保護(hù)電流的ESD器件；I/O接口選擇ESD01811CDN,，保證信號(hào)完整性的同時(shí)，通過(guò)靜電測(cè)試。滿足IEC61000-4-2，等級(jí)4，接觸放電30KV，空氣放電30KV。...

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英飛凌CoolSiC? MOSFET G2，助力下一代高性能電源系統(tǒng)

所有現(xiàn)代硅功率器件都基于溝槽技術(shù)，并已取代了平面技術(shù)，那么碳化硅呢？就碳化硅而言，溝槽設(shè)計(jì)在性能優(yōu)勢(shì)方面與Si功率MOSFET技術(shù)的發(fā)展有許多相似之處。采用碳化硅溝槽設(shè)計(jì)還有一個(gè)顯著優(yōu)勢(shì)，即可靠性。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明顯低于橫向界面。這就為性能和魯棒性特征與可靠性的匹配提供了新的優(yōu)化...

976次閱讀 · 0評(píng)論英飛凌MOSFET功率器件SiC電源系統(tǒng)

儲(chǔ)能PCB設(shè)計(jì)與制造思考探討儲(chǔ)能PCB設(shè)計(jì)與制造中的關(guān)鍵要素

建議采用多層PCB設(shè)計(jì)，以提供更多的布線層和地層。這有助于降低電阻、電感和噪聲，并提高PCB的抗干擾能力。在儲(chǔ)能系統(tǒng)中，信號(hào)的穩(wěn)定傳輸是至關(guān)重要的，因此合理的PCB層次結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)非常必要。...

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ADI利用耦合電感的優(yōu)勢(shì)進(jìn)一步提高48V至12V電源方案的效率

使用耦合電感升級(jí)多相降壓轉(zhuǎn)換器可以大幅提高功率密度，這種方案與先進(jìn)的替代方案不相上下，同時(shí)保持了巨大的性能優(yōu)勢(shì)。多相耦合電感的繞組之間反向耦合，因而各相電流中的電流紋波可以相互抵消。這種優(yōu)勢(shì)可以用來(lái)?yè)Q取效率的改善，或者尺寸的減小和功率密度的提高等。...

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