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通常需要在芯片內配置大容量的SRAM來減少片外DRAM的訪存需求，如何組織SRAM，并且配合上述計算流程，也是一個重要的設計內容。...
本文分析了NOR Flash的技術體系，結構特點，并對實現數據存儲的基本原理以及發展趨勢進行介紹。...
數據存儲技術的發展，可以說是一段漫長而又充滿神奇色彩的歷程，承載著人類智慧與技術創新。從最早的打孔卡開始，它逐漸經歷了磁存儲、硬盤、閃存，以及現在的云存儲；這一路的發展不僅見證了數據存儲技術的飛速進步，也反映了人類對信息記載與保存的不斷追求。...
相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內存下部設計為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡，這樣的設計可以保證金手指和內存插槽有足夠的接觸面從而確保內存穩定，另外，DDR4內存的金手指設計也有明顯變化，金手指中間的防呆缺口也比DDR3更加靠近...
典型的SoC存儲體系包括處理器內部的寄存器、高速緩存（Cache）、片內ROM、片外主存。其中，內部寄存器通常由十幾個到幾十個構成，用于緩存程序運行時頻繁使用的數據（局部變量、函數參數等）。...
在SoC中，存儲器是決定性能的另一個重要因素。不同的SoC設計中，根據實際需要采用不同的存儲器類型和大小。...
存儲器可分為易失性存儲器和非易失性存儲器兩類，前者在掉電后會失去記憶的數據，后者即使在切斷電源也可以保持數據。易失性存儲器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM)。而ROM則是非易失性存儲器， ROM可分為EEPROM(Electrically Erasable...
以MT41J128M型號為舉例：128Mbit=16Mbit*8banks 該DDR是個8bit的DDR3，每個bank的大小為16Mbit，一共有8個bank。...
在全默認設置的情況下，影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內存的工作速率為DDR5 4800，延遲設定為40-40-40-76，因此在這個設置下它的內存性能并不突出，與普通的DDR5 4800內存相當。...
PCIe 4.0 SSD初期就面臨嚴重的發熱問題，但至少被動散熱片都可以搞定。PCIe 5.0 SSD更是直接飛起，首批產品幾乎清一色都用上了主動風扇，性能也無法滿血。...
為了提升SSD的性能，HOF名人堂EX50S PCIe 5.0 M.2 SSD采用了獨立緩存設計。本次測試的2TB產品配備了多達4GB獨立緩存（編號為H9HCNNNCPUML XRNEE的SK海力士LPDDR4內存顆粒 ），用于存放記錄數據位置的FTL映射表。SSD的讀寫操作都需要查詢這張記錄表，要...
近日，長江存儲旗下的致態即將發布新款SATA SSD產品SC001 XT，外觀尺寸為2.5寸，目前提供容量為500G/1TB，未來還會發布250GB/2TB的版本。...
在刪除和重新加載塊后，可能會在用戶存儲器(裝入和工作存儲器)中產生間隔，從而減少可使用的存儲器區域。使用壓縮功能，可將現有塊在用戶存儲器中無間隔地重新排列，并創建連續的空閑存儲 空間。...
NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢？從字面意思上看， NAND = not AND(與非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發存儲器，NOR 與NAND 存儲邏輯的差異導致二者的應用場景有很大不同。NOR 的優勢在于隨機讀取與擦寫...
光盤的材質是有鋁夾層的塑料，在上面燒洞就形成了數據，讀取時利用光在鋁層上的鏡面反射，有洞的地方光不能被反射('0')，沒有洞的地方光被反射('1')...
NAND FLASH是一種非易失性隨機訪問存儲介質， 基于浮柵(Floating Gate)晶體管設計,通過浮柵來鎖存電荷，電荷被儲 存在浮柵中，在無電源供應的情況下數據仍然可以保持。相對于HDD,具有讀寫速度快、訪問時延低等特點。...
FIFO緩存是介于兩個子系統之間的彈性存儲器，其概念圖如圖1所示。它有兩個控制信號，wr和rd，用于讀操作和寫操作...
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