研究表明，Si/C/N，它不僅具有耐高溫、質量輕、韌性好、強度大、吸波性能好的優點，而且熱穩定性好、使用溫度范圍寬（室溫到1000℃均可使用）、用量少、介電性能可調，還可以有效地減弱紅外輻射信號。Si/C/N和Si/C/N/O納米吸收劑不僅在厘米波段，而且在毫米波段都有很好的吸收性能。

這種納米Si/C/N吸收劑具有以下優點。

⑴介電性能可調，可以控制的范圍分別為ε＇:1～32；ε〃:0～25；ε〃/ε＇:0～2。

⑵高溫穩定，在700℃高溫下熱處理10h，微觀結構和性能無任何變化。

⑶使用溫度范圍寬，在室溫和高溫下均可使用，最高使用溫度可達l000℃。

⑷高溫反射率穩定，經實際測試，吸波材料在300℃、500℃、700℃時的反射率曲線與室溫時的反射率曲線幾乎完全一致，反射率隨溫度的變化很小。

⑸用量少，在基體中摻入3％～10％（質量分數）的吸收劑即可達到好的吸波效果。

⑹介電常數隨頻率的升高有一定程度的降低，有利于增加吸收頻帶的寬度。

3.6納米導電高分子吸波材料

導電聚合物是一類電損耗型吸波材料，主要有聚乙炔、聚吡咯、聚噻吩和聚苯胺等，其吸波性能與導電聚合物的介電常數、電導率等密切相關，結構特點是具有共軛大π鍵體系。這類化合物的電磁參量主要依賴于高聚物的主鏈結構、室溫電導率、摻雜劑性質、摻雜度和合成方法等因素。導電高聚物的電導率可在絕緣體、半導體和金屬態范圍內變化，不同的電導率呈現不同的吸波性能，導電高分子經摻雜后，由于在共軛鏈與摻雜劑之間發生電子轉移而產生新的載流子，如孤子、極子或雙極子，這類偶極子的存在和躍遷使其電導率劇增，故呈現出較好的吸波性能。而其電導率的大小取決于導電高分子的分子鏈長及分子結構對偶極子的約束力，通常高分子鏈越長，結構規整性越高，導電性就越好。研究結果表明，導電高分子的電導率在10－5～10－3S/cm范圍即呈半導體態時，有較好的吸波效果。研究發現，納米導電聚合物的磁損耗較非納米導電聚合物的磁損耗有了較大的提高。

純的共軛高聚物電導率并不高，最高不超過10－3S/cm，且大部分小于10－7S/cm，但是與無機吸收劑復合后，卻能獲得較好的導電與吸波性能；復合型導電高分子吸波材料是由高分子材料與導電物質以均勻復合、層疊復合或形成表面膜等方式制得。主要由以下幾部分組成：有機高分子物質主要有橡膠類、樹脂類、乳液類、聚乙炔、聚吡咯、聚苯胺和聚噻吩等；導電物質主要有金屬、非金屬類及氧化物類等填料；摻雜劑有鹽酸、濃硫酸、三氯化鐵及其它有機物等。由于導電高分子吸波材料具有密度小、電磁參數可調、兼容性好、成本低、可選擇的品種多，故有望發展成為一種新型的輕質、寬頻帶吸波材料。美國已研制出一種由導電高聚物與氰酸鹽晶須復合而成的吸波材料，其具有光學透明特性，可以噴涂在飛機座艙蓋、精確制導武器和巡航導彈的光學透明窗口上。導電高分子密度較小，一般為1.0～2.0g/cm3，機械加工性能良好，中低溫穩定性較好，在電損耗型吸波材料中具有廣闊的發展前景。

4、展望

綜上所述，納米吸波材料具有優異的吸波性能，兼有頻帶寬、多功能、質量輕及厚度薄等特點，對微波和紅外皆有極好的吸波效果，還能與結構復合材料或結構吸波材料復合，是一種極具發展潛力的高性能吸波材料。高度的軍事敏感性和技術保密性，使得高性能吸波介質研究和應用情況的資料很難收集。但是，世界各國都在競相開發高性能的吸波材料。在未來戰爭中，只適合一二個相應頻段的吸波介質，將很難對今后的探測系統具有實戰意義，納米吸波材料在不久的將來有望發展成為能兼顧毫米波、厘米波、米波、可見光、紅外等多波段電磁隱身的多頻譜吸波材料。